• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2003년도 춘계학술대회
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• pp.1296-1301
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• 2003

The chemical mechanical polishing(CMP) is necessarily applied to manufacturing the dielectric layer and metal line in the semiconductor device. The conditioning of polishing pad in CMP process additionally operates for maintaining the removal rate, within wafer non-uniformity, and wafer to wafer non-uniformity. But the fixed abrasive pad(FAP) using the hydrophilic polymer with abrasive that has the swelling characteristic by water owns the self-conditioning advantage as compared with the general CMP. FAP also takes advantage of planarity, resulting from decreasing pattern selectivity and defects such as dishing due to the reduction of abrasive concentration. This paper introduces the manufacturing technique of FAP. And the tungsten CMP using FAP achieved the good conclusion in point of the removal rate, non-uniformity, surface roughness, material selectivity, micro-scratch free contemporary with the pad life-time.

• 한국정밀공학회지
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• 제21권7호
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• pp.22-29
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• 2004

As a result of high integration of semiconductor device, the global planarization of multi-layer structures is necessary. So the chemical mechanical polishing(CMP) is widely applied to manufacturing the dielectric layer and metal line in the semiconductor device. CMP process is under influence of polisher, pad, slurry, and process itself, etc. In comparison with the general CMP which uses the slurry including abrasives, fixed abrasive pad takes advantage of planarity, resulting from decreasing pattern selectivity and defects such as dishing & erosion due to the reduction of abrasive concentration especially. This paper introduces the manufacturing technique of fixed abrasive pad using hydrophilic polymers with swelling characteristic in water and explains the self-conditioning phenomenon. And the tungsten CMP using fixed abrasive pad achieved the good conclusion in terms of the removal rate, non-uniformity, surface roughness, material selectivity, micro-scratch free contemporary with the pad life-time.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제12권6호
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• pp.2535-2542
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• 2011

본 논문에서는 해당 실무자들의 홈쇼핑 TV MD의 역할에 따른 제품선택 주관성을 진단하고, 기능적인 측면 에서 세부적인 유형적 효과요인들을 짚어봄으로써 향후 개선과 방향성을 알아보고자 한다. 분석한 결과, 이 논문에서는 홈쇼핑 TV MD의 역할에 따른 제품선택에 관하여 해당 실무자들의 주관적 성향을 살펴보기 위해서 Q방법론을 이용하였다. 분석된 결과, 총 4가지의 유형, 즉, 제 1유형[(N=9) : 무관계형(No-relationship Type)], 제 2유형[(N=3) : 경험지향형(Experience-oriented Type)], 제 3유형[(N=5) : 능력중심형(Ability-focus Type)], 제 4유형[(N=1) : 추진중시형(Drive-importance Type)] 등으로 분류되었다. 결과적으로, 앞으로 계량적인 실증적 연구와 소비자들의 의견을 종합한 비교와 대안책이 추가되어 진다면, 홈쇼핑 TV MD의 역할에 따른 제품선택에 관한 정책방향에 보다 심도 있는 연구 결과가 제시될 수 있을 것으로 예상된다. 또한, 이러한 연구의 한계를 보완하는 후속연구가 지속적으로 진행되어지기를 기대한다.

• 한국재료학회지
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• 제9권3호
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• pp.257-262
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• 1999

MOCVD를 이용하여 $SiO_2$로 패턴된 GaN/sapphire 기판상에서 $NH_3$유량과 성장온도가 GaN 성장의 선택성과 성장 특성에 미치는 영향을 조사하였다. $NH_3$유량을 500~1300sccm, 성장온도를 $950~1060^{\circ}C$로 변화시켜 성장변수에 따른 영향을 주사전자현미경으로 관찰하였다.$NH_3$유량이 증가할수록 성장선택성이 향상되었으나 기판윈도우에서 성장되는 GaN 형상변화에는 큰 영향을 미치지 못하였다. 성장온도가 높을수록 GaN의 성장선택성이 향상됨이 관찰되었다. 패턴 모양을 원형, 선형, 방사선모양(선형 패턴을 30, $45^{\circ}$로 회전)으로 제작하여 GaN 성장을 수행한 후 관찰한 결과 {1101}으로 이루어진 Hexagonal 피라밋 형상과 마스크층 위로의 측면성장을 얻을 수 있었으며, 성장조건에 따른 <1100>와 <1210>의 방향으로의 측면성장속도의 차이를 관찰할 수 있었다.

• 한국윤활학회:학술대회논문집
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• 한국윤활학회 2002년도 proceedings of the second asia international conference on tribology
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• pp.443-444
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• 2002

The uniformity of field oxide is critical to isolation property of device in STI, so the control of field oxide thickness in STI-CMP becomes enormously important. The loss of field oxide in shallow trench isolation comes mainly from dishing and erosion in STI-CMP. In this paper, the effect of slurries on the dishing was investigated with both blanket and patterned wafers were selected to measure the removal rate, selectivity and dishing amount. Dishing was a strong function of pattern spacing and types of slurries. Dishing was significantly decreased with decreasing pattern spacing for both slurries. Significantly lower dishing with ceria based slurry than with silica based slurry were achieved when narrow pattern spacing were used. Possible dishing mechanism with two different slurries were discussed based on the observed experimental results.

