• Journal of Chest Surgery
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• 제43권5호
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• pp.475-481
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• 2010

배경: 퇴행성 승모판막역류증으로 승모판막성형술을 받은 환자들 중에서 partial flexible band를 이용한 경우와 complete rigid ring을 이용한 경우의 중기 성적을 비교해 보고자 하였다. 대상 및 방법: 2004년 1월부터 2008년 9월 사이에 단독 승모판막역류증으로 승모판막수술을 받은 112명의 환자 중 퇴행성 질환으로 확진되고, 승모판막성형술 및 승모판막륜 링 삽입술을 시행 받은 71명의 환자(남:여=36:35, $55{\pm}13$세)를 대상으로 하였다. 환자들을 승모판막륜성형술에 partial flexible band를 이용한 I군(43명)과 Complete rigid ring을 이용한 II군(28명)으로 나누어 단기 및 중기 성적을 비교하였다. 두 군 간의 수술 전 특성에는 유의한 차이가 없었다. 추적관찰 기간의 중앙값은 36개월(2~69개월)이었다. 결과: 수술관련 사망은 없었으며, 심방세동(n=7), 저심박출 증후군(n=5)과 같은 수술 관련 합병증의 발생은 두 군 간 발생률의 차이가 없었고, II군에서 만기 사망이 1예 있었다. 4년 승모판막역류재발 자유 생존률은 I군과 II군에서 각각 94.5%와 91.8%였다(p=0.695). 좌심실 구출율은 수술 후 조기($7{\pm}2$일)에는 저하 되었고, 최종 추적관찰 시점($25{\pm}16$개월)에서 회복되었다(p=0.002). 이런 변화 추세는 양군에 차이가 없었다(p=0.905). 재수술은 3명의 환자(I군에서 1예, II군에서 2예, p=0.905)에서 시행되었다. 4년 판막 관련 사건 자유 생존률은 두 군 간에 차이가 없었다(I군 95.2% vs II군 92.6%, p=0.646). 결론: 승모판막륜 성형술에 사용되는 판막륜 링의 종류는 퇴행성 승모판막 역류증에 대한 승모판막 성형술의 중기 임상성적 및 기능결과에는 영향을 주지 않았다.

• 한국재료학회지
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• 제1권3호
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• pp.125-131
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• 1991

pMOS소자의 $p^{+}$게이트 전극으로 다결정실리콘과 비정질실리콘을 사용하여 고온의 열처리 공정에 따른 붕소이온의 침투현상을 high frequency C-V plot, Constant Current Stress Test(CCST), Secondary Ion Mass Spectroscopy(SIMS) 및 Transmission Electron Microscopy(TEM)를 이용하여 비교하였다. C-V plot분석 결과 비정질실리콘 게이트가 다결정실리콘 게이트에 비해 flatband전압의 변화가 작게 나타났으며, 게이트 산화막의 절연파괴 전하밀도에서는 60~80% 정도 향상된 값을 나타내었다. 비정질실리콘 게이트는 증착시 비정질로 형성되는 구조로 인한 얇은 이온주입 깊이와 열처리 공정시 다결정실리콘에 비교하여 크게 성장하는 입자 크기 때문에 붕소이온의 침투 경로가 되는 grain boundary를 감소시켜 붕소이온 확산을 억제한 것으로 생각된다. Electron trapping rate와 flatband 전압 변화와의 관계에 대하여 고찰하였다.

• Journal of Chest Surgery
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• 제30권1호
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• pp.17-26
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• 1997

경상대학교병원 흉부외과에서는 1988년 10월부터 1995년 12월까지 7년 2개월 동안 366례의 선천성 심장기형에 대한 수술을 시행하였다. 남자가 171례, 여자가 195례이었고, 생후 5일부터 64세에까지 분포하였으며 성인(만 15세 이상)이 80례이었다. 비청색증형이 313례(84.2%)이었으며 청색증이 53례(15.8%)이었다 전체 사망율은 10.4%이었는데, 6개월 미만 5)례 중 37%, 6개월과 1년 사이가48례 중 10.6%를 나타내어 12개월 미만 영아 사망율은 24.8%(25/101)이었으며, 50세 이상의 노년 환자 13례에서는 사망이 없었다. 비청색증군은 5.5%, 청색증군은 36.2%의 수술사망이 있었다. 수술사망율에 영향을 미치는 몇 가지 위험 인자들을 통계 분석하였다. 단변수 분석상 개심술의 사망율과 관계가 있는 위험 인자는 연령(p< 0.0001), 체중(p<0.0001), 체외순환시간(p< 0.0001) 및 심근허혈시간(p<0.0001), 완전순환정 지법의 이용 (P<0.0001)그리고 청색증질환(p<0.00이)이었다. 그러나, 다변량 분석상 개심술의 사망율과 관련이 있는 위험인자는 질환의 유형(p=0.002)이었고, 특히 활로4징증 이외의 청색증군이 사망율과 관련이 컸다 (odds ratio=15.3). 청색증군만\ulcorner 분석한 결과, 사망율의 위험인자로 단변수 분석상에서는 연령(p=0. 002)과 질환의 유형(p=0.008)이었으나, 다변량 분석에서는 질환의 유형(p=0.012) 뿐이었다. 저자들의 경험례 중 청색증군에서 사망율이 높았던 것은 질병자체의 영향임을 알 수 있었고,단변수 분석상 나타난 위험인자들 중 기술적 개선이 가능한 요인들에 대해서는 특별한 노력이 있어야 될 것으로 판단되는 것이다.

