• Journal of the Korea Society of Computer and Information
• /
• v.15 no.12
• /
• pp.133-142
• /
• 2010

P-type fire control panel, currently in use, has a big hazard that can cause the large scaled human death tolls and property damage in the massive fire because it is difficult to identify in real time the location of fire outbreak and whether search-device are broken down or not. In this paper, I suggest that the integrated fire automation system on based p-type fire control panel should be used, which can detect in real time the signal that occur when whether search-device are broken down or not, and can detect the arisen circumstances information of p-type fire control panel on the fire signal in the far away. The devised systems have designed and embodied the analysis of circumstances information and module that can analyze the circumstances information from the p-type fire control panel and the part of internet access installment which can gather and deliver the circumstances information from the fire prevention facility receiver.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
• /
• 2007.11a
• /
• pp.105-106
• /
• 2007

p형 투명 전도막을 만들기 위해 박막화의 가능성 있는 벌크(bulk)상태의 p형 투명 전도 물질을 합성하고, 박막화 하여 p형 투명 전도 물질의 기초적 물성을 조사하여 p형 투명 전도 물질의 개발 가능성을 조사하였다. p-type $CAO_2$ 박막은 열처리를 통하여 얻을 수 있었다. $CAO_2$ 박막은 초기 증착 온도가 $650^{\circ}C$이하에서는 열처리를 통해서도 $CAO_2$상을 얻을 수가 없었고 오직 공기중 분위기에서만 c-axis 배향을 가진 $CuAIO_2$ 단일상 박막을 얻을 수 있었다. $CuAIO_2$ 단일상 박막은 2개의 상이 공존하고 있는 것으로 생각된다.

• Journal of the Korea Concrete Institute
• /
• v.16 no.4 s.82
• /
• pp.459-465
• /
• 2004

The present paper is intended to investigate the influence of materials such as cement, mineral admixture and aggregate, on the estimation of compressive strength by P type schmidt hammer. According to the results, the materials of concrete, such as the types of cement, the replacing ratio of mineral admixture, the kinds and maximum size of aggregate, hardly influence on non-destructive test by P type schmidt hammer except for alumina cement, hence, P type schmidt can be applicable to most of the concrete with a wide range. Since the correlativity between the rebound value of P type schmidt hammer and compressive strength is very favorable(above coefficient of correlation 0.96) regardless of materials, it is considered that compressive strength can be estimated comparatively exactly by P type schmidt hammer. The estimating formula of compressive strength by rebound value are derived from this experiment as following. $\cdot$Horizontal strike : Fc = 0.765RH - 5.74 (R=0.965) $\cdot$ Vertical strike Fc = 0.793RV - 8.66 (R=0.959)

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2011.08a
• /
• pp.374-374
• /
• 2011

Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) 박막 태양전지는 일반적으로 Soda lime glass/Mo/CIGS/CdS/ZnO/ITO/Al의 구조로 제작된다. 태양전지는 p형과 n형 반도체의 접합에 의해서 동작을 하게 되며, CIGS 박막 태양전지에서는 p형으로 CIGS 박막과 n형으로 CdS 박막이 사용된다. CIGS 박막태양전지에서는 p형과 n형이 서로 다른 물질로 이루어진 이종접합을 이루게 되고, 계면에서의 밴드가 어떻게 형성이 되느냐에 따라 태양전지 성능에 영향을 미치게 된다. p형의 CIGS 박막은 주로 다단계 증발법에 의해 형성되고 3단계 공정조건에 의해 계면의 특성에 많은 영향을 미치게 된다. n형의 CdS 박막은 주로 chemical bath deposition (CBD) 법에 의해 제작된다. 이렇게 제작되는 CBD-CdS는 시약의 농도, pH (수소이온농도), 박막 형성시의 온도 등의 조건에 따라 특성이 변하게 된다. 본 논문에서는 3단계 공정시간을 변화시켜 제작된 CIGS 박막 위에 CBD-CdS 증착 조건 중 thiourea 의 농도를 변화시켜 CIGS 태양전지를 제작하고 그에 따른 특성을 살펴보았다. CIGS 박막은 3단계 공정시간을 490초와 360초로 하여 제작하였고, CdS 박막은 thiourea 농도를 각각 0.025 M과 0.05 M, 0.074 M, 0.1 M로 변화시켜가며 제작하였다. 제작된 CIGS 박막 태양전지는 CIGS 3단계 공정시간과 thiourea의 조건에 따라 최고 15.81%, 최저 14.13%로 나타내었다. 또한, 외부양자효율을 측정하여 제작된 CIGS 박막 태양전지의 파장에 따른 특성을 비교하였다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
• /
• v.8 no.3
• /
• pp.213-217
• /
• 1997

We have measured photoluminescence (PL) and time-resolved PL in doped-GaAs. As increasing doping concentration, the PL spectra of n-type GaAs shift to higher energies while the PL spectra of p-type GaAs shift to lower energies than the bandgap of the undoped GaAs. The contribution of the Burstein-Moss effect overrules the band-gap narrowing in n-type GaAs, contrary to p-type GaAs. The PL rise time and decay time become shorter as increasing doping concentration. The PL rise and decay time in doped-GaAs depend on the type of majority carriers and their concentrations, which imply that the carrier-carrier interaction plays an important role in the energy relaxation processes.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2015.08a
• /
• pp.193.2-193.2
• /
• 2015

