Improvement of Gate Dielectric Characteristics in MOS Capacitor by Deuterium-ion Implantation Process (중수소 이온 주입에 의한 MOS 커패시터의 게이트 산화막 절연 특성 개선)
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- Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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- 제24권8호
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- pp.609-615
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- 2011