• 공업화학
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• 제19권3호
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• pp.322-325
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• 2008

3,3-Dimethyl-1-butene ($C_6H_{12}$) 모노머를 PECVD 증착하였다. 비정질 탄소막은 FT-IR 스펙트럼에서 R.F.전력/압력비가 증가할수록 수소의 함유량과 dangling bond가 감소되고 막의 기계적 특성은 밀도가 상승함으로써 비례하여 향상되었다. 또한 Raman 스펙트럼에서 D 피크가 증가하였고 고리구조의 막을 형성하였다. 따라서 경도와 모듈러스가 각각 12 GPa과 85 GPa였다. 증착된 막의 굴절률(n)과 흡광계수(k)는 전력/압력비가 상승할수록 증가하였다.

• 폴리머
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• 제24권5호
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• pp.673-681
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• 2000

플라즈마 처리가 나일론 6 직물의 표면 특성과 폴리아닐린/나일론 6 복합직물의 전도도에 미치는 영향을 연구하였다. 산소 플라즈마로 처리한 나일론 6 직물의 표면을 XPS 분석을 통해 확인한 결과 C-O, C-OH 등의 관능기가 도입되었으며, 이는 직물과 폴리아닐린의 결합력을 향상시켜 전기 전도도와 폴리아닐린 부착량을 증가시켰다. 또한 산소 플라즈마로 처리된 폴리아닐린/나일론 6 복합직물은 세탁과 마모에서도 우수한 안정성을 나타내었다. 초음파 처리는 매질에 발생된 cavitation과 진동에 의해 직물 내부로 아닐린을 확산시키는데 효과적이었으며, 이는 폴리아닐린/나일론 6 복합직물의 전기 전도도를 크게 향상시켰다. 아닐린의 농도와 중합욕에 침지 휫수가 증가함에 따라 전기 전도도와 복합직물의 형태안정성에 대한 영향을 살펴보았는데, 단량체 농도는 0.5M 까지는 증가함에 따라 전도도가 향상되었으며, 침지 횟수가 증가함에 따라서도 전도도가 향상되었다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제14권3호
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• pp.38-42
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• 2000

플라즈마 중합박막은 내정전 플라즈마 중합장치에 의해서 제조되었다. 중칙률을 4O[W]에서 100[W] 사이에서 최대값을 나타내었다. ESCA 분석에샤는 285.4와 285.5[eV]에서 -CH2, -C-를 나타내는 피크들을 보였다. 무시할 수 없는 양으로 산소와 그룹화 되어 있는 532.8[eV]에서의 C-O와 533.8[eV)에서의 C-O[C/O=8]를 확인하였다. ESR 분석에서 강한 진폭이 나타나는 곡선은 매우 약한 방전전력에 영향을 받은 포화상태를 나타낸다. 알림기를 함유한 -CH-CH=CH- 구조로 사료된다. 제조된 플라즈마 중합박막은 100[Hz]~200[kHz]의 주파수에서 비유전율이 3,5정도를 보이고 유전정접은 0.08의 낮은 값올 냐타내었다.

• 폴리머
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• 제33권1호
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• pp.79-83
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• 2009

Hexamethyldisiloxane(HMDSO)+$O_2$를 플라즈마 중합시켜 알루미늄 판과 알루미늄 콘덴서 케이스 표면에 전기 절연박막을 코팅하였다. 코팅된 박막들은 두께가 0.5 ${\mu}m$ 이상이면 박막의 종류에 상관없이 1.0 M$\Omega$ 이상의 저항 값을 보였으며, 박막의 표면 형태 및 접착력은 플라즈마의 공정조건에 따라 달라졌다. 박막의 증착속도 및 접착력은 $O_2$/HMDSO 유량비와 방전전력에 따라 달라졌으며, 유량비가 4이고 방전전력이 60 W일 때 가장 좋은 결과를 보였다. 집착력은 또한 알루미늄을 끓는 물에서 30분간 전처리한 경우에 박막과 알루미늅 표면 사이에 Al-O-Si 결합을 형성하면서 크게 향상되었다. 이렇게 코팅된 박막은 우수한 내약품성과 내열성을 지니고 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1993년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.28-32
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• 1993