최근 3차원 반도체의 물질적인 한계를 극복하기 위해 2차원 전이금속 칼코게나이드(TMD)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 하지만 TMD 물질의 도핑 방법에 대한 수많은 연구에도 불구하고 대부분이 n채널 물질인 MoS2에 대한 것에 국한되어 있다. 게다가 이전의 TMD 도핑 기술 연구 결과는 채널이 도체화 될 정도의 매우 높은 농도의 도핑 현상만을 보여주었다. 이 연구에서 우리는 WSe2로 만든 p형 채널 트랜지스터에서 Octaecyltrichlorosilane(OTS)층의 농도 조절로 제어가 가능한 약한 농도의 p형 도핑기술을 보여준다. 이 p형 도핑 현상은 OTS의 메틸기(-CH3)그룹에 의한 양성 쌍극자모멘트가 WSe2내의 전자 농도를 낮추는데서 기인한다. 제어가 가능한 p형 도핑은 $2.1{\times}10^{11}cm^{-2}$ 사이에서 $5.2{\times}10^{11}cm^{-2}$로 degenerate되지 않은 정도로 WSe2 기반의 광, 전기적인 소자에서 적절한 농도로 최적화 될 수 있다. (도핑 정도에 따른 문턱전압 상승, 전류 on/off율 상승, 전계효과 이동도 상승, 광응답성 하락, 광검출성 하락) 또한 OTS에서 비롯한 p도핑 효과는 대기중에서 오랜시간이 지나도 작은 성능 변화만을 보여주며(60시간 후 18~34% 문턱전압 감소변화량) $120^{\circ}C$의 열처리를 통하여 저하된 성능이 거의 완벽하게 회복된다. 이 연구는 Raman 분광법과 전기적, 광학적 측정을 통하여 분석되었으며 OTS 도핑현상이 WSe2 박막의 두께와 무관함 또한 확인했다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
• /
• 2014.11a
• /
• pp.107-107
• /
• 2014

p형 자원 친화형 산화물 기반 능동형 층 성장에 대한 연구는 아직 개발 초기 단계이다. $Cu_2O$는 이러한 자원 친화형 저가 p형 산화물 중 하나로서 다양한 광학 응용분야에 있어 적용되고 있으며 특히 저가형 증착법인 전기증착법을 통해 형성시킨다면 가격 절감을 극대화 시킬 수 있다. 하지만 낮은 전도성으로 인해 전자소자에는 적용시키기 어렵다는 단점이 있기 때문에 본 연구팀은 5족 물질인 Antimony 를 $Cu_2O$의 p형 도펀트로 적용시켜 전기적 구조적 특성을 개선시키고자 하였다. 결과적으로 [111] 방향으로 높은 우선배향성을 갖고 전도성이 향상된 Sb-Cu2O 박막을 확인하였다.

• Journal of the Mineralogical Society of Korea
• /
• v.19 no.1 s.47
• /
• pp.7-14
• /
• 2006

Melting slag generated from the lots of municipal incineration ash, which causes the one of big urban problems in modern industrial society, was used as starting material for the hydrothermal synthesis of zeolite. P-type zeolite has been successfully synthesized by the combined process of both 'hydrogelation' and 'clay conversion' method. Commercial sodium silicate was used as Si source, and $NaAlO_2$ was prepared by the reaction in a $Na_{2}O/Al_{2}O_{3}$ molar ratio of 1.2. The optimum conditions for zeolite synthesis was found to be the $SiO_{2}/Al_{2}O_{3}$ ratio in the 3.2 and 4.2 range, the $H_{2}O/Na_{2}O$ ratio in the 70.7 and 80.0 range, and more than 15-hour reaction time at $80^{\circ}C$, In the synthesized zeolite, inhomogeneous melting slag particles were disappeared and homogeneous P-type zeolite crystal was grown. The cation exchange capacity of the synthesized zeolite was determined to be approx. 240 cmol/kg.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
• /
• v.19 no.1
• /
• pp.33-38
• /
• 2012

An in-plane thermoelectric sensor was processed on a glass substrate by evaporation of the n-type Bi-Te and p-type Sb-Te thin films, and its sensing characteristics were evaluated. The n-type Bi-Te thins film used to fabricate the inplane sensor exhibited a Seebeck coefficient of -165 ${\mu}V$/K and a power factor of $80{\times}10^{-4}W/K^2-m$. The p-type Sb-Te thin film used to fabricate the in-plane sensor exhibited a Seebeck coefficient of 142 ${\mu}V$/K and a power factor of $51.7{\times}10^{-4}W/K^2-m$. The in-plane thermoelectric sensor consisting of 15 pairs of the n-type Bi-Te and the p-type Sb-Te evaporated thin films exhibited a sensitivity of 2.8 mV/K.

• Proceedings of the KIEE Conference
• /
• 2009.07a
• /
• pp.1225_1226
• /
• 2009

유리 기판 상에 이중 게이트 절연막을 가지는 우수한 특성의 P형 엑시머 레이저 어닐링 (ELA) 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 제작하였다. 그리고 P형 짧은 채널 ELA 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 오프 상태 스트레스 하에서의 전기적 특성을 분석하였다. 스트레스하에서 긴 채널에서의 문턱 전압은 양의 방향으로 거의 이동하지 않는 (${\Delta}V_{TH}$ = 0.116V) 반면, 짧은 채널 박막 트랜지스터의 문턱 전압은 양의 방향으로 상당히 이동 (${\Delta}V_{TH}$ = 2.718V)하는 것을 확인할 수 있었다. 이런 짧은 채널 박막 트랜지스터에서 문턱 전압의 양의 이동은 다결정 실리콘 막과 게이트 산화막 사이의 계면에서의 전자 트랩핑 때문이다. 또한, 박막 트랜지스터의 누설 전류는 오프 상태 스트레스 하에서의 채널 영역의 홀 전하로 인하여 온 전류 수준을 감소시키지 않고 억제될 수 있었다. C-V 측정 결과는 계면의 전자 트랩핑이 드레인 접합 영역부근에서 발생한다는 것을 나타낸다.