• Tuberculosis and Respiratory Diseases
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• 제62권6호
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• pp.492-498
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• 2007

연구배경: 결핵균에 노출된 후 임상적 결핵으로 발병하는데 유전적 인자가 관여할 수 있으며, 치료 반응에도 숙주의 유전적 요인이 관여할 가능성이 있다. 이에 저자들은 NRAMP1 유전자 다형성을 감수성결핵과 다제내성결핵환자로 나누어서 비교하였다. 방 법: 100명의 약제감수성군, 102명의 다제내성군, 96명의 건강대조군을 대상으로 274C/T, 469+14G/C, 577-18G/A, 823C/T, A318V, 1465-85G/A, D543N, 1729+55del4 의 NRAMP1 유전자 다형성의 빈도를 중합효소 연쇄반응기법과 중합효소 연쇄반응-제한분절길이 다형성법을 이용하여 분석하였다. 결 과: NRAMP1 유전자의 D543N 이형접합체의 빈도는 건강대조군에 비해 약제감수성군에서 높았으나(OR=2.10, 95% CI=1.00 to 4.41, p=0.049) 다제내성군에서는 차이가 없었다. 823C/T의 이형접합체의 빈도는 건강대조군에 비해 약제감수성군(OR=2.79, 95% CI=1.11 to 7.04, p=0.029)과 다제내성군 (OR=3.30, 95% CI=1.33 to 8.18, p=0.010)에서 유의하게 높았으나 약제감수성군과 다제내성군 사이에는 유의한 차이가 없었다. 결 론: NRAMP1 유전자의 823C/T 이형접합체의 빈도는 약제감수성군과 다제내성군에서 유의하게 높아, 폐결핵의 발생과 연관되는 후보유전자일 가능성이 있으며 약제감수성결과에 따른 결핵이환에는 차이를 보이지 않았다.

• 한국재료학회지
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• 제29권7호
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• pp.456-462
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• 2019

ZnO thin-films are grown on a p-Si(111) substrate by RF sputtering. The effects of growth temperature and $O_2$ mixture ratio on the ZnO films are investigated by scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD), and room-temperature photoluminescence (PL) measurements. All the grown ZnO thin films show a strong preferred orientation along the c-axis, with an intense ultraviolet emission centered at 377 nm. However, when $O_2$ is mixed with the sputtering gas, the half width at half maximum (FWHM) of the XRD peak increases and the deep-level defect-related emission PL band becomes pronounced. In addition, an n-ZnO/p-Si heterojunction diode is fabricated by photolithographic processes and characterized using its current-voltage (I-V) characteristic curve and photoresponsivity. The fabricated n-ZnO/p-Si heterojunction diode exhibits typical rectifying I-V characteristics, with turn-on voltage of about 1.1 V and ideality factor of 1.7. The ratio of current density at ${\pm}3V$ of the reverse and forward bias voltage is about $5.8{\times}10^3$, which demonstrates the switching performance of the fabricated diode. The photoresponse of the diode under illumination of chopped with 40 Hz white light source shows fast response time and recovery time of 0.5 msec and 0.4 msec, respectively.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2010년도 추계학술대회 초록집
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• pp.50.2-50.2
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• 2010

Indium Tin Oxide (ITO)는 투과도가 높고, 전기 전도도가 뛰어나 TFT, 태양전지 등 여러 가지 산업에서 전극의 재료로 널리 사용되고 있다. 전극의 재료로써 가장 중요하게 고려되어야 할 사항 중의 하나는 전극과 접촉하는 물질과의 접촉 저항이다. 특히, 태양전지에서 높은 접촉 저항은 셀을 직렬저항 요소를 증가시켜 태양전지의 효율 저하를 가져 온다. 본 연구에서는 ITO를 실리콘 태양전지에 적용하기 위하여, ITO - n-type emitter간, ITO - Ag 간의 접촉 특성을 Transfer Length Method(TLM)을 통하여 분석하였다. p-type 실리콘의 전면을 도핑하여 pn접합을 형성한 후, 그 위에 ITO 패턴을 형성하여 ITO-emitter 간의 접촉 특성을 측정하였고, 두껍게 증착한 SiNx 박막 전면에 ITO를 증착한 후, Ag 패턴을 형성하여 ITO-Ag간의 접촉 특성을 측정 하였다. 측정 결과, ITO와 emitter 간의 접촉 비저항은 $0.9{\Omega}-cm^2 $을 나타내었고, ITO와 Ag와의 접촉 비저항은 $0.096{\Omega}-cm^2 $을 나타내었다.

