The CIGS Solar Cells have the highest conversion efficiency in the film-type solar cells. They consist of p-type CuInSe2 film and n-type ZnO film. The CdS films are used as buffer layer in the CIGS solar cells since remarkable difference in the lattice constant and energy band gap of two films. The CdS films are toxic and make harmful circumstances. The CdS films deposition process need wet process. In this works, we design and make the hitter and lamp reflection part in the sputtering system for the ZnS films deposition as buffer layer, not using wet process. Film thickness, SEM, and AFM are measured for the uniformity valuation of the ZnS films. We conclude the optimum deposition temperature for the films uniformity less than 1.6%. The ZnS films deposited by the sputtering system are more dense and uniform than the CdS films deposited by the Chemical Bath Deposition Method(CBD) for the CIGS Solar Cells.
The electric controlled marine diesel engine has fuel pump generating the high pressurized fuel for fuel injection to combustion chamber via a common rail. Fuel pump consists of a cam-roller system. Journal bearing installed between a roller and a cam-roller pin is subjected to fluctuating heavy and instant loads by cam lift. First, Kinematic analysis is carried out to predict bearing loads during one cycle acting on the journal bearing. Second, flexible multi-body dynamic analysis and transient elasto-hydrodynamic(EHD) lubrication analysis for journal bearing considering elastic deformation of cam-roller pin, roller and bearing are conducted using AVL EXCITE/PU software to predict lubrication performance. The clearance ratio and journal groove shape providing lubrication oil are important parameter in bearing design having good performance and can be changed easier than other design parameters such as diameter, width, oil supply pressure and bearing material grade. Generally, journal bearing performance is represented by the minimum oil film thickness(MOFT) and peak oil film pressure(POFP). As well as the traditional design parameters(MOFT, POFP), in this study, temperature rise of lubrication oil is also evaluated through the side leakage flow of supplied oil. By the evaluating MOFT, POFP and temperature rise, the optimum bearing clearance ratio is decided.
Optical measurements have been used to study the biaxial tensile strain in heteroeptaxial ZnTe epilayers on the (100) GaAs substrate by hot wall epitaxy (HWE) with Zn reservoir. It is effect on the low-temperature photoluminescence spectrum of the material. Optimum growth condition has been determined by a four-crystal rocking curve (FCRC) and a low temperature photoluminescence measurement (PL). It was found that Zn partial pressure from Zn reservoir has a strong influence on the quality of grown films. Under the determined optimum growth condition, ZnTe epitaxial films with thickness of 0.72~24.8$\mu\textrm{m}$ were grown for studying the effect of the thickness on crystalline quality. The PL and FCRC results indicated that the quality of ZnTe films becomes higher rapidly with increase of thickness up to 6$\mu\textrm{m}$. The best value of the FWHM of the four crystal rocking curve, 66 arcsec, was obtained on the film with 12$\mu\textrm{m}$ in thickness. The PL spectrum shows the splitted strong free exciton emissions and very weak deep band emissions. These results show the high quality of films.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제7권5호
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pp.267-270
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2006
The Indium tin oxide (ITO) films were deposited on CR39 substrate using DC magnetron sputtering. ITO thin films deposited at room temperature because CR39 substrates its glass-transition temperature of is $130^{\circ}C$. ITO thin films used bottom and top electrode and for organic thin film transparent transistor.(OTFT) ITO thin film electrodes electrical properties and optical transparency properties in the visible wavelength range (300 - 800 nm) strongly dependent on volume of oxygen percent. For the optimum resistivity and transparency of ITO thin film electrode achieved with a 75 W plasma power, 10 % volume of oxygen and a 27 nm/min deposition rate. Above 85 % transparency in the visible wavelength range (300 - 800 nm) measured without post annealing process and $9.83{times}10{-4}{\Omega}cm$ a low resistivity was measured thickness of 300 nm.
Long term stability, sensitization in air, and gas sensing behaviors of tin oxide films were investigated with doping of antimony and palladium. The tin oxide films were prepared on a Corning glass by reactive rf sputtering method and tested for detection of hydrogen gas. Sb-doping improved a long-term stability in the base resistance of $SnO_2$ film sensor. A small amount of Pd doping caused the optimum sensor operating temperature to reduce and also enhanced the gas sensitivity, compared with the undoped $SnO_2$ film. Gas sensitivity depended largely on the film thickness. The important sensitization reactions for sensor operating were $(O_{2ads})+e^-\;{\rightarrow}\;2(O_{ads})^-$ on the surface of $SnO_2$ film at elevated temperature in air and a followed reaction of hydrogen atoms with $(O_{ads})^-$ ions.
