• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.299-299
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• 2014

기존의 고출력 광원들이 환경문제 등으로 외국에서 규제대상으로 지정되고 있는 가운데고체 상태의 광원인 Light-emitting diode (LED)는 기존의 광원에 비해 에너지 절감효과 크기 때문에 인해 널리 사용되고 있는 추세이다. 대부분의 백색 LED의 경우 청색 LED에 황색 형광체를 사용하는 것이 일반적이다. 그러나 이의 경우 빛의 흡수와 재방출 과정에서 생기는 에너지 변환손실의 문제가 불가피하다. 또한, 두 종류의 색을 섞어서 나타나는 낮은 연색성의 문제가 있고 사용할 수 있는 형광체의 종류와 조합도 일본 등 해외에 출원된 특허권으로 연구개발에 어려움이 있다. 이를 해결하기 위해 본 연구에서는 형광체를 사용하지 않는 단일 백색 LED를 개발을 위하여 극성과 반극성을 조합한 구조를 연구하였다. Photo-lithography를 이용하여 다양한 크기와 구조의 홀 패턴을 얻을 수 있었으며, metal organic chemical vapor deposition을 이용하여 다양한 형태의 피라미드 구조를 성장할 수 있었다. 패턴의 홀 크기와 홀 사이의 간격을 조절하면서 성장을 진행 하였고, 그 결과 pyramid와 truncated pyramid 모양의 GaN 구조를 성장할 수 있었다. [그림 1] Pyramid 구조의 반극성 면과 truncated pyramid 구조의 극성 면사이의 성장속도 차이 때문에 양자우물의 두께가 달라짐을 확인하였다. 이로 인해 양자구속효과가 달라져 다른 파장의 발광을 기대할 수 있었다. 뿐만 아니라 In의 확산거리가 Ga보다 길어서 홀사이 간격을 달리하면 In조성비가 달라지는 효과가 있음을 확인하였고 다양한 홀 사이 간격으로부터 각기 다른 파장의 발광을 얻을 수 있었다. 파장을 조금 더 상세하게 분석하기 위하여 Photoluminescence과 Cathodoluminescence을 사용하였다. 이로써 여러 파장을 발광하는 패턴을 섞어 넓은 영역의 발광 스펙트럼을 만들었다. 특히 패턴을 섞는 방법도 홀과 에피 구조를 섞는 방법, 크기가 다른 홀 패턴을 배열하는 방법등 다양히 하며 가장 좋을 패턴을 연구하였다. 그리하여 최적의 패턴과 구조, 성장조건을 찾아 백색의 CIE 좌표값을 얻을 수 있었다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.49 no.3
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• pp.325-329
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• 2011

$Ir(pmb)_{3}$(Iridium(III)Tri(1-phenyl-3-methylbenzimidazolin-2-ylidene-$C,C^{2'}$ ) was synthesized to develop a deep blue-emitting Ir(III) complex. We suggested the ultrasonic reactor to enhance the poor reaction yield of $Ir(pmb)_{3}$. The ultrasonic wave enhanced the reaction yield of $Ir(pmb)_{3}$ because the ultrasound helped non-soluble reactants disperse efficiently and produced free radial during the reaction. The maximum yield of $Ir(pmb)_{3}$ was 42.5%, which was 4 times higher than conventional method. Organic light emitting devices were fabricated with the synthesized mer-$Ir(pmb)_{3}$ which emitted at 405 nm. A range of host materials with large bandgaps (UGH2, mCP and CBP) were tested for developing a deep blue emitting device. In case of the device with mCP as the host material, it emitted deep blue and performed quite well relative to the other host materials tested.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.18 no.10
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• pp.945-949
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• 2005

We have grown GaN layers with in-situ SiN mask by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) and study the physical properties of the GaN layer. We have also fabricate PN junction light emitting diode (LED) to investigate the effect of the SiN mask on its optical property By inserting a SiN mask, (102) the full width at half maximum (FWHM) decreased from 480 arcsec to 409 arcsec and threading dislocation (TD) density decreased from $3.21{\times}10^9\;cm^{-2}$ to $9.7{\times}10^8\;cm^{-2}$. The output power of the LED with a SiN mask increased from 198 mcd to 392 mcd at 20 mA. We have thus shown that the SiN mask improved significantly the physical and optical properties of the GaN layer.