• 한국재료학회지
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• 제9권12호
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• pp.1155-1159
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• 1999

플라즈마 화학증착 (PECVD) 장비를 이용하여 $SnO_2$ 투명전도막이 피막된 유리기판 위에 p-SiC/i-Si/n-Si 이종접합 태양전지를 제작하였다. p-SiC 층의 증착중에 기체조성 x=$CH_4/\;(SiH_4+CH_4)$의 변화에 대한 태양전지의 광기전 특성을 관찰하였다. 기체조성(x)이 0~0.4의 범위에서 p-SiC 창층의 광학적 밴드갭의 증가로 인하여 태양전지의 효율은 증가하였으나, 그 이상의 기체조성에서는 p-SiC/i-Si 계면에서의 조성불일치가 증가하여 태양전지의 효율이 감소하였다. 이러한 계면문제는 p-SiC 층과 i-Si 계면에서의 조성불일치가 증가하여 태양전지의 효율이 감소하였다. 이러한 계면문제는 p-SiC 층과 I-Si 층 사이에 I-SiC 완충층을 삽입함으로써 크게 감소하였다. 그 결과 유효면적이 $1cm^2$인 glass/$SnO_2$/p-SiC/i-SiC/i-Si/n-Si/Ag 구조의 박막 태양전지는 100mW/$cm^2$ 조도 하에서 8.6%의 효율을 나타내었다. ($V_{oc}$=0.85V, $J_{sc}$=16.42mA/$cm^2$, FF=0.615)

• 생물정신의학
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• 제2권2호
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• pp.237-247
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• 1995

도파민 $D_3$ 수용체 유전자와 정신분열증 병인과의 연관성을 밝히고자 본 연구에서는 한국에서의 정신분열증환자 66명과 정상대조군 76명에서 다형성의 분포를 PCR을 이용하여 환자대조연구 방법으로 조사하였다. 정신분열증환자에서 대립유전자 1의 빈도는 0.66이었고, 정상 대조군에서는 0.76이었다. 즉, 두군간에 대립유전자 1의 빈도에는 유의한 차이가 없었고, 양성 및 음성 증상군 척도평가에 의한 정신분열증의 양성아형과 음성아형간에도 유의한 차이가 없었다. 정신분열증 환지에서는 전체 66명중 동형 접합체가 43명으로 65.1%. 이형 접합체는 23명으로 34.9%였다. 정상 대조군에서는 전체 76명중 동형접합체가 54명으로 71.1%. 이형접합체는 28.9%였다. 이러한 결과는 이전의 정신분열증과 도파민 $D_3$ 수용체 유전자간의 연관관계를 연구한 외국의 연구결과와 일치하며 도파민 $D_3$ 수용체 유전자가 정신분열증 병인의 원인일 것이라는 가설을 뒷받침하지는 못하였다.

• Journal of Animal Science and Technology
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• 제46권4호
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• pp.547-554
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• 2004

텔로미어란 진핵세포에 존재하는 DNA-protein 복합체로서 염색체의 말단부에 tandem repeated DNA 서열(TTAGGG)n과 특정 단백질로 구성되어 있으며 세포 분열이 진행함에 따라 이의 길이가 짧아지게 되고 일정 길이 이하가 되면 세포의 사망이 유기된다. 텔로미어의 역할은 게놈의 보호자로서 염색체의 안정성에 본질적으로 작용할고 감수분열시 상동염색체간의 접합에 주된 작용을 하는 것으로 알려져 있다. 본 연구는 소와 돼지의 성축에 대한 텔로미디어의 핵형과 각 염색체상 텔로미어의 양적 분포 양상을 제시하고자 Holstein과 Landrace를 공시하고 이들로부터 섬유아세포 배양으로 중기상을 획득한 다음 human telomeric DNA probe를 이용하여 형광접합보인법(FISH)으로 분석하였다. 실험 결과 소와 돼지의 모든 염색체의 양 말단부에 뚜렷한 텔로미어 프로브의 접합 양상을 발견할 수 있었다. 소의 경우 염색체들 간 텔로미디어의 양적 변이가 나타났으며 돼지의 경우는 모든 분석된 세포에서 특이적으로 6q1의 위치에 interstitial telomere가 존재하였다. 양적형광접합보인법(Q-FISH) 분석 결과 일부 염색체에서 한쪽 말단의 텔로미어 함량이 유의적으로 높은 것으로 분석되었고, 전체적으로 거의 모든 염색체에서 소, 돼지 공히 q-arm 말단주의 함유율이 p-arm 말단부에 비해 높은 것으로 나타났다. 또한, 염색체상 텔로미어의 상대적 함유율은 소가 돼지에 비해 높게 나타났으며, 전체 염색체 중 텔로미어의 상대적 함유율은 소, 돼지 모두 Y 염색체에서 가장 높았다.

