The photoconductor is made of evaporated amorphous selenium as the base material, doped with arsenic and tellurium to prevent crystallization and to increase the red sensitivity of the amorphous selenium. The four-layered photoconductor of Se-As-Te has good photosensitivity(r=0.9) and high dark resistivity($P_d=10^{12}{\Omega}{\cdot}cm$). therefore, this four-layered photoconductor can be used for the target of color image pick-up tube.
The properties of digital X-ray detectors depend on the absorption extent of X-rays, the generated signal of each X-ray photon and the distribution of the generated signal between pixels. In digital X-ray detector with single layer, signal is generated by X-ray photon captured in photoconductor. In X-ray detector with multi structure that scintillator formed above the top of photoconductor, signal is generated both by X-ray photon captured each in scintillator and photoconductor. X-ray detector with multi structure is generated more signal than single layer detector. In this paper, we simulated absorption fraction of X-ray detector with multi-layer using Monte Carlo program. The results compared with single-layer detector to be formed scinillator or photoconductor.
본 연구에서는 Photoconductor materials 기반의 평판형 X-ray Detector film 제작에 관한 연구를 수행하였다. 기존의 광도전성 물질로 사용되어 오던 비정질 셀레늄(Amorphous seleinum; a-Se) 기반의 디지털 방사선 검출기 보다 높은 신호 및 동작 특성을 가지는 Mercury Iodide(HgI2)와 열적, 전기적 특성이 안정적이며, 소자의 동작특성이 우수한 Lead Oxide(PbO) 기반의 X-ray Detector film의 개발에 있어서 각각 HgI2 및 PbO 두 물질 층을 적정비율에 맞추어 제작함으로써 최적의 X-ray Detector를 구현하고자 하였다. 이는 빠른 영상획득을 통해 기존의 방식이 가지는 문제점을 해결하고 의료기기 디지털화를 구현할 수 있는 차세대 시스템을 개발하고자 하는 것이다. 본 연구에서는 기존의 진공증착법의 두꺼운 대면적 필름의 제조가 어려운 문제점을 해결하고자 Particle In Binder method(PIB) 방법을 이용하여 $3"{\times}3"$사이즈의 두께 $200{\mu}m$의 다결정의 Photoconductor 필름을 제조하여 전기적 특성을 평가하였다. 제작된 필름의 전기적 특성을 dark current, X-선 sensitivity와 SNR(Signal to -Noise Rate) 등을 측정하여 정량적으로 평가 하였다. 기준 실험으로 진행한 DG 2.1 바인더를 사용한 single-HgI2 층에서 보다 높은 sensitivity 값을 보였지만 높은 dark current로 인해 SNR이 떨어지는 결과를 볼 수 있었다. 본 연구에서 제시하는 두 Photoconductor material의 Soaking method를 이용한 실험에서는 single-HgI2에 해당하는 높은 sensitivity 및 저감된 dark current로 인해 높은 SNR 값을 획득하였다. 하지만 습도와 같은 주변 환경에 의한 재현성 문제로 인한 신호값의 불안정성에 대한 문제점도 남아 있으므로, 차후 최적화된 material 제작 공정을 위한 연구가 꾸준히 진행 되어져야 할 것이다.
유기광도전체에 있어서의 액정은 종래의 분자 배향성을 가지지 않는 비정성 고체계와는 달리 분자 배향성을 가지기 때문에 분자 사이의 질서도가 높아지게 되고, charge-carrier의 hopping을 방해하는 hopping site의 공간적인 틈이 작아져 고 이동도의 특성을 가질수 있다. 본 연구에서는 유기광도전체의 전하 수송층에 액정5CT를 혼합하여, charge-carrier수송특성에 있어서의 액정5CT의 영향을 관찰하였다. 액정5CT를 함유한 유기광도전체는 액정의 혼합비가 증가함에 따가 초기전위는 증가하였으며, 암감쇄는 감소하는 경향을 나타내었다. 감도는 5CT를 TNF와 OXD 각자에 대하여 40 wt%로 혼합한 시료의 경우에 가장 우수하게 나타났다. 형광거동을 관찰한 결과, 이는 전하수송재료와 액정5CT의 전하 수송착체에 의한 것으로, 액정5CT를 TNF와 OXD 각각에 대하여 40 wt%로 혼합한 시료의 경우가 다른 시료에 비해 전하 수송착체가 가장 잘 형성되어, 성공을 잘 수송하기 때문으로 나타났다.
