• 한국재료학회지
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• 제8권11호
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• pp.1048-1054
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• 1998

Pt 상부 전극 증착온도가 Pb(Zr,Ti)$O_3$(PZT) 박막의 전기적 특성에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. Pt 상부 전극을 $200^{\circ}C$이상의 고온에서 증착하는 경우, Pt 전극의 하부에 위치한 PZT 박막은 강유전 특성이 심하게 저하되었으나, Pt 전극이 증착되지 않았던 부분은 강유전 특성이 저하되지 않았다. 이와 같은 현상이 발생된 것은 진공 chamber 내의 수증기가 Pt 상부전극의 촉매 작용에 의해 수소 원자로 분해되고, 이 분해된 수소 원자가 고온에서 Pt 하부의 PZT 박막 내로 확산해 들어가 PZT박막에 산소 공공을 만들어 내기 때문이다. Pt의 촉매 작용이 없이는 수증기의 수소 원자로의 분해가 어려우므로 Pt 전극이 덮여져 있지 않는 PZT 박막은 강유전 특성이 저하되지 않는다. 이러한 강유전 특성의 저하는 산소 분위기의 RTA(rapid thermal annealing)처리에 의해 회복이 되었다. 한편, 누설전류 특성은 Pt 상부 전극의 증착온도가 증가함에 따라 향상되는 특성을 보였다.

• 한국진공학회지
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• 제14권3호
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• pp.165-170
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• 2005

의료용 임플랜트의 혈액적합성 개선을 위하여 박막코팅에 대한 관심이 증대하고 있다. 특히 diamond-like carbon(DLC)과 titanium nitride(TiN) 박막은 우수한 화학, 물리적 성질은 물론 생체적합 특성까지 갖추고 있다. 따라서 이들 박막의 혈액 적합성과 물리적 특성과의 관개를 연구하기 위하여 박막표면의 모폴로지 및 젖음성과 fibrinogen흡착 특성을 비교 분석하였다. 혈액응고 원인이 되는 fibrinogen의 흡착량은 DLC보다 TiN의 경우가 적어, 보다 우수한 특성을 보였으며, 이것은 TiN박막 표면의 높은 친수성으로 인한 것으로 판단된다. 박막표면의 fibrinogen 흡착을 줄이기 위해 플라즈마 처리 및 노(爐) 열처리를 각각 수행하였다. 산소 플라즈마 및 열처리를 하였을 경우 DLC 박막은 큰 효과가 없는 반면 TiN 박막의 경우 fibrinogen 흡착량이 크게 줄어 보다 개선된 결과를 보였다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제6권2호
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• pp.51-56
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• 2005

Ferroelectric Bi$_{3.35}$Sm$_{0.65}$Ti$_{3}$O$_{12}$(BSmT) thin films were synthesized using a sol-gel process. Bi(TMHD)$_{3}$, Sm$_{5}$(O$^{i}$Pr)13, Ti(O$^{i}$Pr)4 were used as the precursors, which were dissolved in 2­methoxyethanol. The BSmT thin films were deposited on Pt/TiO$_{x}$/SiO$_{2}$/Si substrates by spin­coating. The electrical properties of the thin films were enhanced using rapid thermal annealing process (RTA) at 600 $^{circ}$C for 1 min in O$_{2}$. Thereafter, the thin films were annealed from 600 to 720 $^{circ}$C in oxygen ambient for 1 hr, which was followed by post-annealed for 1 hr after depositing a Pt electrode to enhance the electrical properties. X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) were used to analyze the crystallinity and surface morphology of layered perovskite phase, respectively. The remanent polarization value of the BSmT thin films annealed at 720 $^{circ}$C after the RTA treatment was 35.31 $\mu$C/cmz at an applied voltage of 5 V.

• 한국진공학회지
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• 제5권4호
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• pp.327-332
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• 1996

Tungsten(W) polycide gate 구조에서 $WSi_x$의 두께가 증가하면 열처리 공정 후 Gate oxide의 두께가 증가하며, 전기적 신뢰도가 열화 되는 현상이 발생한다. 이러한 특성 열화를 일으키는 지배적인 요인은 $WSi_x$ 증착 공정 중 유입되어 후속 열 공정에 의하여 gate oxide로 환산되는 fluorine인 것으로 밝혀졌다. 이러한 현상을 규명하기 위하여 fluorine ion implantation된 poly Si과의 특성을 비교하였으며, SIMS 및 단면 TEM을 이용한 미세 구조 연구를 실시하였다. 그러나 $WSi_x$의 두께가 600$\AA$ 이상부터는이러한 특성 열화가 포화되는 현상이 관찰되었다. 600$\AA$ 이상의 $WSi_x$ 두께에서는 미세 구조가 표면이 거칠고, porous한 phase로 구성된 상부 구조와 비교적 dense하고, 매끈한 계면 상태를 갖는 하부 구조로 이루어졌으며, porous한 표면 부위는 후속 열공정 중 oxygen-rich한 phase로 변하여 fluorine을 포획하여 oxide로의 확산을 억제하여 특성 열화가 포화되는 것으로 해석되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권11호
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• pp.1106-1112
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• 2003