• Journal of Welding and Joining
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• 제21권1호
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• pp.107-113
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• 2003

Joining of $Si_3N_4$ to $Si_3N_4$ with crystallized glass solder was studied. $SiO_2-Al_2O_3-MgO$ glass with $P_2O_5$ as a crystallizing reagent was used as a solder. To improve the hish temperature toughness of joined specimen, two stage heat treatment was applied to Joined sample for the crystallization of joined layer, Two factors, i.e. thickness of soldered layer and crystallization were taken and thier effects on joining strength were investigated by a SEM-EDX observation of joined interface and bending strength both at room and elevated temperatures. Obtained results are summarized as follows: (1) Nitrogen diffused from $Si_3N_4$ to solder during the Joining process. Average amount of nitrogen in soldered layer depended on the thickness of the soldered layer and increased with decrease of the thickness. (2) Joining strength of the specimen having a thinner soldered layer was stronger than that of thicker layer. This can be mainly attributed to the difference of the nitrogen content in the soldered layer. (3) Higher content of nitrogen in solder brought forth higher viscosity of the solder. Hence the crystallization of the solder become more difficult in thinner layer of the solder than thicker one. (4) Thus, the effect of crystallization was evaluated mostly by the thicker layer specimen. Crystallization of soldered layer improved markedly the fracure strength of joining at higher temperatures than the softening temperature of glass solder.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2010년도 춘계학술발표대회
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• pp.12.2-12.2
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• 2010

반도체 소자, 바이오 센서, 태양전지 등에서 집적도 및 소자 성능 향상을 위해서 최근 실리콘 소재를 위주로 한 수직 정렬형 와이어 어레이와 같은 3차원 구조의 소재에 대한 연구가 많이 진행되고 있다. 깊은 반응성 이온 식각법(DRIE: Deep Reactive Ion Etching)과 같은 건식 식각법으로 종횡비가 높은 실리콘 와이어 어레이를 제작할 수 있지만 시간과 공정비용이 많이 소요된다는 단점이 있고 양산성이 없다. 이를 극복하기 위해서 VLS (Vapor-Liquid-Solid)방법이 연구되고 있지만 촉매로 사용되는 금속의 오염으로 인한 소자 성능의 저하를 피할 수가 없다. 본 연구진에서 연구하는 있는 전기화학적 식각법을 사용하면 이러한 문제를 극복하고 매우 정렬이 잘 된 실리콘 와이어 어레이를 제작할 수 있으며 최적 조건을 정립하면 균일하고 재현성 있는 다양한 종횡비의 기판 수직형 실리콘 와이어 어레이를 제작할 수 있다. 또한, 귀금속 촉매 식각법은 금속 촉매를 사용하여 식각을 하지만 VLS 방법과 달리 Top-down 방법을 사용하기 때문에 최종 공정에서 용액에 담구어 귀금속을 식각하여 제거 하면 귀금속 촉매가 실리콘을 오염시키는 일은 배제할 수 있다. 귀금속 촉매 식각법의 경우 사용되는 촉매의 다양화, 포토리소그래피 방법, 그리고 식각 용액의 조성 변화에 따라 다양한 형상의 와이어 어레이를 제작할 수 있으며 이에 대한 결과를 소개하고자 한다. 3차원 실리콘 와이어 어레이를 사용하여 동심원형 p-n접합 와이어 어레이를 제작하면 소수캐리어의 확산거리가 짧아도 짧은 동심원 방향으로 캐리어를 포집할 수 있고 태양광의 입사는 와이어 어레이의 수직 방향이므로 태양광의 흡수도 효율적으로 할 수 있기 때문에 실리콘의 효율 향상을 달성할 수 있다. 이에 대한 본 연구진의 연구결과 및 최근 연구 동향을 발표하고자 한다.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권8호
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• pp.80-90
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• 1994