• 전기전자학회논문지
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• 제14권3호
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• pp.190-198
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• 2010

피에조소자를 구동하여 자동카메라의 초점을 자동으로 제어하는 시스템에서 피에조를 구동하는 집적회로를 설계하였다. 가공된 피에조에 변위를 만들기 위해서는 고전압 DC가 필요하다. 휴대형기기에서 사용하는 3[V]~4.2[V]정도의 낮은 전원전압을 약 80[V]로 승압하여 피에조 구동전압으로 제공하는 한편 입력되는 1[Vp-p]의 제어신호를 -20[V]에서 +80[V]까지 조절되도록 설계하였다. 또한 IC 외부에 적용되는 소자가 최소가 되도록 하여 시스템의 전체 크기를 줄일 수 있도록 하였다. 제어용 프로세서로 IIC(Inter-IC) 인터페이스를 적용하기 위하여 구동회로 내부에 IIC 인터페이스 디지털 로직을 내장하였는데, 이는 제품의 검증, 양산시 양품판정을 쉽게 해주는 장점이 있다. 제작공정은 AMIS 사의 I2T100 2P_3M 공정을 사용하였는데 0.6[um], 100[V]급 BCD공정이며, 6INCH 웨이퍼를 사용하였다. 전원전압 3.6[V], 소비전력은 약 40[mW]정도이다. 칩 사이즈는 1600*1500 [$um^2$]이며, 칩을 소형패키지에 내장하여 조립하였기 때문에 휴대형기기에 적용이 편리하게 되어있다.

• Asian Pacific Journal of Cancer Prevention
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• 제14권10호
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• pp.5883-5890
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• 2013

Previously, we demonstrated overexpression of semaphorin4D (SEMA4D, CD100) to be closely related to tumor angiogenesis in epithelial ovarian cancers (EOCs). However, the function and expression of SEMA4D in the EOC microenvironment has yet to be clarified in detail. In this study, we confirmed that overexpression of SEMA4D in primary tumors and ascites was related to low differentiation, platinum resistance and a refractory status (P<0.05), while high M2 macrophage count and percentage were evident in EOC patients with advanced FIGO stage and platinum resistance (P<0.05), using immunohistochemistry, enzyme-linked immunosorbent assay (ELISA), and fluorescence-activated cell sorting (FACS), respectively. The data showed correlations of SEMA4D expression and M2 macrophage counts in primary tumors and M2 macrophage percentage in ascites (r=0.281 and 0.355, each P<0.05). In the Cox proportional hazard mode, SEMA4D expression was an independent indicator of overall survival (OS) and progression-free survival (PFS) for EOC patients. Furthermore, higher expression of SEMA4D in ovarian cancer cell lines (SKOV3, A2780, and SW626) and their supernatants were found than that in a human primary cultured ovarian cell and its supernatant by reversed transcript PCR (RT-PCR), Western blotting and ELISA, respectively. Interestingly, peripheral blood monocytes (MOs) tended towards the M2-polarized macrophage phenotype ($CD163^{high}$) in vitro after human recombined soluble SEMA4D protein stimulation. These findings suggest that SEMA4D might possibly serve as a reliable tool for early and accurate prediction of EOC poor prognosis and could playan important role in promoting tumor dissemination and metastasis in the EOC microenvironment. Thus SEMA4D and its role in macrophage polarization in EOC warrants further study.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2013년도 춘계학술대회
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• pp.789-790
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• 2013

기존 MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) 소자의 게이트 산화막으로 사용된 $Er_2O_3/SiO_2$ 더블레이어 층은 낮은 누설전류와 높은 캐패시턴스를 갖는 장점을 가지고 있다. 본 논문에서는 이 더블레이어 층을 비휘발성 메모리 소자의 전하포획층으로 처음 적용하여 우수한 성능의 메모리 특성을 얻을 수 있었다. 소자를 제작하기 전에 EDISON Nanophysics 시뮬레이션을 통해 낮은 누설 전류값과 높은 캐패시턴스 값을 기준으로 하여 산화막 두께를 최적화하였다. 이 후, 최적화된 조건으로 금속실리사이드 소스/드레인, 10 um/ 10um의 채널 넓이/길이를 갖는 비휘발성 메모리 소자를 제작하였다. 그 결과, 11 V, 50 ms의 프로그램 특성, -11 V, 500 ms의 소거 특성 및 10년의 기억유지 특성, $10^4$의 내구성 특성을 얻을 수 있었다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2004년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.355-358
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• 2004

