• 전자공학회논문지A
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• 제32A권5호
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• pp.54-59
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• 1995

We have proposed a novel self-aligned offset gated polysilicon TFTs device without an offset mask in order to reduce a leakage current and suppress a kink effect. The photolithographic process steps of the new TFTs device are identical to those of conventional non-offset structure TFTs and an additional mask to fabricate an offset structure is not required in our device due to the self-aligned process. The new device has demonstrated a lower leakage current and a better ON/OFF current ratio compared with the conventional non-offset device. The new TFT device also exhibits a considerable reduction of the kink effect because a very thin film TFT devices may be easily fabricated due to the elimination of contact over-etch problem.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제49권7호
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• pp.30-38
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• 2012

본 논문은 mmWave OFDM-기반 WPAN 시스템을 위한 패킷 검출과 주파수 옵셋 추정 및 보정 구조를 제안하고 성능 분석 결과를 보여준다. 패킷 검출 블록은 반복된 훈련 심볼의 자기상관 관계를 이용하고 상관된 값이 일정 문턱 값을 넘을 때 패킷 시작점을 검출하는데 사용된다. 적용한 자기상관 알고리즘 구조는 기존의 패킷검출에 사용한 알고리즘에 비해 간단하게 하드웨어를 구현 할 수 있다. 주파수 옵셋 추정 구조는 기존구조와는 다른 위상 천이 처리 블록, 하드웨어 사이즈를 줄여주는 내부비트 줄임 블록 및 look-up table의 사이즈를 줄인 주파수 옵셋 조정 블록을 설계하였다. 추정된 주파수 옵셋 값은 설계한 보정 블록을 통해 수신 신호를 보정함으로써 주파수 옵셋에 대한 영향을 줄일 수 있다. 설계 검증툴을 이용한 성능 분석 결과 제안된 구조는 하드웨어 구현복잡도가 감소함을 보여 주었고 기존구조에 비하여 게이트수가 감소함을 보였다. 따라서 제안된 구조는 OFDM-기반 WPAN 시스템의 초기 동기화 과정에 적용 될 수 있고 고속 저전력 WPAN칩에 사용 될 수 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1998년도 추계학술대회 논문집
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• pp.141-144
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• 1998

The electrical characteristics of poly-Si TFT's with offset structure by negative bias stress are systematically investigated as a function of offset length. The changes of electrical characteristics, V$\_$th/, off-current, on/off ratio, in the offset structured poly-Si TFT's are smaller than that of the conventional structured poly-Si TFT's under the stress condition (V$\_$ds/=20V, V$\_$gs/=-20V). It is found that the hot carrier effect by negative bias stress is suppressed by the offset structured poly-Si TFT's because the local electric field near the drain region is decreased by offset region.

• ETRI Journal
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• 제34권2호
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• pp.147-158
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• 2012

In this paper, we present a demodulation structure suitable for a reader baseband receiver in a passive radio frequency identification (RFID) environment. In a passive RFID configuration, an undesirable DC-offset phenomenon may appear in the baseband of the reader receiver, which can severely degrade the performance of the extraction of valid information from the received tag signal. To eliminate this DC-offset phenomenon, the primary feature of the proposed demodulation structures for the received FM0 and Miller subcarrier signals is to reconstruct the signal corrupted by the DC-offset phenomenon by creating peak signals from the corrupted signal. It is shown that the proposed method can successfully detect valid data, even when the received baseband signal is distorted by the DC-offset phenomenon.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제47권10호
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• pp.49-56
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• 2010

이 논문에서는 pipeline CORDIC(COordinate Rotation DIgital Computer)을 이용한 저전력 주파수 옵셋 동기화기 구조를 제안하였다. 주파수 옵셋 동기화기의 핵심 블록은 주파수 옵셋 추정부와 보상부이다. 제안된 주파수 옵셋 추정부에서는 sequential CORDIC을 사용하여 구현면적을 감소시켰으며 한번에 2 단계씩 CORDIC을 수행하는 방식을 사용하여 연산 속도를 높였다. 또한 제안된 주파수 옵셋 보상부에서는 pipeline CORDIC을 사용하여 구현면적을 줄임과 동시에 계산 속도를 향상시킬 수 있었다. MatLab을 사용하여 제안 구조가 주파수 옵셋을 추정 및 보상하는 function을 검증하였다. 제안 구조에 대하여 Verilog-HDL로 코딩하고 Synopsys tool을 사용하여 합성하여 구현면적을 실험하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1995년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1085-1087
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• 1995