The ultra shallow junction was formed by 2-step RTP. Phosphorus solid source(P$_{2}O_{5}$) was transfered on wafer surface during RTG(Rapid Thermal Glass Transfer) of which process condition was 80$0^{\circ}C$ and 60sec. The process temperature and time of the RTD(Rapid Thermal Diffusion) were 950~105$0^{\circ}C$ during 5~15sec respectively sheet resistances were measured as 175~320$\Omega$/m and junction depth and dopth and dopant surface concentration were measured as 0.075~0.18$\mu$m and 5${\times}10^{19}cm^{4}$ respectively. Ti-silicide was formed by 2-step RTA after 300$\AA$ Titanium was deposited. The 1st RTA (2nd RTA) was carried out at the temperature of $600^{\circ}C$(700~80$0^{\circ}C$) for 30 seconds (10~60 seconds) under N$_2$ ambient. Sheet resistances after 2nd RTA were measured as 46~63$\Omega$/D. Si/Ti component ratio was evaulated as 1.6~1.9 from Auger depth profile. Ti-Silicided n-p junction diode (pattern size : 400$\times$400$\mu$m) was fabricated under the RTD(the process was carried out at the temperature of 100$0^{\circ}C$ for 10seconds) and 2nd RTA(theprocess was carried out at the temperature of 750$^{\circ}C$ for 60 seconds). Leakage current was measured 1.8${\times}10^{7}A/mm^{2}$ at 5V reverse voltage. Whent the RTD process condition is at the temperature of 100$0^{\circ}C$ for 10seconds and the 2nd RTA process condition is at the temperature of 75$0^{\circ}C$ for 60 seconds leakage current was 29.15${\times}10^{9}A$(at 5V).

• 대한기관식도과학회:학술대회논문집
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• 대한기관식도과학회 1991년도 제25차 학술대회 연제순서 및 초록
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• pp.14-14
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• 1991

후두의 생리적 기능은 하기도를 보호하는 방어기능과 호흡기능 그리고 발성기능으로 대별할 수 있는데 이 가운데 계통발생적으로 가장 원시적이지만 중요한 기능은 하기도 방어기능으로 이는 다른 기능과 달리 전적으로 불수의적이고 반사적으로 이루어진다. 이 기능은 후두내 점막에 존재하는 촉각 수용체(tactile receptor)가 자극되면서 후두근육이 수축 반사를 일으켜 성문이 닫히는 성문폐쇄반사(glottic closure reflex)로서 다접합뇌간반사(polysynaptic brain stem response)이다. 현재까지 후두의 신경장애에서 그 부위나 정도 또는 신경재생 상태 등을 검사하는 방법으로 근전도검사가 주로 쓰여져 왔으나 그것이 주는 정보가 극히 제한되어 있다. 그러나 최근 청각뇌간유발반응과 같이 후두뇌간유발반응 이라 명명된 wave가 존재한다는 사실이 밝혀져 이에 대한 연구가 이루어지고 있어 이것이 임상에 쓰여질 수 있다면 현재 성문폐쇄반사의 소실이나 이상이 원인으로 사료되는 idiopathic laryngospasm, gastroesophageal reflux, spastic dysphonia, stuttering, sudden infant death syndrome과 같은 질환의 진단과 치료에 커다란 진전이 있을 것이다. 이에 저자들은 고양이 6마리를 이용하여 상후두신경을 전기적으로 자극하여 유발되는 반응을 far field recording을 이용 평균 가산법으로 그 wave를 측정하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. 상후두신경자극(2㎃, stimuli frequency 3/s, Band filter 320-1000, 0.2 ㎳ duration)에 의한 반회신경에의 유발 반응을 기록하였고 그 잠복시간은 평균 8.2 ㎳ 였다. 2. 상후두신경을 자극하여 후두뇌간유발반응을 기록하였고 후두뇌간유발반응은 4개의 양 wave와 4개의 음 wave로 구성되었다. 3. 각 wave의 평균 잠복시간은 P1은 0.8㎳, P2는 2.3㎳, P3는 3.6㎳, P4는 4.3㎳였고 N1은 1.5㎳, N2 은 2.7㎳, N3는 3.9㎳, N4는 5.5㎳ 였다.