1 |
L. Chen, Y. Xu, Q. Q. Sun, P. Zhou, P. F. Wang, S. J. Ding, and D. W. Zhang, , 31, 1296 (2010).
|
2 |
J. Lee, E. M. Bourim, W. Lee, J. Park, M. Jo, S. Jung, J. Shin, and H. Hwang, Phys. Lett., 97, 172105 (2010). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3491803]
|
3 |
Y. Watanabe, J. G. Bednorz, A. Bietsch, Ch. Gerber, D. Widmer, A. Beck, and S. J. Wind, Appl. Phys. Lett., 78, 3738 (2001). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.1377617]
DOI
|
4 |
S. Q. Liu, N. J. Wu, and A. Ignatiev, Appl. Phys. Lett., 76, 2749 (2000). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.126464]
DOI
|
5 |
S. Lai, IEDM Tech. Dig. (Washington, USA, 2003)
|
6 |
E. Garcia-Garcia, A. Mendoza-Galvan, Y. Vorobiev, E. Morales-Sanchez, J. Gonzalez-Hernandez, G. Martinez, and B. S. Chao, J. Vac. Sci. Technol., 17, 1805 (1999). [DOI: http://dx.doi.org/10.1116/1.581894]
DOI
|
7 |
J. I. Park, J. T. Lee, C. H. Yeo, Y. J. Lee, J. B. Kim, and H. B. Chung, Jpn. J. Appl. Phys., 42, 5090 (2003). [DOI: http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.42.5090]
DOI
|
8 |
J. B. Yeo, S. D. Yun, T. W. Kim, and H. Y. Lee, J. Non-Crys. Solids, 354, 5343 (2008). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2008.09.028]
DOI
|