Proceedings of the KIPE Conference (전력전자학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Power Electronics (전력전자학회)
권호 표지

Switching characteristics due to fabrication method of Lateral MOS-controlled thyristor

Lateral 구조의 MOS-controlled thyristor 전력소자의 제작조건에 따른 스위칭 특성

  • Jeong T.W. (School of Semiconductor Engineering, Chungbuk National University) ;
  • Lee E.R. (School of Semiconductor Engineering, Chungbuk National University) ;
  • Kim N.S. (School of Semiconductor Engineering, Chungbuk National University)
  • 정태웅 (충북대학교 반도체공학과) ;
  • 이응래 (충북대학교 반도체공학과) ;
  • 김남수 (충북대학교 반도체공학과)
  • Published : 2003.07.01
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Abstract

Lateral MCT(MOS-controlled thyristor)소자의 전기 적 특성 Parameters의 변화에 따른 스위칭 특성을 조사하였다. 제안된 Lateral 구조의 MCT는 채널과 drift영역의 제작과정이 간편하여 ON저항이 작으면서, 대전류용인 전력소자의 제작이 가능할 것으로 사료되는데, SPICE와 MEDICI 시뮬레이션을 이용하여 drift 저항, transit time및 불순물 농도 분포에 따른 전기적 특성을 알아보았다. 불순물의 농도와 채널길이의 변수에 의한 소자의 저항을 변화시켜 U 특성과 주파수 특성을 조사하였는데, 저항이 커질수록 turn-off 시간과 ON 저항은 증가함을 나타냈다.

Keywords