• 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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• 제5권3호
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• pp.26-29
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• 2003

Nowadays, one of the serious problems in KEPCO system is much higher fault current than the SCC(Short Circuit Capacity) of circuit breaker. As the superconductivity technology has developed, the HTS-FCL(High Temperature Superconductor-Fault Current Limiter) can be one of the attractive alternatives to solve the fault current problem. But the parameters of HTS-FCL should be designed optimally to have the best performance. Under this background, this paper presents the optimal design method of parameters for resistive type HTS-FCL using Monte Carlo technique.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.1007-1008
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• 2009

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1999년도 하계종합학술대회 논문집
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• pp.749-752
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• 1999

A new interface circuit for variable resistive sensors is proposed. The interface circuit compose of only two strain gages, a voltage-to-current converter, and current mirror with two outputs. A new dual slope A/D converter based on linear operational transconductance amplifier for the testing of prototype interface circuit is also described. The theory of operation is presented and experimental results are used to verify the theoretical predictions. The results show close agreement between predicted behaviour and experimental performance.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.368.1-368.1
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• 2014

We proposed amorphous GeSe-based ReRAM device of metal-insulator-metal (M-I-M) structure. The operation characteristics of memory device occured unipolar switching characteristics. By introducing the concepts of valance-alternation-pairs (VAPs) and chalcogen vacancies, the unipolar resistive switching operation had been explained. In addition, the current transport behavior were analyzed with space charge effect of VAPs, Schottky emission in metal/GeSe interface and P-F emission by GeSe bulk trap in mind. The GeSe ReRAM device of M-I-M structure indicated the stable memory switching characteristics. Furthermore, excellent stability, endurance and retention characteristics were also verified.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2005년도 춘계학술발표대회 및 제8회 신소재 심포지엄 논문개요집
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• pp.126-126
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• 2005

• Journal of Semiconductor Engineering
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• 제1권1호
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• pp.38-45
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• 2020

With the recent emergence of foldable electronic devices, interest in flexible organic memory is significantly growing. There are three types of flexible organic memory that have been researched so far: floating-gate (FG) memory, ferroelectric field-effect-transistor (FeFET) memory, and resistive memory. Herein, performance parameters and operation mechanisms of each type of memory device are introduced, along with a brief summarization of recent research progress in flexible organic memory.

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• 한국초전도학회 2005년도 High Temperature Superconductivity Vol.XV
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• pp.85-85
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• 2005

• 한국전자파학회논문지
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• 제23권3호
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• pp.335-342
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• 2012

저항성 격막을 이용하여 높은 격리도 특성의 Ka-대역 WR-28 도파관 전력합성기를 설계 및 제작하였다. 개발된 도파관 전력합성기는 E-plane T-junction에 슬릿을 만들어 TaN 박막 공정으로 제작된 저항성 격막을 도파관에 결합한 구조이다. 제작된 도파관 전력합성기는 -20 dB 이하의 입출력 임피던스 정합 특성을 보였으며, 0.1 dB 이하의 삽입 손실 특성을 보였다. 또한, 격리도 특성은 거의 전 대역에서 20 dB 이상의 값을 보였으며, 37 GHz 이하에서는 25 dB 이상의 특성을 보여주었다. 입력 포트 상호간의 크기 및 위상 불균형은 각각 0.1 dB와 2.5도 이하의 우수한 특성이 측정되었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제24권11호
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• pp.1098-1103
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• 2013

본 논문은 직렬 RLC 정합과 저항 궤환 회로를 이용하여 설계한 중심 주파수 8 GHz를 갖는 저잡음 증폭기를 제안한다. 제안하는 LNA는 입력 정합에 Degenerate inductor를 사용하여 $S_{21}$이 넓은 대역폭을 지니고 있고, 병렬로 구성된 회로를 직렬 공진 회로로 변환함으로써 입력 정합 회로를 등가회로로 축약하여 해석을 하였다. 저항 궤환 회로와 입력 RLC 정합이 모두 사용되어 제안하는 LNA는 최대 8.5 dB의 $S_{21}$(-3 dB 대역폭은 약 3.5 GHz), 잡음 지수로 5.9 dB, IIP3로는 1.6 dBm 값을 가지며, 1.2 V에서 7 mA를 소모한다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제27권1호
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• pp.31-35
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• 2020

원자층 증착법(ALD: atomic layer deposition)으로 성장된 ZnO n-type 산화물반도체를 이용하여 three terminal memristor (memtransistor) 소자를 제작하여 습도에 따른 그 특성을 관찰하였다. 40 nm 두께의 ZnO 박막을 이용하여 channel width 70 ㎛, length 5 ㎛, back gate 구조의 memtransistor 소자를 제작하여 습도에 (40%, 50%, 60%, 70%) 따른 gate tunable memristive 특성변화를 관찰하였다. 습도가 높아질수록 electron mobility와 gate controllability가 감소하여 수소도핑효과에 의한 carrier 농도가 증가하는 거동의 output curve가 관찰되었다. 60%, 70%의 습도에서 memristive 거동이 관찰되었으며 습도가 높아질수록 on/off ratio는 증가하는 반면 gate controllability가 감소하였다. 60% 습도에서 가장 우수한 특성의 gate tunable memristive 특성을 얻을 수 있었다.