• 수산해양기술연구
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• 제37권4호
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• pp.308-312
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• 2001

이상에서와 같이 LCG위치에 따른 일련의 실험으로부터 다음과 같은 결론을 도출하였다. 1. 선형개발에 있어서 최적선형을 선정하고 이에 대한 성능검증의 일부로써 최적의 LCG위치를 찾는 것은 일반배치의 고려 및 실선에서의 운항 경제성 결정에 중요한 역할을 하며, 이와 같은 연구자료를 데이터 베이스화 함으로써 앞으로의 선형개발에 있어서 유용하게 쓰이게 될 것이다. 2. 저항시험 결과로부터 선미방향으로 LCG위치를 2% 포인트씩 이동하게 되면 서서히 저항이 감소하다가 8%포인트 위치에서 최저점을 이루며 이는 실선속도 25노트에서 초기상태(0%LCG)에 비해 만재상태에서는 약 12.4%, 시운전 상태에서는 약 10%의 저항감소효과가 있었다. 그 이후 (10%LCG)부터는 다시 저항이 증가하게 되는데, 이는 선수트림이 커지게 되면서 선저의 활주면에 과도한 동적 압력이 발생하게 되고, 저항감소의 원인이 되었던 침수표면적의 감소로 인한 마찰저항의 감소보다 동적압력에 의한 압력증가 영향이 더 커지게 된 것으로 추측된다. 3. 나선상태에서보다 스프레이스트립(spray strip) 및 스케그 등과 같은 선형에 적합한 부가물을 부착하면 저항감소 및 직진성능 (course keeping ability) 향상 등의 이점이 있다. (이 논문의 결론 부분임)

• 한국콘크리트학회:학술대회논문집
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• 한국콘크리트학회 2008년도 춘계 학술발표회 제20권1호
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• pp.517-520
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• 2008

본 연구에서는 균열 철근콘크리트에서의 철근의 부식 저항성 평가를 실험적 방법에 의해 수행하였다. 실험 배합으로서 보통포틀랜드시멘트(OPC), 30% 치환률의 플라이애쉬(30% PFA), 60% 치환률의 고로슬래그미분말(60% GGBS), 10% 치환률의 실리카퓸(10% SF)이 적용된 콘크리트보를 사용하였으며, 부식저항성 실험은 만능시험기를 사용하여 0.3mm의 균열을 도입하여 측정하였다. 실험결과, 혼합콘크리트 균열 철근보의 60일 양생 후의 부식저항성 순서는 OPC > 10%SF > 30% PFA > 60% GGBS로 나타남을 확인하였다. 또한, 무게감량법에 의한 부식량 측정결과도 OPC의 경우가 가장 높은 부식저항성을 가지면서 최소의 부식을 발생시키고 있음을 확인하였다. 실험결과로써 건전부 콘크리트보에서의 부식저항성이 균열부 콘크리트에서의 부식저항성보다 높게 나타나고 있음을 확인할 수 있었고, 또한, 이성분계 콘크리트보다 OPC 콘크리트가 부식 저항이 더욱 높음을 확인하였다.

• 지구물리와물리탐사
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• 제18권3호
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• pp.105-114
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• 2015

상온 상습 환경에서 수포화 암석코어의 전기비저항을 장시간 모니터링 할 수 있는 장치를 구현하였다. 양쪽 금속망 전극에 덧댄 종이필터와 암석코어를 감싼 열수축튜브의 상부 중앙 외피면에 3-채널 펌프로 물을 충분히 공급하면서 전기저항을 측정하면 암석코어의 수포화 상태를 유지하면서 일주일 이상 전기비저항을 모니터링 할 수 있다. 이 장치를 이용하여 흑운모 편마암, 안산암질 응회암, 셰일의 3종류 암석코어의 수포화 전기저항을 9일간 모니터링 한 결과 다음과 같은 2가지 가설을 제시할 수 있었다. 즉, 전기비저항 온도계수의 수렴 속도는 열물성과 관련이 있을 것이라는 것과 건조 저항을 수포화 때의 평균 저항으로 나눈 건조/수포화 저항비는 유효공극률과 상관될 것이라는 것이다. 실제로, 3가지 암석의 건조/수포화 저항비는 각각 48, 705, 2로 나타났고 이때 각각의 유효공극률은 3.7%, 3.3%, 13.0%이었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.257-257
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• 2010

