• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.364-364
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• 2012

평판 디스플레이 분야에 투명 비정질 산화물 반도체는 박막 트렌지스터(Thin film transistor; TFT)소자의 채널층으로 사용할 수 있다. 투명 비정질 산화물 반도체 IGZO (In-Ga-Zn-O)는 다른 비정질 재료에 비해 높은 전하 이동도를 가지기 때문에 우수한 성능의 TFT소자를 제작할 수 있다. 본 연구에서는 RF magnetron sputtering법으로 corning 1737 유리기판 위에 RF 파워의 변화에 따라 증착한 IGZO박막의 광학적 전기적 특성 변화를 연구하였다. 박막 증착 조건은 초기 압력 $2.0{\times}10^{-6}Torr$, 증착 압력 $2.0{\times}10^{-2}Torr$, 반응가스 Ar 25 sccm, 증착 온도는 실온으로 고정하였으며, 공정변수로 RF 파워를 25 w, 50 w, 75 w, 100 w로 변화시키며, IGZO 타겟은 $In_2O_3$, $Ga_2O_3$, ZnO 분말을 각각 1 : 1 : 2mol% 조성비로 혼합하여 소결한 타겟을 사용하였다. 표면분석(AFM)결과 RF 파워가 증가함에 따라 거칠기가 증가하였으며, XRD 분석결과 Bragg's 법칙을 만족하는 피크가 나타나지 않는 비정질 구조임을 확인할 수 있었다. 가시광 영역에서 (450~700 nm) 25 w일 때 85% 이상을 확인하였고, RF 파워가 증가할수록 밴드갭이 감소하는 것을 확인하였다. RF 파워가 100 w인 경우 carrier 밀도는 $7.7{\times}10^{19}cm^{-3}$, Mobility $8.42cm^2V-s$, Resistivity $9.45{\times}10^{-3}{\Omega}-cm$로 투명 전도막의 특성을 보였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.234-234
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• 2011

IGZO 투명 전도 박막은 TFT-LCD에 사용되는 투명 전도성 산화물 박막으로서 다양한 광전자 소자의 투명 전극으로 널리 사용되고 있다. 본 연구에서는 RF magnetron sputtering법으로 corning 1737 유리기판 위에 RF 파워의 변화에 따라 증착한 IGZO박막의 광학적 전기적 특성 변화를 연구하였다. 박막 증착 조건은 초기 압력 $2.0{\times}10^{-6}$ Torr, 증착 압력 $2.0{\times}10^{-2}$ Torr, 반응가스 Ar 50 sccm, 증착 온도는 실온으로 고정하였으며, 공정변수로 RF 파워를 25 w, 50 w, 75 w, 100 w로 변화시키며, IGZO 타겟은 $In_2O_3$, $Ga_2O_3$, ZnO 분말을 각각 1 : 1 : 2 mol% 조성비로 혼합하여 소결한 타겟을 사용하였다. 표면분석(AFM)결과 RF 파워가 증가함에 따라 거칠기가 증가하였으며, XRD 분석결과 Bragg's 법칙을 만족하는 피크가 나타나지 않는 비정질 구조임을 확인할 수 있었다. 가시광 영역에서 (450 nm~700 nm) 25 w일 때 85% 이상을 확인하였고, RF 파워가 증가할수록 밴드갭이 감소하는 것을 확인하였다. RF 파워가 100 w인 경우 carrier 밀도는 $7.0{\times}10^{19}\;cm^{-3}$, Mobility 13.4 $cm^2$/V-s, Resistivity $6.0{\times}10^{-3}\;{\Omega}-cm$로 투명전도막의 특성을 보였다.

