위상이동 방법을 이용하여 Pd/0.5 M LiOH전해질 계면의 전극속도론적 패러미터를 정성적으로 해석하였다. 위상이동$(\phi)$은 음전위(E<0) 주파수(f)에 따르며, Pd음극에 흡착된 수소원자$(H_{ads})$의 표면피복율$(\theta)$ 반비례한다. 중간주파수 (10 Hz)에서 위상이동 변화$(\phi\;vs.\;E)$는 Frumkin흡착등온식$(\theta\;vs.\;E)$의 계산 및 도시에 사용할 수 있는 실험적인 방법이다. Pd/0.5 M LiOH전해질 계면에서 $1>{\theta}>0$에 따른 흡착자유에너지변화율(r),흡착평형상수(K),표준자유에너지$({\Delta}G_{\theta})$는 각각 22.3kJ/mol, $3.7\times10^{-3}{\Delta}G_{\theta}>-8.4kJ/mol$이다. 1$0.38>\theta>0$ 범위에서 수소원자 흡수에 기인한 에너지 방출 즉 발열반응이 Pd음극에서 있다. 전극속도론적 패러미터$(r,\;K,\;{\Delta}G_{\theta}$는 표면피복율$({\theta})$ 또는 위상이동$(\phi)$에 따른다.
기존 X-ray용 인버터의 경우, 일반적인 Full-bridge 인버터를 사용하여 낮은 효율이 발생하기 때문에 1.6kW이상의 고전압 출력을 요구하는 X-ray를 사용할 수 없는 문제점이 있다. 본 논문은 X-ray 구동용 인버터의 높은 출력이 가능한 고전압 출력용 ZVS Phase-Shift Full Bridge 인버터를 제안한다. 기존의 X-ray 구동용 인버터를 사용할 경우에는 낮은 효율 및 높은 출력 전압을 발생 시킬 수 없기 때문에 X-ray 발생이 어려우며, 높은 출력을 발생시키기 위해서는 회로의 전체적인 부피가 커지고 제작단가가 증가하는 단점이 있다. 반면 제안된 회로는 X-ray 구동용 ZVS Phase-Shift Full Bridge 인버터로써, 영전압 스위칭을 통해 높은 효율로 인버터 구동이 가능하고, 높은 출력 전압을 발생 시킬 수 있기 때문에 회로의 소형화 및 고출력 X-ray 발생이 가능한 장점을 갖는다. 본 논문에서는 제안된 회로의 이론적인 특성을 분석하고 모의실험을 통해 확인하였으며, 1.6kW급 X-ray 구동 인버터 회로에 적용하여 실험을 통해 우수성을 검증하였다.
In this paper, a full bridge edge-resonant zero voltage mode based soft-switching PWM DC-DC power converter with a high frequency center tapped transformer link stage is presented from a practical point of view. The power MOSFETS operating as synchronous rectifier devices are implemented in the rectifier center tapped stage to reduce conduction power losses and also to extend the transformer primary side power MOSFETS ZVS commutation area from the rated to zero-load without a requirement of a magnetizing current. The steady-state operation of this phase-shift PWM controlled power converter is described in comparison with a conventional ZVS phase-shift PWM DC-DC converter using the diodes rectifier. Moreover, the experimental results of the switching power losses analysis are evaluated and discussed in this paper. The practical effectiveness of the ZVS phase-shift PWM DC-DC power converter treated here is actually proved by using 2.5kW-32kHz breadboard circuit. An actual efficiency of this converter is estimated in experiment and is achieved as 97$\%$ at maximum.
일반적으로 자외선(UV)을 발생하기 위한 방전등 구동용 직류 전원장치는 하드 스위칭 모드로 동작되어지는 고주파 스위칭 DC-DC 컨버터가 사용되고 있다. 구체적으로 전원장치는 전자 노이즈 장해에 의한 전자 회로의 오동작이나 각 구성 소자의 발열의 문제 등이 시스템의 신뢰성을 저하시키는 원인이 되고 있다. 그러므로 본 논문에서는 소프트 스위칭 회로 기술을 사용한 고주파 링크 DC-DC 컨버터로서 먼저 구체적으로 1차측 위상 천이 PWM DC-DC 컨버터와 제안한 2차측 위상 천이 PWM DC-DC 컨버터를 조합하여 방전등 구동용 직류 전원장치를 제안하였다. 제안하는 방전등 구동용 직류 전원장치는 시뮬레이션과 실험을 통하여 그 타당성을 서술하였다.
본 논문에서는 고속 데이터 전송을 위한 UWB 시스템에 BPSK(Binary Phase Shift Keying)와 QPSK(Quadrature Phase Shift Keying)의 변조방식을 적용하고 고속 전송으로 발생 할 수 있는 높은 에러율을 감소시키기 위해 부호율(code rate)이 1/2 이고 구속장(constraint length)이 K=7인 convolution code를 적용하였다. 그리고 다중사용자의 접속으로 인하여 발생 할 수 있는 다중사용자 간섭을 고려하여 Time-hopping sequence를 적용하였으며, 수신단에서 viterbi decodig 알고리즘을 사용하여 수신된 신호를 복호함으로서 AWGN(Additive White Gaussian Noise) channel 환경에서의 UWB 통신시스템의 성능변화를 분석하였다.