• 한국광학회지
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• 제8권3호
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• pp.241-244
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• 1997

체적 홀로그램을 저장하고 재생하는데 있어서 광섬유에서 유도되는 스페클 패턴을 이용하는 것을 제안하고, 이를 이론 및 실험적으로 연구하였다. 기준빔으로 광섬유에서 회절되는 스페클 패턴을 이용한 홀로그램 위치 다중화 구조는, 스페클 패턴의 상대적 위치 차이에 따라 상관 관계가 없어지는 특징을 이용하기 때문에 좋은 횡방향 위치 선택도를 가지게 하며 축방향 움직임에 대해서는 둔감한 안정성을 보여준다. 따라서 이러한 구조를 광 정보 저장 장치에 적용하면 저장 밀도를 높일 수 있으며 홀로그램 재생시의 안정도를 증가시킬 수 있다.

• 한국진공학회지
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• 제15권6호
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• pp.630-636
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• 2006

플래시 메모리 반도체의 고집적화와 고밀도화가 진행함에 따라 플래시 메모리의 트랜지스터 안 선폭을 중심으로 게이트 패턴의 미세화가 진행 중이다. 최근 100 nm 이하의 선폭을 구현하기 위해서 ONO(oxide-nitride-oxide)를 사용하기 위한 연구가 개발 중이고, 이러한 100 nm이하의 미세 선폭으로 갈수록 식각 속도와 식각의 프로파일은 중요한 요인으로 작용하고 있다. ICP 식각 장비를 이용하여, power를 50 W 증가 하였을 때, 각각 식각 속도와 포토레지스트와의 선택비를 확인 한 결과 platen power를 100 W로 올렸을 경우 가장 좋은 결과를 나타내었다. 100 W에서 HBr가스의 유량에 변화를 주었을 경우 가스의 양을 증가 할수록 식각 속도는 감소하였지만, 포토레지스트와의 선택비는 증가함을 보였다. 유도결합 플라즈마 식각 장비를 가지고 platen power를 100 W, HBr gas를 35 sccm 공급하여 하부 층에 노치가 형성이 안되고, 식각 속도 320 nm/min, 감광액과의 선택비 3.5:1, 측면식각 프로파일이 수직인 공정 조건을 찾았다.

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권11호
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• pp.48-53
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• 1997

Volume hologram was recorded using reference beam form optical fiber taper. A singel mode fiber was chemically etced to make a taper structure, and we showed experimentally that the referencing by the irregular beam pattern from this taper structure could increase the storage density of photorefractive volume hologram. The spatial selectivity of the volume hologram with this method was increased by two times compared to the normal single mode fiber referencing case. A theoretical analysis with randomly phased plane model also confirmed the results.

• 전자공학회논문지B
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• 제33B권10호
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• pp.130-138
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• 1996

In this paper, we propose a neural network which detect edges of different orentation and spatial frequency in arbitrary image data. We constructed the proposed neural network iwth two different types neural network. A diffusion network performs the gaussian operation efficiently by the diffusion process. And the spatial difference network has specially designed connections suitble to detect the contours of a specific oriention. Simulation results showed that the proposed neural network can extract the edges of selected orientation efficiently by applying the neural network to a test pattern and the real image.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2017년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.142-142
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• 2017

High Flory-Huggins interaction parameter (${\chi}$)를 가지는 polystyrene-block-dimethylsiloxane (PS-b-PDMS)는 초미세 패턴 제작과 우수한 defect density, 우수한 edge roughness 특성으로 향상된 패턴을 제공한다는 점에서 반도체 분야에서 많은 연구가 되고 있다. 하지만, PS와 PDMS 사이에 존재하는 큰 surface tension의 차이로 인해 PDMS는 PS와 air 사이에서 segregate되기 때문에 수직배향에 불리하여 high aspect ratio (HAR)을 가지는 cylinder, lamellar 패턴 제작에 있어 큰 어려움을 가진다. 본 연구에서는 이러한 문제를 해결하기 위해, PS-b-PDMS BCP 패턴과 하부 실리콘 기판 사이에 amorphous carbon layer (ACL)를 삽입하여 효과적으로 pattern transfer하는 공정을 연구하였다. 플라즈마를 이용하여 무한대에 가까운 etch selectivity를 가지는 식각 공정을 개발함으로써 낮은 aspect ratio를 가지는 PS-b-PDMS BCP 패턴의 한계점을 극복하였다. Large-x value를 가지는 BCPs를 이용하여도 매우 높은 aspect ratio를 가지면서 동시에 pattern quality를 향상시킬 수 있는 plasma process를 제시하였다.