A large leakage current may be one of the critical issues for poly-silicon thin film transistors(poly-Si TFTs) for LCD applications. In order to reduce the leakage current of poly-Si TFTs, several offset gated structures have been reported. However, those devices, where the offset length in the source region is not same as that in the drain region, exhibit the asymmetric electrical performances such as the threshold voltage shift and the variation of the subthreshold slope. The different offset length is caused by the additional mask step for the conventional offset structures. Also the self-aligned implantation may not be applicable due to the mis-alignment problem. In this paper, we propose a new fabrication method for poly-Si TFTs with a self-aligned offset gated structure by employing a photo resistor reflow process. Compared with the conventional poly-Si TFTs, the device is consist of two gate electrodes, of which one is the entitled main gate where the gate bias is employed and the other is the entitled subgate which is separate from both sides of the main gate. The poly-Si channel layer below the offset oxide is protected from the injected ion impurities for the source/drain implantation and acts as an offset region of the proposed device. The key feature of our new device is the offset lesion due to the offset oxide. Our experimental results show that the offset region, due to the photo resistor reflow process, has been successfully obtained in order to fabricate the offset gated poly-Si TFTs. The advantages of the proposed device are that the offset length in the source region is the same as that in the drain region because of the self-aligned implantation and the proposed device does not require any additional mask process step.

• 대한조선학회 특별논문집
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• 대한조선학회 2008년도 특별논문집
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• pp.1-9
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• 2008

This report contains the results of structural analysis for the verification of the optimum offset range on the top of T-Bar with stiffener and BKT using at DSME Offset range as $6.0{\sim}10.0mm$ based on the 3-D FE analysis and experimental results of angie type stiffener as described in Annex 1 has been used as yard standard over ten (10) years under all Classification approval. Recently, Owner and Class have requested the confirmation for the misalignment based on the Yard's Standard so that a couple of locations for LNGC and LPGC has been investigated the structural strength by FE method using the offset ranges from 0.0 to 18.0 mm.

• 한국전자파학회논문지
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• 제13권5호
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• pp.445-450
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• 2002

본 논문에서는 CPW(Coplanar waveguide)-to-microstrip right-angled 전이 구조에 대해서 해석하였다. 일반적으로 비대칭적인 CPW-to-microstrip 전이 구조는 불연속점에서 발생한 slot모드로 인해 심각한 공진이 발생한다. 공진 발생을 억제하기 위해서 일반적으로 많이 사용하는 air-bridge는 공진 발생을 근본적으로 제거시키지 못하고, 단지 공진 주파수만 이동시킨다. 따라서, 본 논문에서는 공진 발생을 제거하기 위해 offset microstrip을 사용하는 구조를 제안하였다. 제안된 구조는 불연속점에서 대칭을 유지함으로써 공진 발생 원인을 근본적으로 제거한 구조로 회로의 직접도가 높은 다층 기판에서 효과적으로 사용될 수 있을 것으로 기대된다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제12권3호
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• pp.1387-1394
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• 2011

이 논문에서는 OFDM Modem의 심볼 타이밍 옵셋 동기화 블록에 대한 저면적 구조를 제안한다. 심볼 타이밍 동기화 블록에서의 곱셈연산을 디지털 필터 구조의 개념을 도입하여 저면적 구조를 유도하였다. 즉 곱셈연산을 CSD(Canonic Signed Digit) 방식과 CSS(Common Sub-expression Sharing) 방식의 덧셈기를 사용한 구조를 제안하였다. 제안 구조에 대한 Verilog-HDL 코딩과 합성을 통하여 $0.264mm^2$로 구현하였으며, 이는 기존 구조의 $0.723mm^2$와 비교하여 63.54%의 구현 면적 감소를 달성하였다. 따라서 제안된 구조는 OFDM 시스템의 심볼 타이밍 동기화기에 효율적으로 사용 될 수 있을 것이다.

• 전자공학회논문지A
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• 제33A권7호
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• pp.127-133
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• 1996

In this paper, we propose a new fabrication method for poly-Si TFTs with a self-aligned offset gated structure by employing a photoresist reflow process. Compared with the conventional poly-Si TFTs, the device is consist of two gate electrodes, of which one is the entitled main gate where the gate bias is employed and the other is the entitled subgate which is separate form both sides of the main gate. The poly-Si channel layer below the offset oxide is protected form the injected ion impurities for the source/drain implantation and acts as an offset region of the proposed device. The key feature of oru new device is the offset region due to the offset oxide. our experimental reuslts show that the offset region, due to the photoresist reflow process, has been sucessfully obtained in order to fabricate the offset gated poly-Si TFTs. The maximum ON/OFF ratio occurs at the L$_{off}$ of 1.1${\mu}$m and exceeds 1X10$^{6}$.