The high-temperature superconductor YBa2Cu3O7-x (YBCO) have attached attentions because of a high superconducting transition temperature, low surface resistance, high superconducting critical current density (Jc), and superior superconducting capability under magnetic field. Moreover, the Jc of YBCO superconductors can be enhanced by adding impurities to the YBCO films for vortex-pinning. Understanding and controlling pinning centers are key factors to realize high Jc superconductors. We synthesized vertically-aligned ZnO nanorods on SrTiO3 (STO) substrates by catalyst-free metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD), and subsequently, deposited YBCO films on the ZnO nanorods/STO templates using pulsed laser deposition (PLD). The various techniques were used to analyze the structural and interfacial properties of the YBCO/ZnO nanorods/STO hybrid structures. SEM, TEM, and XRD measurements demonstrated that YBCO films on ZnO nanorods/STO were well crystallized with the (001) orientation. EXAFS measurements from YBCO/ZnO nanorods/STO at Cu K edge demonstrated that the local structural properties around Cu atoms in YBCO were quite similar to those of YBCO/STO.
Co/Pd 다층박막의 자화반전 거동을 조사하기 위하여, 먼저 시료를 자기장 소거법으로 탈자시킨 다음 초기자화 곡선과 minor loops 를 측정하였다. 또한 보자력 및 포화자화는 수직자화곡선으로부터 구하였으며, 수직자기이방성은 온도별로 측정한 수직 및 수평자화곡선의 면적차이를 이용하여 구하였다. 자화반저거동의 분석을 위하여 여러가지 정상적이고 반정량적인 방법을 측정결과에 적용하였다. 이들 결과로부터 본 실험에 사용된 시료의 자화반전의 지배적인 거동은 자벽의 pinning이며, 스퍼터링 압력이 증가할수록 보자력이 증가하는 경향은 Kronmuller 식 $H_{c}$ (T) .var. $r_{o}$ .center dot. $K_{u}$에 의해 설명될 수 있었다.다.다.
The effect of graphene inclusion in the ex-situ $MgB_2$ was analyzed with the help of resistivity behavior and critical current density studies. Amount of graphene was systematically varied from 0% for pristine sample to 3% by the weight of $MgB_2$. Graphene that is considered as a good source of carbon was found to be intact without any significant carbon doping in $MgB_2$ structure as reveled by XRD measurements. There was no signature of graphene inclusion as far as the superconducting transition is concerned which remained same at 39 K for all the samples. The transition width being sensitive to defect doping remained more or less about 2 K for all the samples showing no variation due to doping. Although there was no change in the superconducting transition or transition width, the graphene doped sample showed noticeable decrease in the overall resistivity behavior with respect to decrease in temperature. The graphene inclusion acted as effective pinning centers which have enhanced the upper critical field of these samples.
Since the MgB2 superconductor is simply composed of two constituents of Mg and B, its performance can be monitored easily with the change of one ingredient compared to the other. With the powder size of B less than 100 nm, two different sizes of Mg powders are used to investigate the reaction temperature dependence of MgB2 bulk samples. In the range of 630-700℃ for the duration of 30 min., the un-reacted Mg is seen only at 630℃ with Mg powder size of <5 ㎛, whereas Mg traces are detected at all the temperature range with Mg powder size of <45 ㎛. The reaction temperature dependence of MgB2 superconducting transition temperature, Tc, shows little difference whether Mg powder size is large or small in this range except for the 630℃. It is worthy of notice that the critical current densities of MgB2 show higher performance with the small size of Mg compared to the large one at all field ranges. With the Mg powder size of <45 ㎛, flux pinning is enhanced with decreasing the reaction temperature, whereas flux pinning properties is quite similar in the Mg powder size of <5 ㎛ except for the 630℃, where Mg is left behind after the reaction.
The performance of graphene-based electronic devices is critically affected by the quality of the graphene-metal contact. The understanding of graphene-metal is therefore critical for the successful development of graphene-based electronic devices, especially field-effect-transistors. Here, we provide a review of the peculiar properties of graphene-metal contacts, including work function pinning, the charge transport mechanism, the impact of the process on the contract resistance, and other factors.
The high Tc supeconductor of ceramic oxides type was studied for finding its application field. The results reportaed in this paper on the stability of the ceramic superconductors and the resistance to ripening in the BCO liquid phase at elevated temperature opens a processing window for engineering the microstructure of large superconductor at the nanoscale level. The results suggest further that the introduction of highly efficient artifical pinning center to bulk ceramics superconductor.
The magnetic levitation effect a high Tc superconductor beneath the toroidal permanent magnet was examined by means of a improved magnetic seesaw method. Magnetic effects associated with penetration and pinning in superconductor. One of these was focussing of magnetic field by superconductor and the other was magnetic levitation. The existence of equilibrium was shown to be related to hysteresis observed in the force separation for a toroidal permanent magnet and superconductor. Obtained results indicate that magnetic levitation effect in the present case was mainly due to diamagnetic effect.
An experimental study of the characteristics of the repulsiveytype magnetic bearing using high Tc superconductor is presented. In field cooling superconductor has the position-stability due to a flux pinning effect and the strong damping due to hysterisis, while in zero field cooling it has the only strong repulsive force due to Meissner effect. Lift force in superconducting levitation has a hysterisis characteristics, and it is the dissipation of energy, the mechanism of damping. As the relative linear velocity between a magnet and a superconductor increases, the area of the hysterisis loop becomes smaller. It means the decrease of damping. In field cooling, the static stiffness is very nonlinear in smaller than initial gap, but almost linear in larger than initial gap.
We report processing technique in the MO image measurement system. Calibration procedure is not only considered to perpendicular field but also in-plane field. Current density and field profiles are obtained by Biot-savart law and inversion method. We show example of $(Gd,Y)_1Ba_2Cu_3O_{7-{\delta}}-BaZrO_3$ film that have tilted nano rod pinning centers about $13^{\circ}$ from the c-axis.
최근 실온에서 약 40% 이상의 높은 자기저항(magnetoresistance, MR)을 나타내는 자기 터널 접합(magnetic tunnel junction, MTJ)이 보고되면서 비휘발성 자기메모리로의 응용을 눈앞에 두고 있다.[1]. 이에 본 실험에서는 Substrate / Ta (base electrode) / NiFe / PtMn (AF pinning layer) / CoFe (pinned) / Ru / CoFe (fixed) / Al-O/ CoFe (free) / NiFe (free) / Ta & Ru (Capping Layer)과 같은 MTJ 증착 구조를 사용하여, MTJ의 보다 향상된 특성을 확보하기 위한 노력으로서 Al-O 두께, 어닐링 조건(Field Intensity & Sequence)변화 등을 시도하였다. (중략)
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[게시일 2004년 10월 1일]
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