$\beta$-FeSi$_2$의 열전물성에 있어서 산소의 역할을 규명하기 위해서, 고온상 ($\alpha$+$\varepsilon$)과 저온상 ($\beta$)-FeSi$_2$ 시료에 대해 산화처리에 따른 열전물성 측정 및 분석실험을 행하였다. 산화에 의해 소결밀도가 감소하였으며, 반도체상으로의 전이도 방해되었다. 모든 시료에서 도전율과 열전도율은 산화처리시간과 함께 감소하였다. 순수한 FeSi$_2$ 및 고온상 ($\alpha$+$\varepsilon$)을 산화처리한 시료 Seebeck 계수는 작은 양의 값을 나타낸 반면에, 저온상 ($\beta$)을 산화처리한 FeSi$_2$ 는 음의 값을 나타내었으며 약 500K 부근에서 최대값을 나타내었다. 또 산화시간과 함께 최대값도 증가하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1989년도 하계종합학술대회 논문집
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• pp.310-313
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• 1989

The semiconducting bodies were prepared by doping the bariume titanate with $Sb_2O_3,Nb_2O_5$and by subsequent sintering in air. The sintered bodies were annealed between $1100^{\circ}C$ and $1250^{\circ}C$ for 30 minutes to 2 hours in air. The resistivity was measured as a function of temperature from $20^{\circ}C$ to $240^{\circ}C$. The anomalous effect in resistivity occurred all of the $Nb_2O_5$ and $Sb_2O_3$doped barium titanate specimens, which were sintered in air atmosphere, and the most effective PTC effect occurred through 1 hour of sintering time at $1350^{\circ}C$ and 30 minute of annealing time at $1200^{\circ}C$. The resistivity - temperature characteristics seem to be intimately related to oxygen adsorption at grain boundaries and also to the thickness of insulating layers formed at grain boundaries during heat treatment.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권3호
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• pp.269-276
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• 2009

Antimony doped tin oxide ($SnO_2:Sb$) films, which are used as the front contact and back reflector of thin film solar cells, have been deposited by d,c, magnetron sputtering. The dependence of electrical and optical properties of the films on the preparation conditions, such as $O_2$ gas ratio, substrate temperature, annealing temperature was investigated. The sputter gas composition was found to affect the properties of the films. With incorporating $O_2$ gas, the electrical and optical properties of films significantly were improved. The minimum resistivity and optical transmittance over 80 % in visible region were obtained at the oxygen concentration of 30 %, When the substrate temperature was higher, the resistivity of $SnO_2:Sb$ films was decreased, while the absorption edge shifted to shorter wavelength, indicating higher optical band gap. Heat treatment over $600^{\circ}C$ resulted in poorer electrical and optical properties due to SnO phase (102) plane.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.552-552
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• 2012

We fabricated reduced graphene oxide field-effect transistor (RGO-FET) on glass for highly sensitive temperature and IR detection. The device has the channels of RGO responsive to physical stimuli such as temperature and IR. The RGO sensing layers are fabricated from exfoliated graphene oxide sheets that are deposited to form a thin continuous network by electrostatic assembly. These graphene oxide networks are reduced toward reduce graphene oxide by exposure to a hydrazine hydrate vapor. To improve performance and eliminate interferences from oxygen and water vapor absorption to electrical properties of RGO-FET, the sensor devices were encapsulated by the tetratetracontane layer after annealing treatment. The device with encapsulation layer showed lower hysteresis, improved stability, and better repeatability. The temperature response of RGO-FET is examined by measuring changing the temperature, the device exhibited the high sensitivity and repeatability even with the temperature interval of 1 K. We also demonstrated that our devices have capability of IR sensing.

• Journal of Magnetics
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• 제1권1호
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• pp.46-50
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• 1996

Highly oriented ${BaFe_{12}{O_{19}$ films were obtained by a KrF excimer laser ablation technique using (110)$(012){Al_2}{O_3}$(001)$(012){Al_2}{O_3}$ and $(012){Al_2}{O_3}$ substrates, respectively.The degree of alignment of more than 95% were achieved for (100) on (110)$(012){Al_2}{O_3}$ and (001)$(001){Al_2}{O_3}$ planes, and heteroepitaxial films of (114) on (012)$(012){Al_2}{O_3}$were possible to be grown with a lasing energy density of 6.67 J/$cm^2$ at an oxygen partial pressure ${PO_2}$ of 900 mTorr. The best magnetic properties were obtained from the as-deposited films at the substrate temperature of $700^{\circ}C$, and post annealing treatment was not needed to enhance the magnetic properties. Experimentally saturated magnetization ($4_pi M_S$) of 3600~3800 Gauss and coercivities $(H_c)$ of 3050~3080 Oe, which approach 85% of those of Ba-ferrite bulk composed of single domain particles, were obtained in this study.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1998년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.235-238
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• 1998

Ferroelectric $LiNbO_3$ thin films were grown directly on Si(100) substrates by 13.55MHz RF magnetron sputtering system using a ceramic target ($Nb_2O_5/Li_2C0_3$ = 51.4/48.6). Because high temperature process have to avoided to prevent degradation of the interface (insulator/Si), $LiNbO_3$ thin films were deposited below $300^{\circ}C$. After as-deposited films were performed RTA treatments in an oxygen ambient at $600^{\circ}C$ for 60s, electrical measurements performed films before and after anneal treatment. In high field region, the leakage current density of the films after annealing was deceased about 4order and the resistivity of these was increased to about 5\times 10^{11} \Omega \cdot cm$ at 500kV/cm. In accumulation region of C-V curve, we calculated dielectric constant of thin film $LiNbO_3$ as 27.9 which is close to that of bulk value.