• 제목/요약/키워드: photo-current

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Evaluation of Thin-Film Photodevices and Development of Artificial Retina

  • Kimura, Mutsumi;Shima, Takehiro;Yamashita, Takehiko;Nishizaki, Yoshitaka;Hara, Hiroyuki
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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    • pp.1745-1748
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    • 2007
  • First, thin-film photodevices are evaluated, and a p/i/n thin-film phototransistor (TFPT) is recommended because the photo-induced current is relatively high and independent of the applied voltage. Next, an artificial retina is developed using the p/i/n TFPTs, and it is found that it can detect photo illuminance profile with sensitivity control.

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Detailed Analysis of the KAERI nTOF Facility

  • Kim, Jong Woon;Lee, Young-Ouk
    • Journal of Radiation Protection and Research
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    • 제41권2호
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    • pp.141-147
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    • 2016
  • Background: A project for building a neutron time-of-flight (nTOF) facility is progressing. We expect that the construction will start in early 2016. Before that, a detailed simulation based on the current architectural drawings was performed to optimize the performance of our facility. Materials and Methods: Currently, several parts had been modified or changed from the original design to reflect requirements such as the layout of the electron beam line, shape of the vacuum chamber producing a neutron beam, and the underground layout of the nTOF facility. Detailed analysis for these modifications has been done with MCNP simulation. Results and Discussion: An overview of our photo-neutron source and KAERI nTOF facility were introduced. The numerical simulations for heat deposition, source term, and radiation shielding of KAERI nTOF facility were performed and the results are discussed. Conclusion: We are expecting that the construction of the KAERI nTOF facility will start in early 2016, and these results will be used as basic data.

유화처리와 광CVD법 질화인막을 이용한 GaAs MISFET 특성 (Characteristics of Sulfide Treated GaAs MISFETs with Photo-CVD Grown $P_3$$N_5$ Gate Insulators)

  • 최기환;조규성;정윤하
    • 전자공학회논문지A
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    • 제31A권9호
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    • pp.72-77
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    • 1994
  • GaAs MISFETs, with photo-CVD grown P$_{3}$N$_{5}$ gate insulator and sulfide treatment, have been fabricated and showed the instability of drain current reduced less than 22 percent for the period of 1.0s~1.0${\times}10^{4}s$. The effective electron mobility and extrinsic transconductance of the device are about 1300cm$^{2}$/V.sec and 1.33mS at room temperature. The C-V characteristics of GaAs MIS Diode and AES analysis are also discussed with respect to effect of sulfide treatment conditions.

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염료감응 태양전지 모듈의 장기안정성 향상을 위한 실링기술 연구 (The Effect of Sealing Technology on the Long-Term Stability of Dye-Sensitized Solar Cell Module)

  • 이광수;고민재
    • Current Photovoltaic Research
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    • 제4권4호
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    • pp.155-158
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    • 2016
  • Long-term stability of dye-sensitized solar cell (DSSC) module is critical for the commercialization. We investigated the effect of sealing technology on the long-term stability of the $10cm{\times}11cm$ sized DSSC modules. We applied the concept of secondary sealing to the module and then performed several stability tests such as humidity cycle, 1 sun light soaking and outdoor stability tests. The enhanced stability was confirmed for the DSSC module employing optimized sealing materials and architectures.

Fabrication of a Hydrogenated a-Si Photodiode

  • Hur, Chang-Wu
    • Journal of information and communication convergence engineering
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    • 제1권1호
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    • pp.23-26
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    • 2003
  • A photodiode capable of obtaining a sufficient photo/dark current ratio at both a forward bias state and a reverse bias state is proposed. The photodiode includes a glass substrate, an aluminum film formed as a lower electrode over the glass substrate, an alumina film formed as a schottky barrier over the aluminum film, a hydrogenated amorphous silicon film formed as a photo conduction layer over a portion of the alumina film, and a transparent conduction film formed as an upper electrode over the hydro-generated amorphous silicon film. Growth of high quality alumina($Al_{2}O_{3}$) film using anodizing technology is proposed and analyzed by experiment. We have obtained the film with a superior characteristics

무독성 양자점 감응형 태양전지 연구동향 (Research Trends in Heavy-Metal-Free Quantum Dot Sensitized Solar Cells)

  • 김재엽;고민재
    • Current Photovoltaic Research
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    • 제3권4호
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    • pp.126-129
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    • 2015
  • Over the last two decades, quantum dot (QD) solar cells have attracted much attention due to the unique properties of QDs, including band gap tunability, slow hot electron cooling, and multiple exiton generation effect. However, most of the QDs employed in photovoltaic devices contain toxic heavy-metals such as cadmium or lead, which may limit the commercial application. Therefore, recently, heavy-metal-free QDs such as Cu-In-S or Cu-In-Se have been developed for application in solar cells. Here, we review the research trends in heavy-metal-free QD solar cells, mainly focusing on Cu-In-Se QD-sensitized solar cells (QDSC).

