• 제목/요약/키워드: optical amplifier

검색결과 438건 처리시간 0.024초

광증폭기 응용을 위한 Er 첨가 실리카 유리 박막의 제조 (The fabrication of Er-doped silica film for optical amplifier)

  • 김재선;신동욱;정선태;송영휘
    • 한국재료학회지
    • /
    • 제11권5호
    • /
    • pp.385-392
    • /
    • 2001
  • 집적형 광증폭기는 대량생산이 용이하고. 단일 칩에 다기능의 광소자를 집적할 수 있다는 장점 때문에 활히 연구되어져 왔다. 본 연구에서는 수동형 집적광소자의 제작에 사용되는 화염가수분해증착법 (FHD)을 이용하여 실리콘 (Si) /실리카 ($SiO_2$) 광도파막을 제작하고, 이 박막에 Solution Doping 법을 이용하여 $Er^{3+}$ 를 첨가하여 광증폭 매질을 제작하는 연구를 수행하였다.

  • PDF

1-Gb/s CMOS POF 응용 광수신기 설계 (Design of a 1-Gb/s CMOS Optical Receiver for POF Applications)

  • 이준협;이수영;장규복;유종근
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
    • /
    • pp.241-244
    • /
    • 2012
  • 본 논문에서는 CMOS $0.35-{\mu}m$ 공정을 이용하여 Plastic Optical Fiber (POF) 응용분야에 적용할 수 있는 세 종류의 shunt-feedback 구조의 1-Gb/s 광 수신기를 설계하고 비교분석하였다. 기본적인 common-source transimpedance amplifier (CS-TIA), common-gate TIA (CG-TIA), 그리고 regulated-cascode TIA (RGC-TIA)를 최적화 설계하여 이득, 대역폭, 잡음특성 등을 비교분석 하였다. 시뮬레이션 테스트 결과 RGC-TIA가 CS-TIA, CG-TIA 보다 이득, 대역폭 측면에서 가장 좋은 성능을 보였으며, 잡음특성 측면에서는 CS-TIA가 가장 좋은 성능을 보였다. 각 광 수신기의 칩 사이즈는 bonding Pad를 포함하여 $0.35mm^2$이다.

  • PDF

Demonstration of RSOA-Based 20 Gb/s Linear Bus WDM-PON with Simple Optical Add-Drop Node Structure

  • Lee, Han-Hyub;Cho, Seung-Hyun;Lee, Eun-Gu;Lee, Sang-Soo
    • ETRI Journal
    • /
    • 제32권2호
    • /
    • pp.248-254
    • /
    • 2010
  • We demonstrate a linear bus wavelength-reused gigabit wavelength-division multiplexing passive optical network (WDM-PON) with multiple optical add-drop nodes. A commercially available reflective semiconductor optical amplifier-based WDM-PON has a sufficient power budget to provide multiple optical add/drop nodes in 16 WDM channels. Sixteen 1.25 Gb/s WDM channels are successfully transmitted over 20 km of single-mode fiber with four optical add/drop multiplexers, even with 32 dB reflection and chromatic dispersion in the link.

Broadband Wavelength-swept Raman Laser for Fourier-domain Mode Locked Swept-source OCT

  • Lee, Hyung-Seok;Jung, Eun-Joo;Jeong, Myung-Yung;Kim, Chang-Seok
    • Journal of the Optical Society of Korea
    • /
    • 제13권3호
    • /
    • pp.316-320
    • /
    • 2009
  • A novel broadband wavelength-swept Raman laser was used to implement Fourier-domain mode locked (FDML) swept-source optical coherence tomography (SS-OCT). Instead of a conventional semiconductor optical amplifier, this study used broadband optical fiber Raman amplification, over 50 nm centered around 1545 nm, using a multi-wavelength optical pumping scheme, which was implemented with the four laser diodes at the center wavelengths of 1425, 1435, 1455 and 1465 nm, respectively, and the maximum operating power of 150 mW each. The operating swept frequency of the laser was determined to 16.7 kHz from the FDML condition of 12 km optical fiber in the ring cavity. The OCT images were obtained using the novel broadband wavelengthswept Raman laser source.

Performance Analysis of a High-Speed All-Optical Subtractor using a Quantum-Dot Semiconductor Optical Amplifier-Based Mach-Zehnder Interferometer

  • Salehi, Mohammad Reza;Taherian, Seyed Farhad
    • Journal of the Optical Society of Korea
    • /
    • 제18권1호
    • /
    • pp.65-70
    • /
    • 2014
  • This paper presents the simulation and design of an all-optical subtractor using a quantum-dot semiconductor optical amplifier Mach-Zehnder interferometer (QD-SOA MZI) structure consisting of two cascaded switches, the first of which produces the differential bit. Then the second switch produces the borrow bit by using the output of the first switch and the subtrahend data stream. Simulation results were obtained by solving the rate equations of the QD-SOA. The effects of QD-SOA length, peak power and current density have been investigated. The designed gate can operate at speeds of over 250 Gb/s. The simulation results demonstrate a high extinction ratio and a clear and wide-opening eye diagram.