• Journal of the Korean Applied Science and Technology
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• v.21 no.4
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• pp.274-278
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• 2004

In this study, hetero-electrode structures have been fabricated to increase luminescence efficiency. The presence of a thin layer of Sn or Ag at the organic-aluminum interface enhanced both electron injection efficiency and electroluminescence when compared to OLEDs using homogeneous electrode. In this paper, the effect of the cathode using Sn/Al hetero electrode structure is observed. Electric properties of the OLED using Sn/Al hetero cathode are improved in comparison of only Al cathode. The hetero-electrode existing different energy level induces the advanced structure of OLED can accumulate electron density. The luminescence efficiency of OLED with Sn/Al of Ag/Al cathode is higher because of their higher electron injection efficiency. And, the turn on voltage of the OLED device using Sn thin layer is lowest as about 10 V.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.05a
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• pp.51-52
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• 2015

Organic light emitting diode (OLED) 나 organic photovoltaic device (OPV)와 같은 유기소자에 전극으로 쓰이고 있는 indium tin oxide (ITO)는 유연한 디바이스에 적용하기에는 유연성이 떨어진다는 문제가 있다. 이를 해결하기 위해서 ITO를 대체할 수 있는 CNT, Graphene, AgNWs, 전도성 고분자 등의 투명전극에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 CNT, Grapene, 전도성 고분자는 여전히 전기적 특성이 좋지 못하기 때문에 차세대 투명전극으로 사용되기는 어려움이 있다. 반면에 AgNWs는 용액공정으로 제조 단가가 비교적 저렴하며, 높은 전기전도도 특성과 우수한 유연성을 가지는 투명 전극이기 때문에 많은 주목을 받고 있다. 그러나 NW-NW간의 접촉저항이 높아 전도성이 저하된다는 문제점과 Environmental stability가 좋지 못하다는 단점이 여전히 존재한다. 본 연구에서는 AgNW 전극 위에 플라즈마처리를 진행하여 AgNW의 전도성과 Stability를 향상시키고자하였다. 플렉서블한 PET기판위에 AgNW 전극을 Spray Coating하여 균일하게 전극을 형성하였고, 플라즈마 처리를 통해서 기판의 변형없이 AgNW의 저항을 45%이상 향상시켰으며, Stability 또한 아무것도 처리하지 않은 AgNW에 대비하여 2배 이상 향상된 것을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.448-448
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• 2007

OLED has many advantages of low voltage operation, self radiation, light weight, thin thickness, wide view angle and fast response time to overcome existing liquid crystal display (LCD)'s weakness. Therefore, It draws attention as promising display and has already developed for manufactured goods. Also, OLED is regarded as a only substitute of flexible display with a thin display. However, Indium tin oxide(ITO) thin film for electrode of OLED shows a low electrical properties and is impossible to deposit at high thermal condition because electrical characteristics of ITO is getting worse. One of the ways to realize an improved flexible OLED is to use high internal efficiency electrodes, which have higher work function than those single layer of ITO films of the same thickness. The high internal efficiency electrodes film is developed with structure of nickel oxide for bottom Emission Type of OLED.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.413-413
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• 2007

In recent years, flexible display devices such as liquid crystal display (LCD), organic light emitting diode (OLED), etc. have attracted considerable interest in a wide variety of applications. Polymer substrate is absolutely necessary to realize this kind of flexible display devices. Using the polymer as a substrate, there are lots of advantages including not only mechanical flexibility such as rolling and bending characteristics but also light weights, low cost and so on. In detail, thickness and weights is only one forth and one second of glass substrate, respectively. However, it needs low temperature below $150^{\circ}C$ in the fabrication process comparing to conventional deposition process. The polymer substrate is not thermally stable as much as the glass substrate so that some deformation can be occurred according to variation of temperature. In particular, performance of devices can be easily deteriorated by shrinkage of substrate when heating it. In this paper, pre-annealing and deposition of buffer layer was introduced and studied to solve previously mentioned problems of the shrinkage and followed shear stress.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.11a
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• pp.25-27
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• 2007

$Eu^{2+}$-doped $Ca_2Si_5N_8$ was grown on Si(100) substrate using metal-organic deposition (MOD) method and post-annealed at $900^{\circ}C$ in various atmosphere. Luminescence properties of these thin films were investigated with variations of $Eu^{2+}$-doped concentrations and annealing atmosphere. Thin film was formed with clean surface and uniform thickness of about 72 nm. From the measurements of luminescence properties of thin films, film must be post-annealed in nitrogen or mixture of nitrogen and hydrogen atmosphere to emit a sufficient light. For $Ca_{1.5}Eu_{0.5}Si_5N_8$ thin film annealed at $900^{\circ}C$ in nitrogen atmosphere, excitation band from 380 to 420 nm was detected with the maximum intensity at 404 nm and two broad emission bands from 530 to 630 nm were observed. These broad excitation and emission bands must be attributed to the nitrogen incorporations into the films. From the results, $Ca_{2-x}Eu_xSi_5N_8$ thin film has probability for next generation thin film lighting applications such as light emitting diode (LED) or electro-luminescence (EL).

