• 한국가금학회지
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• 제46권2호
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• pp.117-125
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• 2019

본 연구는 Zn 보충급여가 한국재래계의 생산성 및 소화기능에 미치는 영향을 조사하기 위하여 기초사료(100 ppm)에 ZnO 또는 Zn-methionine 형태로 각각 50 ppm을 첨가하여 체중, 사료이용성, 장기무게, 혈액생화학적 성상 및 소화효소 활성도를 조사하였다. 사양성적을 보면 대조군(CON)에 비해 산화아연(ZNO) 및 유기태(ZMT)군에서 체중은 각각 1.2% 및 2.4% 증가되는 경향을 보였지만 유의적 차이는 없었다. 사료섭취량과 사료요구율 역시 모든 처리군에서 차이가 없는 것으로 나타났다. 간, 비장 및 소장점막 무게는 아연의 급여 및 화학적 형태에 따른 차이가 없었으나, 췌장무게는 ZNO군에서 대조군과 ZMT군에 비해 유의하게 감소되었다(P<0.05). 혈액 생화학 성분인 glucose, total protein, triglyceride, total cholesterol, aspartate aminotransferase(AST)와 alanine aminotransferase(ALT) 등은 ZnO 또는 Zn-methionine 급여에 따른 차이가 없었다. 췌장 효소활성도를 조사한 결과 ${\alpha}$-amylase와 carboxypeptidase A 활성도는 아연의 급여에 따른 차이가 없었으나, trypsin은 ZnO와 Zn-methionine 급여에 따라 활성도가 현저히 증가되었다(P<0.05). 소장의 흡수상피세포에 존재하는 이당류분해효소(maltase 및 sucrase)는 Zn 급여원에 따라 차이를 보이지 않았다. 펩타이드 분해효소인 leucine aminopeptidase의 활성도는 ZnO 급여 또는 Zn-methionine 급여에 따라 증가하는 경향을 보였다(P=0.08). 이상의 결과로 보아 기초사료에 Zn의 보충급여(50 ppm)는 닭에서 단백질 소화작용에 관여하는 효소의 활성도 증진효과를 보이며, 단백질의 생체 이용성 향상에 긍정적인 영향을 미칠 수 있는 것으로 생각된다.

• 분석과학
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• 제19권2호
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• pp.131-141
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• 2006

새로운 산소-질소($N_2O_2$)계 네 자리 리간드 N,N'-bis(2-hydroxybenzyl)-ethylenediamine($H-BHE{\cdot}2HBr$)의 브롬산염을 합성하였다. 또한 $H-BHE{\cdot}2HBr$의 페놀기 5-위치에 치환기로 브롬, 염소, 메틸기 및 메톡시기를 가진 $Br-BHE{\cdot}2HBr$, $Cl-BHE{\cdot}2HBr$, $CH_3-BHE{\cdot}2HBr$ 및 $CH_3O-BHE{\cdot}2HBr$을 합성하였다. 그리고 페놀기 대신에 naphthalen-2-ol을 가진 $Nap-BHE{\cdot}2HBr$도 합성하였다. 합성된 리간드들의 양성자 해리는 수용액에서 전위차 적정한 결과 4 단계로 일어났으며, 계산된 각 리간드의 총괄 양성자 해리상수(${\log}{\beta}_p$) 값은 Br-BHE < Cl-BHE < H-BHE < Nap-BHE < $CH_3$-BHE < $CH_3O$-BHE의 순서로 Hammett 상수(${\sigma}_P$) 값의 순서와 비교적 같은 경향을 나타내었다. 전이금속(II) 이온들의 착물의 안정도상수(${\log}K_{ML}$) 값의 크기는 Co(II) < Ni(II) < Cu(II) > Zn(II) > Cd(II) > Pb(II)의 순서이었다. 또한 각 리간드들의 전이금속(II) 이온들의 착물 안정도상수(${\log}K_{ML}$) 값들의 크기 순서도 리간드의 총괄 양성자 해리상수(${\log}{\beta}_p$) 값과 서로 잘 일치하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.199-199
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• 2011