최근 저항 변화 메모리는 종래의 비휘발성 기억소자인 Flash memory보다 access time(writing)이 105배 이상 빠르고, DRAM과 같이 2~5 V 이하의 낮은 전압 특성 및 간단한 제조 공정 등으로 차세대 비휘발성 메모리 소자로 주목 받고 있지만, 여전히 소자의 Endurance 및 Retention 특성 등의 신뢰성 문제를 해결해야 할 과제로 안고 있다. 이러한 문제점들을 해결하기 위해 페로브스카이트계 산화물 또는 이원 산화물 등의 다양한 저항 변화 물질에 대한 연구가 진행되고 있다. 하지만, 현재 주로 연구되고 있는 금속 산화물계 물질들은 그 제조 공정상 산소에 의한 다수의 산소 디펙트 형성과 제작 시 쉽게 발생할 수 있는 표면 오염의 문제점을 안고 있다. 본 연구는 기존의 금속 산화물계 박막의 제조 공정에서 발생하는 문제점을 해결하기 위해 질화물계 박막을 저항변화 물질로 도입함으로써, 기존의 저항 변화 물질의 장점인 간단한 공정 및 저전압/고속 동작 특성을 동일하게 유지 할 뿐 아니라, 그 제조 공정상 발생하는 다수의 산소 디펙트와 표면 오염의 문제를 해결함으로써, 보다 고효율을 가지며 재현성이 우수한 메모리 소자를 구현 하고자 한다 [1, 2]. 본 연구를 위해 Pt/AlN/Pt 구조의 Metal/Insulator/Metal(MIM) 저항 변화 메모리를 제작 하였다. 최적의 저항 변화 특성 조건을 확인하기 위해 70~200nm까지 두께 구분과 N2 가스 분위기의 열처리 온도를 $200{\sim}600^{\circ}C$까지 진행 하였다. 본 소자의 저항 변화 특성 실험은 Keithley 4200-SCS을 이용하여 진행 하였다. 실험 결과, AlN의 최적의 두께 및 열처리 온도 조건은 130nm/$500^{\circ}C$였으며, 안정적인 unipolar 저항 변화 특성을 확인 활 수 있었다.

• 지구물리
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• 제9권4호
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• pp.455-462
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• 2006

본 연구에서는 그라우팅 효과를 간편히 그리고 합리적으로 평가하기 위한 방법의 하나로서 전기비저항 탐사에 대한 적용성을 검토하였다. 전기비저항 탐사를 통한 보강 효과를 보다 정확하게 이해하기 위해, 누수에 의한 코아의 세립분 유출이 코아부의 전기비저항에 어떤 변화를 발생시키는가에 대한 메커니즘을 분석하여 탐사시의 조건에 따라서 연약부분의 비저항이 낮아질 수도 높아질 수도 있다는 사실을 확인하였다. 이는 통상적으로 인식되어지고 있는 코아의 연역부분에서는 비저항이 낮아진다는 사실에 반하는 것으로서 이러한 메커니즘 하에서 실제 그라우팅에 의해 보수・보강이 수행된 댐체에 대한 보강 전・후의 전기비저항을 비교・분석하였으며, 그 결과 보강 후의 비저항이 균일한 분포를 나타내고 있다든지 비정상적인 이상 비저항대가 없어졌다든지 하는 그라우팅의 효과를 성공적으로 평가할 수 있었다. 즉, 그라우팅에 의한 효과를 평가하는데 있어서 전기비저항 탐사는 매우 효율적인 방법 중의 하나라는 것을 알 수 있다

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제7권1호
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• pp.1-5
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• 2000