In this work, N-LDMOSFET(Lateral Double diffused MOSFET) was designed and fabricated on SOI(Silicon-On-Insulator) substrate, for such applications as motor controllers and high voltage switches, fuel injection controller systems in automobile and SSR(Solid State Rexay)etc. The LDMOSFET was designed to overcome the floating body effects that appear in the conventional thick SOI MOS structure by adding p+ region in source region. Also, RESURF(Reduced SURface Field) structure was proposed in this work in order to reduce a large on-resistance of LDMOSFET when operated keeping high break down voltage. Breakdown voltage was 268v in off-state ($V_{GS}$=OV) at room temperature in $22{\mu}m$ drift length LDMOSFET. When 5V of $V_{GS}$ and 30V of $V_{DS}$ applied, the on resistance(Ron), the transcon ductance($G_m$) and the threshold voltage($V_T$) was 1.76k$\Omega$, 79.7uA/V and 1.85V respectively.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.206.2-206.2
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• 2015

최근 비정질 산화물 반도체 thin film transistor(TFT)는 차세대 투명 디스플레이로 많은 관심을 받고 있으며 활발한 연구가 진행되고 있다. 산화물 반도체 TFT는 기존의 비정질 실리콘 반도체에 비하여 큰 on/off 전류비, 높은 이동도 그리고 낮은 구동전압으로 인하여 차세대 투명 디스플레이 산업에 적용 가능하다는 장점이 있다. 한편 기존의 sputter나 evaporator를 이용한 증착 방식은 우수한 막의 특성에도 불구하고 많은 시간과 제작비용이 든다는 단점을 가지고 있다. 따라서 본 연구에서는 별도의 고진공 시스템이 필요하지 않을 뿐만 아니라 대면적화에도 유리한 용액공정 방식을 이용하여 박막 트렌지스터를 제작하였으며 thermal 열처리와 microwave 열처리 방식에 따른 전기적 특성을 비교 및 분석하고 각 열처리 방식의 열처리 온도 및 조건을 최적화 하였다. 제작된 박막 트렌지스터는 p-type bulk silicon 위에 산화막이 100 nm 형성된 기판에 spin coater을 이용하여 Al-Zn-Sn-O 박막을 형성하였다. 연속해서 photolithography 공정과 BOE (30:1) 습식 식각 과정을 이용해 활성화 영역을 형성하여 소자를 제작하였다. 제작 된 소자는 Pseudo-MOS FET구조이며, 프로브 탐침을 증착 된 채널층 표면에 직접 접촉시켜 소스와 드레인 역할을 대체하여 동작시킬 수 있어 전기적 특성평가가 용이하다는 장점을 가지고 있다. 그 결과, microwave를 통해 열처리한 소자는 100oC 이하의 낮은 열처리 온도에도 불구하고 furnace를 이용하여 열처리한 소자와 비교하여 subthreshold swing(SS), Ion/off ratio, field-effectmobility 등이 개선되는 것을 확인하였다. 따라서, microwave 열처리 공정은 향후 저온 공정을 요구하는 MOSFET 제작 시의 훌륭한 대안으로 사용 될 것으로 기대된다.

• Molecules and Cells
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• 제23권1호
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• pp.100-107
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• 2007

The moss Physcomitrella patens has two life cycles, filamentous protonema and leafy gametophore. A modified from of suppression subtractive hybridization (SSH), mirror orientation selection (MOS), was applied to screen genes differentially expressed in the P. patens protonema. Using reverse Northern blot analysis, differentially expressed clones were identified. The identified genes were involved mainly in metal binding and detoxification. One of these genes was an AP2 (APETALA2) domain-containing protein (PpACP1), which was highly up-regulated in the protonema. Alignment with other AP2/EREBPs (Ethylene Responsive Element Binding Proteins) revealed significant sequence homology of the deduced amino acid sequence in the AP2/EREBP DNA binding domain. Northern analysis under various stress conditions showed that PpACP1 was induced by ethephon, cadmium, copper, ABA, IAA, and cold. In addition, it was highly expressed in suspension-cultured protonema. We suggest that PpACP1 is involved in responses to metals, and that suspension culture enhance the expression of genes responding to metals.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제9권4호
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• pp.169-172
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• 2008

We attempted to fabricate carbon nanotube field effect transistor (CNT-FET) using single walled carbon nanotube(SWNT) on the heavily doped Si substrate used as a bottom gate, source and drain electrode were fabricated bye-beam lithography on the 500 nm thick $SiO_2$ gate dielectric layer. We investigated electrical and physical properties of this CNT-FET using Scanning Probe Microscope(SPM) and conventional method based on tungsten probe tip technique. The gate length of CNT-FET was 600 nm and the diameter of identified SWNT was about 4 nm. We could observed gating effect and typical p-MOS property from the obtained $V_G-I_{DS}$ curve. The threshold voltage of CNT-FET is about -4.6V and transconductance is 47 nS. In the physical aspect, we could identified SWNT with phase mode of SPM which detecting phase shift by force gradient between cantilever tip and sample surface.