• 한국표면공학회지
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• 제41권2호
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• pp.43-47
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• 2008

Cubic boron nitride(c-BN) films were deposited on tungsten carbide insert tool by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition(MPECVD) from a gas mixture of triethyl borate$(B(C_2H_5O)_3)$, ammonia $(NH_3)$, hydrogen$(H_2)$ and argon(Ar). The qualities of deposited thin film were investigated by x-ray diffrac-tion(XRD), field emission scanning electron microscopy(FE-SEM) and micro Raman spectroscope. The surface morphologies of the synthesised BN as well as crystallinity appear to be highly dependent on the flow rate of $B(C_2H_5O)_3$ and $(NH_3)$ gases. The deposited film had more crystallized phases with 5 scem of $B(C_2H_5O)_3$ and $(NH_3)$ gases than with 2 sccm, and the phase was identified as c-BN by micro Raman spectroscope and XRD. The adhesion strength were also increased with increasing flow rates of $B(C_2H_5O)_3$ and $(NH_3)$ gases.

• 한국안전학회지
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• 제20권1호
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• pp.94-100
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• 2005

The plasma, ionized gas state, is generally composed as the 4th state in the universe. Generating the plasma artificially has been studied by spending energy and it has been applied so much in human's life. There are several merits to modify the surface of polymer using plasma. Above all, plasma maintains the properties of polymer itself, but changes the properly of polymer surface only. Also, it is the environmentally fraternized because there are no waste processing from organic solvent. Furthermore, it is possible that continuous automated-processing in case of high-pressure plasma. Therefore, we have tried the reforming of surface to rise the adhesive strength between the material of polymer, and have experimented rising the adhesive strength through peel strength by virtue of processing time and using gas, of course, confirmed the change of polymer surface through measuring the contact angle analysis and scanning electron microscopy(SEM).

• Journal of Magnetics
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• 제13권4호
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• pp.163-166
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• 2008

Multiferroic $CoCr_2O_4$ film was deposited on MgO and $MgAl_2O_4$ substrates by the rf-sputtering process. The films were prepared at an RF-magnetron sputtering power of 50 W and a pressure of 10 mtorr (20 sccm in Ar), and at substrate temperatures of $550^{\circ}C$. The crystal structure was determined to be a spinel (Fd-3m) structure by means of X-ray diffraction (XRD) with Cu $K{\yen}{\acute{a}}$ radiation. The thickness and morphology of the films were measured by scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM). The magnetic properties were measured using a Superconducting Quantum Interference Device (SQIUD) magnetometer. While the ferrimagnetic transitions were observed at about 93 K, which was determined as the Neel temperature, the magnetic properties all show different behaviors. The differences between the magnetic properties can be explained by the stress effects between $CoCr_2O_4$ and the substrates of MgO and $MgAl_2O_4$.

• 한국표면공학회지
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• 제36권5호
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• pp.418-422
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• 2003

평판형 유도결합 플라즈마 식각장비(inductively coupled plasma etcher)를 이용하여 각종 공정조건들에 따른 GaAs의 식각특성을 연구하였다. 공정변수들은 ICP 소스파워(0-500 W), RIE 척파워(0-150 W), 가스 종류($BCl_3$, $BCl_3$/Ar, $BCl_3$/Ne) 및 가스혼합비였다. $BCl_3$ 가스만을 이용하여 GaAs를 식각한 경우보다 25%의 Ar이나 Ne같은 불활성 기체를 혼합한 $15BCl_3$/5Ar, $15BCl_3$/5Ne 가스를 이용한 경우의 식각률이 더 우수한 것을 확인하였다. 그리고 50% 이하의 Ar이 혼합된 $BCl_3$/Ar의 경우는 높은 식각률 (＞4,000 $\AA$/min)과 평탄한 표면(RMS roughness : ＜2 nm)을 얻을 수 있었지만 지나친 양(＞50%)의 Ar의 혼합은 오히려 표면을 거칠게 하거나 식각률을 떨어뜨리는 결과를 가져왔다. 그리고 20 sccm $BCl_3$, 100 W RIE 척파워, 300 W ICP 소스파워, 공정압력이 7.5 mTorr인 조건에서의 GaAs의 식각결과는 아주 우수한 특성(식각률: ∼ 4,000, $\AA$/min, 우수한 수직측벽도: ＞$87^{\circ}$, 평탄한 표면: RMS roughness : ∼0.6 nm)을 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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• pp.151-154
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• 2002