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.21 no.6
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• pp.328-332
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• 2012

The work function of Ag (silver) is too low (~4.3 eV) to be used as an electrode of T-OLED (Top Emission Organic Light Emitting Diode). To solve this weakness, researches used plasma-, UV-, or thermal treatment on Ag films in order to increase the work function (~5.0 eV). So, most of studies have focused only on the work function of various treated Ag films, but studies focusing on nanomechanical properties were very important to investigate the efficiency and life time of T-OLED etc. In this paper, we focused on the mechanical properties of the Ag and $AgO_x$ film. The Ag was deposited on a glass substrate with the thickness of 150 nm by using rf-magnetron sputter with the power was fixed at 100 W and working pressure was 3 mTorr. The deposited Ag film was UV treated by UV lamp for several minutes (0~9 min). We measured the sheet resistance and mechanical property of the deposited film. From the experimental result, there were some differences of the sheet resistance and surface hardness of Ag thin film between short time (0~3 min) and long time UV treatment. These result presumed that the induced stress was taken place by the surface oxidation after UV treatment.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2005.05a
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• pp.159-162
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• 2005

전자빔을 이용하던 CRT(Cathode Ray Tube) 모니터에서 픽셀단위의 LCD(Liquid Crystal Display) 디스플레이 사용으로 휴대용 정보처리 장치들은 급속한 발전을 이루게 되었다. 기존의 CRT 모니터에서 전자빔을 사용하던 방식에서 픽셀(Pixel) 단위의 후면발광 디스플레이를 만들면서 CRT 모니터보다 빠른 응답특성을 나타내며 저 전력일 뿐만 아니라 디스플레이의 두께도 줄일 수 있게 되었다. 휴대가 가능한 디스플레이의 발전으로 노트북이나 PDA와 같은 실시간 정보를 활용 및 처리 할 수 있는 방법들을 제시할 수 있었지만 원활한 활용을 위해 더 적은 전력을 사용하는 방법들이 제시되어야 했다. 이에 따라 저 전력 소모, 빠른 응답특성, 넓은 시야각 그리고 경량화가 가능한 디스플레이가 되기 위한 새로운 디스플레이가 선을 보이게 되었다. 현재 차세대 디스플레이로 각광을 받고 있는 디스플레이 소자로는 OLED(Organic Light Emitting Diode)가 있다 이는 LCD 디스플레이가 가지고 있는 단점을 보완하여 우선적으로 높은 색도가 가능하며 후면발광을 사용하지 않고 자체 발광을 하기 때문에 저 전력 소모가 현실화되었다. 또한 디스플레이의 유동성이 가능하여 휘어질 수 있는 특성을 가지고 있다. 그러나 이러한 유기발광 소자의 경우 높은 발광 효율을 위한 구조적 개선이 필요하며 소자의 수명도 개선해야 한다. 이에 따라 유기발광 소자의 메카니즘에 대한 파악이 필요하게 되며 물리적 구조에 대한 이해가 필요하다. 이를 위해 물리적, 수치적 해석으로 소자의 특성을 파악해 줌으로써 개선된 유기발광 소자 제작이 가능 할 것이다.기에 대한 영향정도를 측정하여 정량적으로 도출하였다. 이를 각 구간에 대해 상호 비교 분석함으로써 대형국책사업에서의 공기지연인자에 대한 분석 방법론을 정립하였고 공기지연 분석 방법론의 현실적 적용을 위한 제언과 그에 따른 개선사항에 대해 도출하였다.있는 발판을 마련하게 된다고 추정하였다. 0.5%가 control사이에서 0.95로 가장 색차가 크게 나타났으며, 그 다음이 냉동분쇄 0.5% 0.83으로 나타나 송이의 첨가율이 높을수록 색차가 크게 나타나는 것을 알 수 있다. 색차가 가장 낮은 제품은 법동분쇄 0.3%, 동결건조 0.3%로 나타났다. 송이양갱의 색(color), 냄새(flavor), 맛(taste), 외관(appearances), 질감(viscosity), 종합적 평가(overall acceptability) 등의 관능평가를 실시한 결과 중 색에 대한 기호도는 냉동분쇄 0.1% 송이양갱이 가장 높은 것으로 나타났으나, 집단간 유의한 차이는 나타나지 않았고, 냄새는 동결건조 0.1%의 송이양갱이 3.38로 가장 점수가 높았으며, 냉동분쇄 0.3%의 송이양갱이 2.81로 가장 낮은 기호도를 나타내었다. 맛에서는 p<0.01수준에서 집단간 유의한 차이를 나타내었는데, 동결건조 0.1%가 그 중 가장 높은 기호도를 나타내었으며, 그 다음이 동결건조 0.5%였다. 가장 낮은 선호도를 나타낸 것은 열풍건조 0.5%였다. 질감은 P<.05 수준에서 집단간 유의미한 차이를 나타내었으며 동결건조 0.1%가 가장 높은 기호도를 나타내었으며, 동결건조 0.5%함유 송이양갱이 1.21로서, 현저히 낮은 기호도를 나타내었다. 종합적인 평가에서는 동결건조 0.1%함유