AIGaAs/GaAs 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 이용한 10Gbps 고속 전송 회로의 설계 및 제작에 관한 연구 (Design and Fabrication of 10Gbps Optical Communication ICs Using AIGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors)

  • 이태우;박문평;김일호;박성호;편광의
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 1996년도 추계학술대회 논문집
    • /
    • pp.353-356
    • /
    • 1996
  • Ultra-high-speed analog and digital ICs (integrated circuits) fur 10Gbit/sec optical communication systems have been designed, fabricated and analyzed in this research. These circuits, which are laser diode (LD) driver, pre-amplifier, automatic gain controlled (AGC) amplifier, limiting amplifier and decision circuit, have been implemented with AIGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs). The optimized AIGaAs/GaAs HBTs for the 10Gbps circuits in this work showed the cutoff and maximum oscillation frequencies of 65㎓ and 53㎓, respectively. It is demonstrated in this paper that the 10Gbps optical communication system can be realized with the ICs designed and fabricated using AlGaAs/GaAs HBTs.

  • PDF

광섬유격자를 이용한 Erbium 첨가 광섬유 증폭기의 광학적 이득제어 (All-optical gain control in erbium-doped fiber amplifier using a fiber grating)

  • 박희갑
    • 한국광학회지
    • /
    • 제8권1호
    • /
    • pp.58-62
    • /
    • 1997
  • 광섬유격자를 이용하는 단순구조의 발진 loop를 구성하여 erbium 첨가 광섬유 증폭기를 발진시킴으로써 광섬유 증폭기의 동작이득을 제어하는 방식을 제안하고 실험하였다. 하나의 광섬유격자가 loop내에서 발진 파장을 선택하는 기능과 함께 발진광이 출력단으로 나오지 못하도록 차단하는 기능의 두가지의 역할을 수행하도록 loop가 구성되었다. 광섬유 증폭기의 동작이득이 발진 loop의 손실과 같은 크기에 고정되어 입력광 파워의 변화에 무관하게 일정하게 제어되었으며, 가변형 결합기로 loop 손실을 변화시킴으로써 동작이득의 조절이 가능하였다. 이러한 loop 구성방식으로 이득제어된 erbium 첨가 광섬유 증폭기는 WDM 시스템에서 여러 가지의 장점을 가질 수 있다.

  • PDF

반도체 광증폭기내의 Highly Nondegenerate Four-Wave Mixing에 의한 파장변환의 해석 (Analysis of wavelength conversion by highly nondegenerate four-wave mixing in a semiconductor optical amplifier)

  • 우상규;이연호
    • 한국광학회지
    • /
    • 제10권4호
    • /
    • pp.294-300
    • /
    • 1999
  • 본 논문에서는 반도체 광증폭기내에서 four-wave mixing을 발생시키는 spectral hole burning을 더욱 정확하게 해석하기 위하여 밀도행렬을 기존의 방법에 비하여 정확하게 푸는 방법에 대하여 설명하고 이러한 밀도행렬에 대한 수치해석을 실시하여 그 해를 구한다. 이렇게 구한 결과를 통해 반도체 광증폭기내에서의 four-wave mixing에 의한 파장변환을 설명하는 결합 파동 방정식을 유도하고 이것의 해를 구하여 반도체 광증촉기에서의 파장변환이 어떻게 발생하는 지를 설명하고 3차 섭동을 이용하여 계산된 기존의 결과와 비교한다.

  • PDF

Ultrahigh Speed Reconfigurable Logic Operations Based on Single Semiconductor Optical Amplifier

  • Kaur, Sanmukh;Kaler, Rajinder-Singh
    • Journal of the Optical Society of Korea
    • /
    • 제16권1호
    • /
    • pp.13-16
    • /
    • 2012
  • We demonstrate an optical gate architecture using a single SOA to perform AND, OR and NOT logic functions. Simple reconfigurable all-optical logic operations are implemented using RZ modulated signals at 40 Gb/s. Contrast ratio and extinction ratio values have been analysed for the different types of logic gates. Maximum extinction ratio and contrast ratio achieved are 19dB and 17.2 dB respectively. Simple structure and potential for integration makes this architecture an interesting approach in photonic computing and optical signal processing.

Realization of High Speed All-Optical Half Adder and Half Subtractor Using SOA Based Logic Gates

  • Singh, Simranjit;Kaler, Rajinder Singh;Kaur, Rupinder
    • Journal of the Optical Society of Korea
    • /
    • 제18권6호
    • /
    • pp.639-645
    • /
    • 2014
  • In this paper, the scheme of a single module for simultaneous operation of all-optical computing circuits, namely half adder and half subtractor, are realized using semiconductor optical amplifier (SOA) based logic gates. Optical XOR gate by employing a SOA based Mach-Zehnder interferometer (MZI) configuration is used to get the sum and difference outputs. A carry signal is generated using a SOA-four wave mixing (FWM) based AND gate, whereas, the borrow is generated by employing the SOA-cross gain modulation (XGM) effect. The obtained results confirm the feasibility of our configuration by proving the good level of quality factor i.e. ~5.5, 9.95 and 12.51 for sum/difference, carry and borrow, respectively at 0 dBm of input power.