• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 2005.07b
• /
• pp.1038-1040
• /
• 2005

Linear kink effect (LKE) induced mainly by selfheating on the reliability of divided channel poly-Si TFTs has been studied. The LKE was enhanced for compact designed structure to achieve narrow bezel, which was explained by the difference in heat dissipation capability, thus self-heating immunity in TFT.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2010.08a
• /
• pp.199-199
• /
• 2010

최근 평판 디스플레이 산업의 발전에 따라 능동행렬 액정 표시 소자 (AMOLED : Active Matrix Organic Liquid Crystral Display) 가 차세대 디스플레이 분야에서 각광을 받고있다. 기존의 TFT-LCD에 사용되는 a-Si:H는 균일도가 좋지만 전기적인 스트레스에 의해 쉽게 열화되고 낮은 이동도는 갖는 단점이 있으며, ELA (Eximer Laser Annealing) 결정화 poly-Si은 전기적인 특성은 좋지만 uniformity가 떨어지는 단점을 가지고 있어서 AMOLED 및 대면적 디스플레이에 적용하기 어렵다. 따라서 a-Si:H TFT보다 좋은 전기적인 특성을 보이며 ELA 결정화 poly-Si TFT보다 좋은 uniformity를 갖는 SPC (Solid Phase Crystallization) poly-Si TFT가 주목을 받고있다. 본 연구에서는 차세대 디스플레이 적용을 위해서 glass 기판위에 증착된 a-Si을 SPC 로 결정화 시킨 후 TFT를 제작하고 평가하였다. 또한 TFT 형성시에 저온공정을 실현하기 위해서 소스/드레인 영역에 실리사이드를 형성시켰다. 소자 제작시의 최고온도는 $500^{\circ}C$ 이하에서 공정을 진행하는 저온 공정을 실현하였다. Glass 기판위에 a-Si이 80 nm 증착된 기판을 퍼니스에서 24시간 동안 N2 분위기로 약 $600^{\circ}C$ 에서 결정화를 진행하였다. 노광공정을 통하여 Active 영역을 형성시키고 E-beam evaporator를 이용하여 약 70 nm 의 Pt를 증착시킨 후, 소스와 드레인 영역의 실리사이드 형성은 N2 분위기에서 $450^{\circ}C$, $500^{\circ}C$, $550^{\circ}C$에서 열처리를 통하여 형성하였다. 게이트 절연막은 스퍼터링을 이용하여 SiO2를 약 15 nm 의 두께로 증착하였다. 게이트 전극의 형성을 위하여 E-beam evaporator 을 이용하여 약 150 nm 두께의 알루미늄을 증착하고 노광공정을 통하여 게이트 영역을 형성 후 에 $450^{\circ}C$, H2/N2 분위기에서 약 30분 동안 forming gas annealing (FGA)을 실시하였다. 제작된 소자는 실리사이드 형성 온도에 따라서 각각 다른 특성을 보였으며 $450^{\circ}C$에서 실리사이드를 형성시킨 소자는 on currnet와 SS (Subthreshold Swing)이 가장 낮은것을 확인하였다. $500^{\circ}C$와 $550^{\circ}C$에서 실리사이드를 형성시킨 소자는 거의 동일한 on current와 SS값을 나타냈다. 이로써 glass 기판위의 SB-TFT 제작 시 실리사이드 형성의 최적온도는 $500^{\circ}C$로 생각되어 진다. 위의 결과를 토대로 본 연구에서는 SPC 결정화 방법을 이용하여 SB-TFT를 성공적으로 제작 및 평가하였고, 차세대 디스플레이에 적용할 경우 우수한 특성이 기대된다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 2008.10a
• /
• pp.903-906
• /
• 2008

We developed the advanced LTPS (A-LTPS) manufacturing process. The a-Si TFT process was combined with selectively enlarging laser crystallization (SELAX) technology to improve the carrier mobility in the region where the peripheral circuits are to be fabricated. A 2.4-inch IPS-pro LCD panel for personal digital assistant use was successfully fabricated using the developed technology.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 2003.07a
• /
• pp.630-633
• /
• 2003

Integrating the driver circuitry directly onto the glass substrate would be one of the advantages of polycrystalline Si (poly-Si) TFT-(LCD). Low-temperature poly-Si TFT(LTPS) is well-suited for higher-definition display applications due to its intrinsically superior electrical characteristics. In order to improve LTPS electrical characteristics, currently the excimer laser-induced crystallization (ELC) processes and sequential lateral solidification method were developed. Grain size of the poly-Si is mainly affected by beam pitch and energy density. Key parameter for making a larger poly-Si using excimer laser annealing(ELA) and increasing a throughput is due to increase in beam pitch and energy density to a certain degree. Furthermore, thin $SiO_{2}$ capping is effective to suppress the protrusion of the poly-Si thin films and to reduce the interface state density. From the ELA process, we are able to control grain size by varying different parameters such as number of shots and energy density.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
• /
• 2006.11a
• /
• pp.257-260
• /
• 2006