전광위상천이스위치(All-optical phase-shift switch)에서 백 펨토초이하의 펄스폭을 가지는 두 극초단 직교펄스의 전파특성을 수치적으로 연구하였다. 이러한 전광스위치에서 자기라만산란 및 상호라만산란과 walk-off 효과를 고려하여, 솔리톤펄스와 고차솔리톤펄스간의 복잡한 비선형상호작용이 펄스의 형태변화, 펄스의 위상천이분포, 그리고 대조비등의 스위칭특성에 끼치는 영향들을 분석하였다. 특히 스위칭을 위해 필요한 walk-of f효과를 라만 walk-off효과에서 얻을 수 있기 때문에, 이러한 전광스위치에 전형적인 복굴절률(Δn = 2.4$\times$$10^{-5}$)을 가지는 광섬유를 사용해도 좋은 스위칭특성을 가짐을 보였다.
The present work was mainly concerned with studying the operation of RC-phase shift oscillator based on MOSFET type 2N6660 under the influence of different temperature levels ranging from room temperature (25 ℃) up-to135 ℃ and gamma-irradiation up-to 3.5 kGy. In this concern, both the static (I-V) characteristic curves of MOSFET devices and the output signal of the proposed oscillator were recorded under ascending levels of both temperature and gamma-irradiation. From which, it is clearly shown that the drain current was decreased from 0.22 A, measured at 25 ℃, down to 0.163 A, at 135 ℃. On the other hand, its value was increased up-to 0.49 A, whenever the device was exposed to gamma-rays dose of 3.5 kGy. Considering RC-phase shift oscillator, the oscillation frequency and output pk-pk voltage were decreased whenever MOSFET device exposed to gamma radiation by ratio 54.9 and 91%, respectively. While, whenever MOSFET device exposed to temperature the previously mentioned parameters were shown to be decreased by ratio 2.07 and 46.2%.
본 논문에서는 π의 위상천이를 얻기 위해 솔리톤펄스열(soliton pulse-train)에 의한 다중충돌방법과 광섬유접합(fiber-splicing)에 의한 다중충돌방법을 사용하는 전광위상천이스위치(all-optical phase-shift switch)에서 백 펨토초(femtosecond)이하의 펄스폭을 가지는 두 극초단 직교펄스간의 복잡한 비선형상호작용을 비선형라만응답함수를 고려하여 연구하였다. 또한 이러한 전광스위치에서 입사펄스의 시간폭의 변화와 광섬유의 복굴절률의 변화에 따른 스위칭특성을 분석함으로 해서 π의 위상천이를 얻기 위한 최적의 초기조건을 찾을 수 있었다.
본 논문에서는 버스트 모뎀에서 반복적인 프리엠블(preamble)과 차등 검출 방식을 이용하여 반송파와 타이밍을 동시에 복원하는 동기 검출 알고리즘을 제안한다 제안된 방식은 짧은 길이의 프리엠블과 낮은 SNR(signal-to-noise ratio)에서도 주파수 편차의 정도에 관계없이 주파수 편차와 심볼 타이밍 오차를 높은 정확도로 추정할 수 있으며 CPFSK(continuous phase frequency shift keying) 방식 및 PSK(phase shift keying) 유형의 방식에 적용이 된다 모의 실험을 통하여 제안된 동기 방식과 기존의 동기 방식들과의 방식들의 프리엠블의 길이에 따른 동기 검출 성능을 비교하고 비트 오류율에 미치는 영향을 분석한다.
본 논문에서는 독립적인 각각의 정보(Information:이하 Info)를 동시 전송하기 위한 I(동상)-Q(직교상)변조방식을 이용한 변조방식을 제안한다. 각 상에 각각의 정보(Info)의 1비트를 전송하는 경우, QPSK(Quadrature Phase Shift Keying)방식을 적용하고 2비트 이상을 전송할 경우, MAPSK(또는 MQAM)방식을 적용한 변조방식을 제안한다. APSK(Amplitude Phase Shift Keying)방식을 이용한 방식으로 적용된 제안한 QPSK(Quadrature Phase Shift Keying)와 MAPSK(Multiple Amplitude Phase Shift Keying)은 컴퓨터 가상실험으로 분석되었다. CDMA에 적용하기 위해서 MAPSK의 1차 변조파를 전송전에 의사잡음코드(Pseudonoise code)를 사용하여 2차 변조하여 확산한다. 본 논문은 컴퓨터 가상 실험을 통해서 각정보(Info)의 BER 성능을 제시하고 분석한다. 또한 시험용 변조기를 제작하여 확산전후의 전력 스펙트럼에 대해서 분석하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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