In this paper, we implemented holographic optical memory systm which can store and reconstruct many images using new input and angular multiplexing method. In the new input method, phase infomation of input image is inputed in the recording material instead of brightness information. To do so, we represented the images, which captured with CCD camera or displayed on the computer monitor, on the liquid crystal television(LCTV) which removed polarizer/analyzer. Therefore, we can generate uniform input beam intensity regardless of the total brightness of input image, and apply the scheduled recording method. Also we can increase the intensity of input beam so reduce the recording time of input image. And reconstructedimage is acquired by transforming phase information into brightness information of image with analyzer. The incident angle of reference beam is acquired by Fourier transform of the binary phase hologram(BPH) which designed with SA algorithm on the LCTV. The proposed optical memory system is stable because the incident angle of the reference beam is controlled easy and electronically. We demonstreated optical experiment which store and reconstruct various type images in BaTiO$_{3}$ using proposed holographic memory system.
Resistive random access memory (ReRAM) of metallic conduction channel mechanism is based on the electrochemical control of metal in solid electrolyte thin film. Amorphous chalcogenide materials have the solid electrolyte characteristic and optical reactivity at the same time. The optical reactivity has been used to improve the memory switching characteristics of the amorphous $As_2Se_3$-based ReRAM. This study focuses on the formation of holographic lattices patterns in the amorphous $As_2Se_3$ thin film for straight conductive channel. The optical parameters of amorphous $As_2Se_3$ thin film which is a refractive index and extinction coefficient was taken by n&k thin film analyzer. He-Cd laser (wavelength: 325 nm) was selected based on these basic optical parameters. The straighten conduction channel was formed by holographic lithography method using He-Cd laser.$ Ag^+$ ions that photo-diffused periodically by holographic lithography method will be the role of straight channel patterns. The fabricated ReRAM operated more less voltage and indicated better reliability.
We have tried to enhance the density of the near-field optical memory and to improve the recording/readout speed. The current optical memory has the limitation in both density and speed. This barrier due to the far-field nature can be overcome by the use of the near-field$^{(1)}$ . The optical data storage density can be increased by reducing the size of the nanometric aperture where the near-field is obtained. To fabricate the aperture in precise dimension, we applied the orientation-dependent / anisotropic etching property of crystal Si often employed in the field of MEMS$^{(2)}$ . And so we fabricated the 10$\times$10 aperture array. This array will be also the indispensable part for speeding up. One will see the possibility of the multi-tracking pickup in the phase changing type memory through this array$^{(3)}$ . This aperture array will be expected to write the bit-mark whose size is about 100nm. We will show the recent result obtained. (omitted)
기억저장매체로서 광디스크의 개발이 활발히 진행되고 있으며 최근의 레이저 기술의 발전, 제조기술의 발전에 따른 기억밀도의 증가로서 기존의 자기기록매체와 경쟁을 하고 있다. 기록밀도의 증대와 신뢰성의 향상을 위하여 다층박막 구조를 가지는 광디스크의 미세구조는 더욱 복잡하며 소형화되고 있다. 이종의 물질로 구성된 다층박막형 광디스크의 미세구조 관찰 및 분석을 위해서는 투과전자현미경과 같은 미소영역 분석법이 필수적이며 비교적 간단하고 신뢰성 높은 시편준비법의 확립이 선행되어야 한다. 본 연구에서는 투과전자현미경 분석을 위한 광디스크의 평면 및 단면시료 제작법을 제시하고 제조된 시편으로부터 얻어진 광디스크의 미세구조 분석결과를 보고한다.
By controlling the pixels of a liquid crystal display (LCD) electronically, we fabricated a real-time moving window on a LCD, through which light passes. Using the moving window and hi-focusing lens, we suggested a non-mechanical spatio-angular multiplexed holographic memory system and demonstrated its feasibility through optical experiments. The principle of the proposed method and optical experimental results are also presented.
An optical digital parallel processor using Self-Pumped Phase Conjugate Mirror and liquid crystal spatial light modulator is presented and experimentally implemented. To use self-pumped PCM as memory, the mechanism for phase conjugation in two coupled interaction regions with the photorefractive crystal BaTiO$_{3}$ is investigated, especially the temporal behavior and effects of incident beam position. The optical design and implementation of matrix-vector multiplication using LCSLM and PCM memory is presented.
In this paper, DFE with feedforward section(FDFE) is used to mitigate ISI and improve BER generated in the course of storage and retrieval of high-density 2-dimensional data in digital holographic memory system. From the result of experiment, BER performance of DFE with feedforward section is improved about 37% than binary-decision course by direct thresholding.
PRAM (Phase change Random Access Memory) is one of the most promising candidates for next generation Non-volatile Memories. The Phase change material has been researched in the field of optical data storage media. However, the characteristics required in solid state memory are quite different from optical ones. In this study, the reset current and temperature profile of PRAM cells with bottom electrode were calculated by the numerical method.
본 논문에서는 첨단 운전자 보조 시스템 (ADAS; advanced driver assistance system) 용 이동객체검출 (MOD; moving object detection)을 위한 광학흐름추정기 (OFE; optical flow estimator) 의 하드웨어 구조 설계 결과를 제시하였다. 광학흐름추정 알고리즘은 차량 환경에서 높은 정확도를 나타내는 광역 최적화 (global optimization) 기반 Brox 알고리즘을 적용하였다. Brox 알고리즘의 에너지 범함수 (energy functional)를 최소화 하는 과정에서 생성되는 Euler-Lagrange 방정식을 풀기 위해 하드웨어 구현에 용이한 Cholesky factorization이 적용되었으며, 메모리 접근율 (memory access rate)를 줄이기 위해 시프트 레지스터 뱅크 (shift register bank)를 도입하였다. 하드웨어 구현은 Verilog-HDL을 사용하였으며, FPGA 기반 설계 및 검증이 수행되었다. 제안된 광학흐름추정기는 40.4K개의 logic slice 및 155개의 DSP48s, 11,290 Kbit의 block memory로 구현되었다.
The optical memory devices of BST thin films to composite $(Ba_{0.7}\;Sr_{0.3})TiO_{3}$ using sol-gel method were fabricated by changing of the depositing layer number on $Pt/Ti/SiO_{2}/Si$ substrate. The structural properties of optical memory devices to be ferroelectric was investigated by fractal analysis and 3-dimension image processing. The thickness of BST thin films at each coating numbers 3, 4 and 5 times was $2500[\AA]$, $3500[\AA]$ and $3800[\AA]$. BST thin films exhibited the most pronounced grain growth. The surface morphology image was roughness with coating numbers. The thin films increasing with coating numbers shows a more textured and complex configuration.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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