Xerographic properties of double-layer photoconductor doped with 4-butyl-4'-methoxyazobenzene (BMAB) as charge-carrier transport material were investigated. BMAB can undergo reversible trans-cis isomerization by light with appropriate wavelength. In the results of measured surface voltage properties for photoconductor doped with BMAB, TNF: BMAB(4-wt%) sample with trans form showed the lowest dark decay, the lowest residual voltage, and the highest sensitivity among cis form. The trans isomer of BMAB has ordering orientation because the molecule possesses a rodlike shape, while the cis isomer has random orientation due to its bent shape. Therefore the molecular arrangement of trans form enhanced charge-carrier transport mobility.
진단방사선 분야에서는 진단 최적화를 위하여 자동노출제어장치의 활용이 국제적으로 권고되고 있다. 하지만, 기존의 상용화된 광도전체 센서는 제작 공정의 복잡하고 장시간 방사선에 노출될 경우 다양한 성능 저하가 발생하는 문제점이 있다. 이에 본 연구에서는 X-ray 흡수율이 높으면서도 제작이 용이한 장점을 가진 광도전체 기반 센서의 AEC 적용 가능성을 평가하고자 한다. 실험결과, SNR 증가를 통하여 우수한 검출 효율을 가지는 센서의 제작가능성을 확인하였고, 정확한 턴-오프가 가능할 것으로 사료된다. 또한 잠상 영상 및 투과율 실험 결과, 광도전체에 의한 Ghost effect가 나타나지 않음을 확인하였으며, PbO를 제외한 광도전체의 경우 80% - 90%의 우수한 투과율을 확인하였다. 그러므로 상용화된 기존 상품에 대비하여 도핑농도 변화에 따른 성능 저하 및 기계적 안정성이 뛰어나며 제작이 용이한 광도전체 기반의 센서는 AEC 센서로 적용이 가능할 것으로 기대된다.
$Hg_{1-x}Cd_{x}Te$ (MCT) was grown by hot wall epitaxy. Prior to the MCT growth, the CdTe (111) buffer layer was grown on the GaAs substrate at the temperature of $590^{\circ}C$ for 15 min. When the thickness of the CdTe buffer layer was $5{\mu}m$ or thicker, the full width at half maximum values obtained from the x-ray rocking curves were found to significantly decrease. After a good quality CdTe buffer layer was grown, the MCT epilayers were grown on the CdTe (111)/GaAs substrate at various temperatures in situ. The crystal quality for those epilayers was investigated by means of the x-ray rocking curves and the photocurrent experiment. The photoconductor characterization for the epilayers was also measured. The energy band gap of MCT was determined from the photocurrent measurement and the x composition rates from the temperature dependence of the energy band gap were turned out.
$\alpha$,$\beta$,$\varepsilon$ type copper phthalocy $\alpha$,$\beta$,$\varepsilon$ type copper phthalocyanine(CuPc) pigment was purified by a simple train sublimation technique. The layered photoconductor was made with $\varepsilon$ type CuPc as a carrier generation layer(CGL) and polyvinly carvazol(PVCz) as a carrier transport layer(CLT). A CGL of CuPc was electrochemical deposited on an Al substrate used as cathode in pigment dispersion solutions. a CTL of PVCz pwas spin coated on $\varepsilon$ type CuPc thin film by a spin coater. The effect of sonication time, electrophotographic property of the layered photoconductor were studied with surface coverage, surface potential and sensitivity.
The photosensitive properties and spectroscopic characteristics in the organic photoconductor(OPC) with carrier generation layer(CGL) of poly(vinylbutyral)(PVB) and polycarbonate(PC) doped with titanyl phthalocyanine(TiOPc) were investigated. The change of crystal structure of TiOPc dispersed with PVB and PC was shown by UV-visible reflective spectrum and FT-IR spectrum and mainly caused by the difference of solubility of solvent and the interaction between TiOPc and binder. The particle size of TiOPc dispersed with PVB measured by SEM was smaller than in PC. The crystal structure of TiOPc dispersed with PVB was amorphous type and in PC was $\alpha$type. It was found that the photosensitive properties of OPC were dependent on the change of absorbance and ionization potential of TiOPc occurred from the difference of crystal structure. In this work, the photosensitivity of OPC of TiOPc dispersed with PVB was better than PC due to the crystal type and the smaller particle size.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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