계통연계형 태양광발전 시스템을 위한 T-타입 타상 인버터에 관한 연구 (Study on T-Type Multi Level Inverter for UIPV System)

  • 바이스갈랑;류지수;이상호
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 2012년도 전력전자학술대회 논문집
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    • pp.313-314
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    • 2012
  • In this paper presents study of T-Type multi level inverter for utility interactive photo voltaic inverter. In order to increase efficiency and performance of utility interactive photo voltaic (UIPV) system, we propose multi level PCS topology, such as T-type inverter. The control algorithm for utility interactive inverter is implemented by simulation and experimentation, which includes dc-bus and midpoint voltage controller, ac-grid current controller and PLL algorithm.

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감광성 PVA 박막을 이용한 P3HT 유기박막트랜지스터의 포토리소그래피 패터닝과 패시베이션 (Photolithographic patterning and passivation of P3HT organic thin film transistors with photo-sensitive polyvinylalcohol(PVA) layers)

  • 남동현;한교용
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.191-191
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    • 2007
  • By employing a photo-sensitive PVA as a photoresist, we first demonstrated simultaneous patterning and passivation of P3HT active layer. The passivation layers were obtained by annealing the organic layers after developing PVA and over-etching the P3HT layer. The fabricated OTFTs were electrically characterized. The OTFTs after the passivation exhibited the field-effect of ${\sim}5.9{\times}10^{-4}cm^2/V{\cdot}s$, on/off current ratio of ${\sim}10^3$. The value of OTFTs a little degradation with time in air but it appeared different unpassivated OTFT.

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개선된 신경망과 사진 인증을 이용한 여권 인식 (Recognition of Passports using Enhanced Neural Networks and Photo Authentication)

  • 김광백;박현정
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제10권5호
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    • pp.983-989
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    • 2006
  • 현재의 출입국 관리는 여권을 제시하면 여권을 육안으로 검색하고 수작업으로 정보를 입력하여 여권 데이터베이스와 대비하는 것이다. 본 논문에서는 여권의 정보를 인식 할 수 있는 방법을 제안한다. 제안된 여권 인식 방법은 소벨 연산자와 수평 스미어링, 윤곽선 추적 알고리즘을 적용하여 코드의 문자열 영역을 추출한다. 추출된 문자열 영역을 이진화하고 이진화된 문자열 영역에 대해서 개별 코드의 문자들을 복원하기 위하여 CDM 마스크를 적용한 후에 수직 스미어링을 적용하여 개별 코드의 문자를 추출한다. 개별 코드의 인식은 ART2 알고리즘을 RBF 네트워크의 중간층으로 적용하고 중간층과 출력층의 학습에는 일반화된 델타 학습 방법으로 동작하는 RBF 네트워크를 적용한다. 사진 영역은 코드의 문자열 영역을 추출한 후에 코드의 문자열 영역이 시작되는 좌표를 중심으로 사진 영역을 추출한 후, Luminance, Edge, Hue 정보를 이용하여 사진 부분을 검증한다. 검증된 사진 부분 영상은 ART2 알고리즘을 적용하여 사진의 특징들을 분류하고, 이를 이용하여 사진 인증을 하게 된다. 제안된 방법의 성능을 확인하기 위해서 실제 여권 영상을 대상으로 실험한 결과, 제안된 방법이 여권 인식에 우수한 성능이 있음을 확인하였다.

LTPS TFT LCD 패널의 광 센서를 위한 dual slope 보정 회로 (Design of Readout Circuit with Dual Slope Correction for photo sensor of LTPS TFT-LCD)

  • 우두형
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제46권6호
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    • pp.31-38
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    • 2009
  • 휴대용 기기의 소비 전력을 낮추고 영상의 질을 개선하기 위해, 주변 밝기에 따라서 LCD 모듈의 백라이트를 조정하는 방법을 사용할 수 있다. 이를 효과적으로 구현하기 위해서 LCD 패널에 광 센서와 신호취득 회로를 집적하고자 했으며, LTPS TFT 공정을 이용하여 설계했다. 서로 다른 LCD 패널의 광 센서에 대한 특성 편차를 보정하기 위해 새로운 개념의 start-up 보정 방식을 제안하였다. 이와 더불어 광 전류 정보를 디지털 형태로 전달하기 위해 time-to-digital 방식을 사용하였으며, 이를 start-up 보정 방식과 효과적으로 결합하는 dual slope 보정 방법을 제안하였다. LTPS TFT 공정을 이용하여 최종적인 신호취득 회로를 구현하고자, 간단하고 안정적인 회로 구조와 타이밍을 제안하고 설계 및 검증을 진행했다. 설계한 신호취득 회로는 별도의 검사 설비 없이 광 센서 편차의 보정이 가능하며, 60dB 범위의 입력 광에 대해 10배수 구간 마다 4 단계의 디지털 데이터를 출력한다. 신호취득 속도는 100Hz이며, 디지털 변환의 선형 오차는 18% 미만이다.