A novel X-band high speed frequency sweep signal generator based on a tunable optoelectronic oscillator (OEO) incorporating a frequency-swept laser is presented and the theoretical fundamentals of the design are explained. A prototype of the generator with tuning range from 8.8552 GHz to 10.3992 GHz and a fine step about 8 MHz is achieved. The generated radiofrequency signal with a single sideband (SSB) phase noise lower than -100 dBc/Hz@10KHz is experimentally demonstrated within the whole tunable range, without any narrow RF band-pass filters in the loop. And the tuning speed of the frequency sweep signal generator can reach to over 1 GHz/s benefiting from applying a novel dispersion compensation modular instead of several tens of kilometers of optical fiber delay line in the system.
In this thesis, design of a VCO(Voltage controlled Oscillator) with a novel tuning mechanism is presented for the Radar system. This circuit, the 9.5 GHz oscillator is designed and implemented by restructuring microstrip resonator to raise Q value and to require a wide frequency tuning range. This product is fabricated on 2.6 Teflon substrate and device is NE722S01. In this paper, The new microstrip resonator VCO is proposed to achieve the characteristic of a wide frequency tuning range. This microstrip resonator VCO shows the phase noise characteristic of -108.3 dBc/Hz at 1 MHz offset from the fundamental frequency, the output power of 5.7 dBm and the second harmonic suppression of -38 dBc for the VCO are obtained. The manufacture VCO shows a frequency tuning range of 193.8 MHz. The proposed micro trip resonator VCO can be used for X-band Radar System with required tuning range.
Seong Joon Kweon;Seong Kyu Lim;Sang Woong Lee;Keuk Whan Ra
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.31A
no.5
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pp.58-67
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1994
In this paper, It was designed the 2.8GHz local oscillator which convert 14.5 14.8GHz uplink frequency to 11.7 12.0GHz downlink frequency by the receiving mixer on the communication satellite transponder according to the rating of domestic satellite. Mukunghwa 1. To prevent the variation of the communication channel bandwidth, it needs a high stability and low phase noise characteristics. So we designed to get the target frequencey by multipling the output signal from the crystal oscillator. We got the simplicity of the circuit by manufacturing the X4 multiplier with transistor which is ordinarily used as a device of a below X3 multiplier for the efficiency.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.14
no.1
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pp.131-137
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2014
A 120 GHz voltage controlled oscillator (VCO) with a divider chain including an injection locked frequency divider (ILFD) and six static frequency dividers is demonstrated using 65-nm CMOS technology. The VCO is designed based on the LC cross-coupled push-push structure and operates around 120 GHz. The 60 GHz ILFD at the first stage of the frequency divider chain is based on a similar topology as the core of the VCO to ensure the frequency alignment between the two circuit blocks. The static divider chain is composed of D-flip flops, providing a 64 division ratio. The entire circuit consumes a DC power of 68.5 mW with the chip size of $1385{\times}835{\mu}m^2$.