A deposition rate of styrene thin films is linearly increased, but one of benzene thin films is nonlinearly increased with increasing discharge power under maintaining a polymerization time, pressure and monomer flow rate. And, the reduction of transmittance at shortwave is larger than that of transmittance at longwave. The refractive index with wavelength is various from 1.55 to 1.65. The refractive index of their thin films is decreased with increasing discharge power. Also, it is known that measured results are valid because the calculation of the extinction coefficient is about $10^3$ within variation of refractive index.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.160-161
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• 2007

3,3-Dimethyl-1-butene ($C_6H_{12}$) monomer를 이용하여 RF power와 압력에 따라 막을 증착하였다. 증착된 막은 power/pressure (W/Torr)가 증가할수록 비정질 탄소막은 Raman 스펙트럼에서 D peak가 증가하였고, ring 구조의 막을 형성하였다. 또한 ring 구조의 막이 형성됨으로써 hardness와 modulus는 각각 12 GPa과 85 GPa로 선형적으로 증가하는 것으로 나타났다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1993년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.1189-1192
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• 1993

Organic thin films were fabricated an using interelectrode capacitively coupled type plasma polymerizaion apparatus, and their optical properties were investigated. A deposition rate of styrene thin films is linearly increased, but one or vinyl-pyridine thin films is nonlinearly increased with increasing of polymerization time, pressure and monomer flow rate. The transmittance of single layer thin films is constant, but that of multi-layer appeared irregular peak with increasing of the number of layers. And then the refractive index of organic thin films is various from 1.55 to 1.65 with wavelength, the extinction coefficient indicated $10^{-3}$.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.312-312
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• 2011

In SiH4/H2 discharge for growth process of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H), silane polymers, produced by SiH2 + Sin-1H2n ${\rightarrow}$ SinH2n+2, have no reactivity on the film-growing surface. However, under the SiH2 rich condition, high silane reactive species (HSRS) can be produced by electron collision to silane polymers. HSRS, having relatively strong reactivity on the surface, can react with dangling bond and form Si-H2 networks which have a close correlation with photo-induced degradation of a-Si:H thin film solar cell [1]. To find contributions of suggested several external plasma conditions (pressure, frequency and ratio of mixture gas) [2,3] to suppressing productions of HSRS, some plasma characteristics are studied by numerical methods. For this study, a zero-dimensional global model for SiH4/H2 discharge and a one-dimensional particle-in-cell Monte-Carlo-collision model (PIC-MCC) for pure SiH4 discharge have been developed. Densities of important reactive species of SiH4/H2 discharge are observed by means of the global model, dealing 30 species and 136 reactions, and electron energy probability functions (EEPFs) of pure SiH4 discharge are obtained from the PIC-MCC model, containing 5 charged species and 15 reactions. Using global model, SiH2/SiH3 values were calculated when pressure and driving frequency vary from 0.1 Torr to 10 Torr, from 13.56 MHz to 60 MHz respectively and when the portion of hydrogen changes. Due to the limitation of global model, frequency effects can be explained by PIC-MCC model. Through PIC-MCC model for pure SiH4, EEPFs are obtained in the specific range responsible for forming SiH2 and SiH3: from 8.75 eV to 9.47 eV [4]. Through densities of reactive species and EEPFs, polymerization reactions and production of HSRS are discussed.

• 한국표면공학회지
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• 제53권5호
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• pp.201-206
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• 2020

A SiOxCy(-H) thin film was synthesized by atmospheric pressure dielectric barrier discharge(APDBD), and a SiO₂-like layer was formed on the surface of the film by oxidation treatment using oxygen plasma. Hexamethylcyclotrisiloxane was used as a precursor for the SiOxCy(-H) synthesis, and He gas was used for stabilizing APDBD. Oxygen permeability was evaluated by forming an oxidized SiOxCy(-H) thin film on a PET film. When the single-layer oxidized SiOxCy(-H) film was coated on the PET, the oxygen gas permeability decreased by 46% compared with bare PET. In case of three-layer oxidized SiOxCy(-H) film, the oxygen gas permeability decreased by 73%. The oxygen permeability was affected by the thickness of the SiO₂-like layer formed by oxidation treatment rather than the thickness of the SiOxCy(-H) film. The excellent corrosion resistance was demonstrated by coating an oxidized SiOxCy(-H) thin film on the silver-coated aluminum PCB for light emitting diode (LED).