본 논문에서는 TFT-LCD 패널용 석영유리기판을 제작하여 투과율, OH함량, OH농도분포, 점도, 열팽창계수 등에 대한 특성 평가를 하였다. 그 결과 고온 poly-Si TFT-LCD용 기판으로의 사용 가능성을 확인하였다.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
• /
• v.15 no.11
• /
• pp.969-975
• /
• 2002

Thin film transistors(TFT) were made based on the polycrystalline Si (poly-Si) crystallized by sequential lateral solidification(SLS) method. The electrical characteristics of the devices were analyzed. n-type TFTs did not show a superior characteristics compared to p-type TFTs. We analyzed the causes of the failure by focused ion beam(FIB) analysis and automatic spreading resistance(ASR) measurement, to study the structural integrity and the doping distribution, respectively. FIB showed no structural problems but it revealed a non-intermixed layer in the contact holes between the polysilicon and the aluminum electrode. ASR analyses on poly-Si layer with various doping concentrations and activation temperatures showed that the inadequately doped areas were partially responsible for the inferior behavior of the whole device.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2011.02a
• /
• pp.128-128
• /
• 2011

Polysilicon thin-film transistors (poly-Si TFTs)는 능동행렬 액정 표시 소자(AMLCD : Active Matrix Liquid Crystal Display)와 DRAM과 같은 메모리 분야에 폭넓게 적용이 가능하기 때문에 많은 연구가 진행되고 있다. 최근 poly-Si TFTs의 우수한 특성으로 인하여 주변 driving circuits에 직접화가 가능하게 되었다. 또한 디스플레이 LCD 패널에 controller와 메모리와 같은 다 기능의 장치을 직접화 하여 비용의 절감과 소자의 소형화가 가능한 SOP (System on panels)에 연구 또한 진행 되고 있다. 이미 잘 알려진 바와 같이 비휘발성 메모리는 낮은 소비전력과 비휘발성이라는 특성 때문에 이동식 디바이스에 데이터 저장 장치로 많이 사용되고 있다. 하지만 플로팅 타입의 비휘발성 메모리는 제작공정의 문제로 인하여 SOP의 적용에 어려움을 가지고 있다. SONOS 타입의 메모리는 빠른 쓰기/지우기 효율과 긴 데이터 유지 특성을 가지고 있으나 소자의 스케일링 따른 누설전류의 증가와 10년의 데이터 보존 특성을 만족 시킬 수 가 없는 문제가 발생한다. 본 연구에서는 SOP 적용을 위하여 ELA 방법을 통하여 결정화한 poly-Si TFT memory를 SiO2/Si3N4/SiO2 Tunnel barrier와 High-k HfO2과 Al2O3을 Trapping layer와 Blocking layer로 적용, 비휘발성 메모리을 제작하여 전기적 특성을 알아보았다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2006.11a
• /
• pp.87-88
• /
• 2006

Recently, poly-Si TFT-LCD starts to be mass produced using excimer laser annealing (ELA) poly-Si. The main reason for this is the good quality poly-Si and large area uniformity. We report the influence of channel length and width on poly-Si TFTs performance. Transfer characteristics of p-channel poly-Si thin film transistors fabricated on polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs) with various channel lengths and widths of 2-30 ${\mu}m$ has been investigated. In this paper, we analyzed the data of p-type TFTs. We studied threshold voltage ($V_{TH}$), on/off current ratio ($I_{ON}/I_{OFF}$), saturation current ($I_{DSAT}$), and transconductance ($g_m$) of p-channel poly-Si thin film transistors with various channel lengths and widths.

• Proceedings of the KIEE Conference
• /
• 2006.10a
• /
• pp.121-122
• /
• 2006

Recently, poly-Si TFT-LCD starts to be mass produced using excimer laser annealing (ELA) poly-Si. The main reason for this is the good quality poly-Si and large area uniformity. We report the influence of channel length and width on poly-Si TITs performance. Transfer characteristics of n-channel poly-Si thin film transistors fabricated on polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs) with various channel lengths and widths of $2-30{\mu}m$ has been investigated. In this paper, we analyzed the data of n-type TFTs. We studied threshold voltage ($V_{TH}$), on/off current ratio ($I_{ON}/I_{OFF}$), saturation current (I_{DSAT}$), and transconductance ($g_m$) of n-channel poly-Si thin film transistors with various channel lengths and widths.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 2005.07a
• /
• pp.665-667
• /
• 2005

VIATRON TECHNOLOGIES has developed FE-RTP system that enables LTPS LCD and AMOLED manufacturers to produce poly-Si films at low cost, high throughput, and high yield. The system employs sequential heat treatment methods using temperature control and rapid thermal processor modules. The temperature control modules provide exceptionally uniform heating and cooling of the glass substrates to within ${\pm}2^a\;C$. The rapid thermal process that combines heating with field induction accelerates the treatment rates. The new FE-RTP system can process $730{\times}920mm$ glass substrates as thin as 0.4 mm. The uniform nature of poly-Si films produced by FE-RTP resulted in AMOLED panels with no laser-Muras. Furthermore, FE-RTP system also showed superior performances in other heat treatment processes involved in poly-Si TFT fabrications, such as dopant activation, gate oxide densification, hydrogenation, and pre-compaction.