기판과의 동시소성에 의한 고주파 MCM-C (Multi Chip Module-Cofired)용 저항을 제작하고 DC 및 6 GHz 까지의 RF 특성을 측정하였다. 기판은 저온 소성용 기판으로서 총 8층으로 구성하였으며, 7층에 저항체 및 전극을 인쇄하고 via를 통하여 기판의 최상부까지 연결되도록 하였다. 저항체 페이스트, 저항체의 크기, via의 길이 변화에 따라서 저항의 RF 특성은 고주파일수록 더욱 DC 저항값에서 부터 변화되는 양상을 보였다. 측정결과로부터 내부저항은 저항용량에 관계없이 전송선로, capacitor, inductor성분이 저항성분과 함께 혼재되어 있는 하나의 등가회로로 표현할 수 있으며, 내부저항의 구조 변화에 의한 전송선로의 특성임피던스 $Z_{o}$의 변화가 RF 특성을 크게 좌우하는 것으로 보여진다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2003년도 춘계전력전자학술대회 논문집(1)
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• pp.125-127
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• 2003

Lateral MCT(MOS-controlled thyristor)소자의 전기 적 특성 Parameters의 변화에 따른 스위칭 특성을 조사하였다. 제안된 Lateral 구조의 MCT는 채널과 drift영역의 제작과정이 간편하여 ON저항이 작으면서, 대전류용인 전력소자의 제작이 가능할 것으로 사료되는데, SPICE와 MEDICI 시뮬레이션을 이용하여 drift 저항, transit time및 불순물 농도 분포에 따른 전기적 특성을 알아보았다. 불순물의 농도와 채널길이의 변수에 의한 소자의 저항을 변화시켜 U 특성과 주파수 특성을 조사하였는데, 저항이 커질수록 turn-off 시간과 ON 저항은 증가함을 나타냈다.

• 한국작물학회지
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• 제24권4호
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• pp.35-37
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• 1979

추파밀인 Diplomat이 가지고 있는 흰가루병에 대한 높은 포장저항성의 유전자작용을 검토하기 위하여 이병친인 Caribo와 교배하여 여기서 나온 6세대에 대한 흰가루병의 이병률을 출수개화기와 성숙기에 판독한 결과를 검토한 결과 저항성유전에는 상가적 작용이 크게 영향을 하고 있으며 우성인자효과는 극히 미미하였다. 협의의 유전력은 출수개화기에는 낮았으니 성숙기에 이르러 이병성인 것과 저항성인 것간의 변이가 커짐에 따라 유전력은 크게 증가되었다. 성숙기에까지 저항성을 유지하는 개체를 선발하는 것이 바람직한 것으로 고찰되었다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권9호
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• pp.911-917
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• 1996

Platinum thin films were deposited on Si-wafer by DC rnagnetron sputtering for RTD (resistance thermometer devices). We investigated the physical and electrical characteristics of these films under various conditions, the input power, working vacuum, temperature of substrate and also after annealing these films. The deposition rate was increased with increasing the input power but decreased with increasing Ar gas pressure. The resistivity and sheet resistivity were decreased with increasing the temperature of substrate and the annealing time at 1000.deg. C. At substrate temperature of >$300^{\circ}C$, input power of 7 w/cm$^{2}$, working vacuum of 5 mtorr and annealing conditions of 1000.deg. C and 240 min, we obtained 10.65.mu..ohm..cm, resistivity of Pt thin films and 3800-3900 ppm/.deg. C, TCR(temperature coefficient of resistance). These values are close to the bulk value. These results indicate that the Pt thin films deposited by DC magnetron sputtering have potentiality for the development of Pt RTD temperature sensor.

• 전력전자학회논문지
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• 제4권3호
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• pp.294-303
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• 1999

저항 스폿용접은 외관상 말끔하게 용접되고 단시간 용접이 이루어지기 때문에 고품질 용접을 요구하는 제품에 많이 사용되고 있다. 그러나 시편의 동저항 특성을 고려하지 않아 용접중의 스패터가 발생하여 용접품질의 저하를 초래하고 있다. 본 논문는 용접품질 향상의 관점에서 동저항 데이터베이스 구축에 대하여 연구하였다. 구리 위에 주석과 납을 합금한 시편인 경우와 단일 성분인 철에 대해서 다른 용접조건에서 얻어지는 동저항을 비교하여 용접된 시편의 인장강도와 동저항의 관계를 고찰하였다.