Journal of electromagnetic engineering and science
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v.10
no.1
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pp.35-38
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2010
A fully integrated parallel-coupled 6-GHz quadrature voltage-controlled oscillator (QVCO) has been designed. The symmetrical parallel-coupled quadrature VCO is implemented using 0.13-${\mu}m$ CMOS process. The measured phase noise is -101.05 dBc/Hz at an offset frequency of 1 MHz. The tuning range of 710 MHz is achieved with a control voltage ranging from 0.3 to 1.4 V. The average output phase error is about $1.26^{\circ}$ including cables and connectors. The QVCO dissipates 10 mA including buffer from the 1.5 V supply voltage. The output characteristic of the differential injection-locked frequency divider (DILFD), which has similar topology to the QVCO, is presented.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.07a
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pp.721-724
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2001
In this paper, we present the effect the length the MSL(Microstrip Line) on the oscillation characteristic of the fabricated VCOs(Voltage Controlled Oscillator) designed and analyzed by RF circuit simulator Serenade(ANSOFT Co.) and fabricated by screen printing method on the alumina substrate. We have fabricated VCOs with 3 different MSL length and each MSL length of the VCO is 140mi1, 280mil and 560mi1. The oscillation frequency of each sample(VCO) was tuned to UHF band(750MHz∼900MHz) varying the capacitance. The experimental result shows the phase noise -82∼-97[dBc/Hz] at a 50 [kHz] offset frequency, the pushing figure 94∼318[kHz] at 3${\pm}$0.15[V] and the harmonics 13∼21 [dBc] between MSL length 140mi1s and 560mi1. The frequency and output variation width are 779∼898[MHz], -36∼-33[dBm] at MSL length 140mi1; 818∼836[MHz], -27.19∼-27.06[dBm] at 280mi1;751.54∼751.198[MHz],-33.44∼ -33.31[dBm] at 560mi1. we examined 3 VCOs oscillation characteristic difference through comparison with phase noise, oscillation power and frequency by control voltage change, harmonics and pushing figure for each sample.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.52
no.11
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pp.536-543
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2003
In this paper, we describe a unique self oscillating and mixing (SOM) down-converter design using a modified defected ground structure (DGS). The proposed SOM converter is consisted of self-oscillator, which can produce negative resistance and select resonance frequency, RF matching circuit, and IF low pass filter. As the advantage of this SOM converter can mix LO and RF signals as well as inducing LO signal with only one active device. it is designed as a simple structure and the low cost. Also, there is easy advantage to be applied in RFIC/MMIC technology because it offers excellent phase noise performance in spite of using micro-strip structure. The LO signal for the proposed SOM converter is designed at 1㎓ and RF frequency was chosen to be 800MHz. The achieved conversion loss and phase noise performances of the implemented SOM converter are 15㏈ and -95dBc/Hz at 100KHz offset frequency respectively. The equivalent circuit parameters for DGS are extracted by using a three dimensional EM simulator and simple circuit analysis method.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SC
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v.42
no.1
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pp.23-31
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2005
Recently, the multimedia and high speed telecommunication systems needs a high frequency and high stability oscillator. The VCXO(voltage controlled -crystal oscillator) have continually downsized to gratify a thin and small size of the telecommunication systems. In his paper, we have developed the small ceramic PECL(positive emitter-coupled logic) VCXO of the 5×7 mm size for gratifying the requested specifications from user, and then use the multilayer ceramic SMD(surface mounted device) package technology. The ceramic SMD PECL VCXO is operating at the 3.3 Voltage and have the frequency range of 120MHz~180MHz. The Q factor is over 5K and it has the low jitter characteristics of 3.5 ps and low phase noise.
In this paper, the output power level and phase noise property of nine conventional push-push FET DROs (Dielectric Resonator Oscillator) have been experimentally investigated by adding one more identical DR at the drain port. The nine oscillators designed to generate 20 GHz from 10 GHz fundamental frequency, have been tested for each of three different power combiners at the output port. It has been observed that the output power level of the push-push FET DROs can be improved by placing the DR while maintaining their phase noise characteristics were approximately the same as before adding the DR.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.24
no.2
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pp.325-328
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2020
This paper demonstrated a voltage-controlled oscillator (VCO) using cost-effective (1-poly 6-metal) mixed signal standard CMOS process. To have the high-quality factor inductor in LC resonator with thin metal thickness, patterned-ground shields (PGS) was adopted under the spiral to effectively reduce the ac current of low resistive Si substrate. And, because of thin top-metal compared with that of RF option (2 ㎛), we make electrically connect between the top metal (M6) and the next metal (M5) by great number of via array along the metal traces. The circuit operated from 2.48 GHz to 2.62 GHz tuned by accumulation-mode varactor device. And the measured phase noise of LC VCO has -123.7 dBc/Hz at 1MHz offset at 2.62 GHz and the dc-power consumption shows 2.07 mW with 1.8V supply voltage, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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