AP/RPCVD를 이용하여 $650^{\circ}C$의 저온에서 실리콘-게르마늄의 선택적 단결정 성장 (Selective Epitaxy Growth: SEG) 을 수행하였다. 본 실험에서는 $SiH_4$, $GeH_4$ 그리고 HCl 가스를 사용하여 잠입시간 동안 실리콘-게르마늄막을 성장시키고 연속해서 HCI 가스만을 주입하여 산화막 위에 형성되어진 작은 결정입자들을 식각하는 공정을 반복적으로 수행하였다. HCl 의 식각에 의해 한 주기의 잠입기 후에도 다시 잠입기가 존재함을 확인하였고, 이 성장법을 통하여 한 주기의 잠업시간 동안 증착할 수 있는 두께 이상으로 실리콘-게르마늄막의 선택적 성장이 가능하였다. 이는 저온 선택적 실리콘-게르마늄 성장 시 RPCVD에서 보이는 낮은 선택성과 $SiH_4$의 짧은 장입시간으로 인해 원하는 두께까지 확보하기 힘든 단점을 극복한 것이다. 선택성을 향상시키기 위해 실리콘-게르마늄 증착중 주입된 HCI의 유량에 따라 잠입시간과 증착속도에 영향을 주었으며, 연속공정을 위한 식각공정은 20sccm의 HCI을 20초간 주입하여 선택성을 유지하였다. 또한 보론 불순물의 첨가가 선택적으로 성장되는 박막의 결정성에 미치는 영향도 분석되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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• pp.452-455
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• 2002

Single crystal 3C-SiC(cubic silicon carbide) thin-films were deposited on Si(100) substrate up to a thickness of $4.3{\mu}m$ by APCVD method using HMDS(hexamethyildisilane) at $1350^{\circ}C$. The HMDS flow rate was 0.5 sccm and the carrier gas flow rate was 2.5 slm. The HMDS flow rate was important to get a mirror-like crystal surface. The growth rate of the 3C-SiC films was $4.3{\mu}m/hr$. The 3C-SiC epitaxical films grown on Si(100) were characterized by XRD, AFM, RHEED, XPS and raman scattering, respectively. The 3C-SiC distinct phonons of TO(transverse optical) near $796cm^{-1}$ and LO(longitudinal optical) near $974{\pm}1cm^{-1}$ were recorded by raman scattering measurement. The heteroepitaxially grown films were identified as the single crystal 3C-SiC phase by XRD spectra$(2{\theta}=41.5^{\circ})$.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제13권6호
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• pp.287-291
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• 2012

We investigated the etching characteristics of TaN thin films in an $O_2/BCl_3/Cl_2/Ar$ gas using a high density plasma (HDP) system. A maximum etch rate of the TaN thin films and the selectivity of TaN to $SiO_2$ were obtained as 172.7 nm/min and 6.27 in the $O_2/BCl_3/Cl_2/Ar$ (3:2:18:10 sccm) gas mixture, respectively. At the same time, the etch rate was measured as a function of the etching parameters, such as the RF power, DC-bias voltage, and process pressure. The chemical states on the surface of the etched TaN thin films were investigated using X-ray photoelectron spectroscopy. Auger electron spectroscopy was used for elemental analysis on the surface of the etched TaN thin films. These surface analyses confirm that the surface of the etched TaN thin film is formed with the nonvolatile by-product.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1997년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1304-1307
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• 1997

A hydrogen gas sensor utilizing Pt/$SnO_2$ system was fabricated by the pressed pellet method. The crystal structure, direction of the crystal, crystal size and microstructure between the catalyst and the support ($SnO_2$) were characterized with Electron Diffraction Analysis, Transmission Electron Microscopy, Scanning Electron Microscopy. After the reactor with a Pt/$SnO_2$ sample was run with a flow rate of 30sccm (a mixture of $0.5%H_2$ in $N_2$) for a while, the resistance of $SnO_2$ was saturated, but the $SnO_2$ kept absorbing $H_2$ gas. $H_2$ gas sensing properties of Pt/$SnO_2$ were investigated at several temperatures. As a result, it was observed that Pt/$SnO_2$ has high sensitivity at $300^{\circ}C$ and $400^{\circ}C$.