In this research, ultra-thin films of organic charge transfer complex were deposited on to ordinary microscope slide-glass subtrates with a Langmuir-Blodgett technique. ${\pi}$-A isotherm characteristics of these complex were studied in order to find optimum conditions of deposition by varying temperature of subphase, compression speed, and spreading amount. Transfer ratio of these films were studied during the process of deposition. The UV-visible absorbance spectra of LB films were measured to find state of deposition by varing layer number. The observed optimum conditions of surface, pressure, spreading amount, and dipping speed for depositing LB films(Y-type) were 38m/Nm, $150{\mu}l$ and 5mm/min, respectively. Since the tansfer ratio is close to 100%, the monolayer on the subphase seems to be well transferred to the solid substrate. The thickness of the film was well-controlled as the UV-vis absorbance of films were changed linear according to the number of layers.
A Monte Carlo simulation incorporated with the genetic algorithm is presented to describe the defect known as "transition from Y-to X-type deposition" of the cadmium arachidate Langmuir-Blodgett multilayer film. Simulation is performed based on the detachment models of XY-type deposition. The transition is simulated by introducing a probability of surface molecule detachment considering interaction between neighboring molecules. The genetic algorithm is incorporated into Monte Carlo simulation to get the optimum value of the probability factors. The distribution of layers having different thickness predicted by the simulation correlates well with the measured distribution of thickness using the small-angle X-ray reflectivity. The effect of chain length and subphase temperature on the detachment probability are investigated using the simulation. Simulation results show that an increase (or a decrease) of two hydrocarbon chain is roughly equivalent to the detachment probability to a temperature decrease (or increase) of 15 K.
손목에서 맥박을 측정하기 위한 센서부의 최적화에 관하여 연구하였다. 센서부의 최적 구조를 알기위해서 센서패드 구조물의 형태, 크기 및 실리콘의 두께를 변화시켜 맥박 신호를 측정하였다. 본 실험에서 사용된 구조물의 형태는 각기 Empty, Rectangle, Embossing, Length, Width이다. 각 구조물의 형태마다 실리콘의 두께를 0~7 mm 까지 1 mm씩 늘려 가면서 출력 신호의 크기를 비교하였다.
$Cu_2ZnSnSe_4$(CZTSe) is emerged as a promising material for thin-film solar cells because of non-toxic, inexpensive and earth abundant more than $Cu(In,Ga)Se_2$ materials. For fabricating compound semiconductor thin-film solar cells, CdS is widely used for a buffer layer which fabricated by a chemical bath deposition method (CBD). Through the experiment, we controlled deposition temperature and mol ratio of solution conditions to find the proper grain 크기 and exact composition. The optimum CdS layers were characterized in terms of surface morphology by using a scanning electron microscope (SEM) and atomic force microscope (AFM). The optimized CdS layer process was applied on CZTSe thin-films. The thickness of buffer layer related with device performance of solar cells which controlled by deposition time. Local surface potential of CdS/CZTSe thin-films was investigated by Kelvin probe force microscopy (KPFM). From these results, we can deduce local electric properties with different thickness of buffer layer on CZTSe thin-films. Therefore, we investigated the effect of CdS buffer layer thickness on the CZTSe thin-films for decreasing device losses. From this study, we can suggest buffer layer thickness which contributes to efficiencies and device performance of CZTSe thin-film solar cells.
Multi-source evaporation is one of the methods to improve the thickness uniformity of thin films deposited by evaporation. In this study, a simulator for the relative thickness profile of a thin film deposited by a multi-source evaporation system was developed. Using this simulator, the relative thickness profiles of the evaporated thin films were simulated under various conditions, such as the number and arrangements of sources and source-to-substrate distance. The optimum conditions, in which the thickness uniformity is minimized, and the corresponding efficiency, were obtained. The substrate was a 5th generation substrate (dimensions of 1300 mm ${\times}$ 1100 mm). The number of sources and source-to-substrate distance were varied from 1 to 6 and 0 to the length of the major axis of the substrate (1300 mm), respectively. When the source plane, the area on which sources can be located, is limited to the substrate dimension, the minimum thickness uniformity, obtained when the number of sources is 6, was 3.3%; the corresponding efficiency was 16.6%. When the dimension of the source plane is enlarged two times, the thickness uniformity is remarkably improved while the efficiency is decreased. The minimum thickness uniformity, obtained when the number of sources is 6, was 0.5%; the corresponding efficiency was decreased to 9.1%. The expansion of the source plane brings about not only the improvement of the thickness uniformity, but also a decrement of the efficiency and an enlargement of equipment.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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