Recently, Thin film transistors (TFTs) with amorphous oxide semiconductors (AOSs) can offer an important aspect for next generation displays with high mobility. Several oxide semiconductor such as ZnO, $SnO_2$ and InGaZnO have been extensively researched. Especially, as a well-known binary metal oxide, tin oxide ($SnO_2$), usually acts as n-type semiconductor with a wide band gap of 3.6eV. Over the past several decades intensive research activities have been conducted on $SnO_2$ in the bulk, thin film and nanostructure forms due to its interesting electrical properties making it a promising material for applications in solar cells, flat panel displays, and light emitting devices. But, its application to the active channel of TFTs have been limited due to the difficulties in controlling the electron density and n-type of operation with depletion mode. In this study, we fabricated staggered bottom-gate structure $SnO_2$-TFTs and patterned channel layer used a shadow mask. Then we compare to the performance intrinsic $SnO_2$-TFTs and doping hafnium $SnO_2$-TFTs. As a result, we suggest that can be control the defect formation of $SnO_2$-TFTs by doping hafnium. The hafnium element into the $SnO_2$ thin-films maybe acts to control the carrier concentration by suppressing carrier generation via oxygen vacancy formation. Furthermore, it can be also control the mobility. And bias stability of $SnO_2$-TFTs is improvement using doping hafnium. Enhancement of device stability was attributed to the reduced defect in channel layer or interface. In order to verify this effect, we employed to measure activation energy that can be explained by the thermal activation process of the subthreshold drain current.

• Advances in nano research
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• 제3권3호
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• pp.123-131
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• 2015

The unintentionally doped and bismuth (Bi) doped zinc oxide (ZnO) films were prepared by spray pyrolysis at $450^{\circ}C$ with zinc acetate and bismuth nitrate precursor. The n-type conduction with concentration $6.13{\times}10^{16}cm^{-3}$ can be observed for the unintentionally doped ZnO. With the increasing of bismuth nitrate concentration in precursor, the p-type conduction can be observed. The p-type concentration $4.44{\times}10^{17}cm^{-3}$ can be achieved for the film with the Bi/Zn atomic ratio 5% in the precursor. The photoluminescence spectroscopy with HeCd laser light source was studied for films with different Bi doping. The photocatalytic activity for the unintentionally doped and Bi-doped ZnO films was studied through the photodegradation of Congo red under UV light illumination. The effects of different Bi contents on photocatalytic activity are studied and discussed. Results show that appropriate Bi doping in ZnO can increase photocatalytic activity.

• 수산해양기술연구
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• 제25권4호
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• pp.200-208
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• 1989

200MHz ZnO변환기를 이용하여 초음파 현미경을 제작하여, 도미비늘을 화상화하고 광학현미경에 의한 사진과 비교하였다. 그 결과 광학적 반사에 의한 표면의 화상과 초음파의 기계적 탄성적 표면하 반사에 의한 화상에는 다소 차이가 있음을 확인하였다(Fig. 13 및 14). 초음파 현미경은 고체재료 또는 생물조직 상(10(12)등 여러 가지 생물연구 등의 응용이 계획되고 있으며, 특히 초음파 의학의 분야는 그 활용이 눈부실 것으로 예측된다. 초음파 현미경의 제작 그 자체보다, 이것을 도구로 하여 여러 가지 학술적, 기술적 성과가 기대되기 때문에 이 분야의 기초연구가 더욱 중요하게 생각되며 첨단산업분야에서도 비파괴검사 초음파 micro spectroscopy(U.M.S)등과 같은 물질의 탄성적 성질을 micro scale로 계측할 수 있는 등, 많은 활용이 있을 것이 예상된다. 또 초음파 현미경의 방법도 여러 가지이며, 이것을 계측수단으로 일반화하는 문제도 연구할 필요가 있다. 앞으로 광학이나 전자장치 등과 함께 급속한 발전이 기대된다.

• Journal of Welding and Joining
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• 제19권4호
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• pp.429-436
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• 2001

The effect of welding condition on the microstructures of the weld metal in A7N01 welded by $CO_2$ laser was investigated. The number of ripples was increased with decreasing power and increasing welding speed. In the bead without ripple lines, the subgrain microstructures distribution from the fusion line toward the center of the bead were in the order of cellular, dendritic and equiaxed dendrite. However, in the bead with ripple lines, cellular and dendritic were formed between the fusion boundary and the ripple line. Inaddition, those structures were also observed between the ripple line. Equiaxed dendrites were formed only at the center line region. Cellular and dendritics formed near the ripple line were larger than those formed near the fusion boundary. The cooling rates estimated by the dendrite arm spacing were in the range of 200 to 1150oC/s. Cooling rate was increased with decreasing the power and increasing the welding speed. Mg and Zn segregated at the boundaries of cellulars and dendritics, Mg was segregated more than Zn. The segregation of Mg and Zn decreased with increasing cooling rate. Hardness of the weld metal was lower than that of the base metal in all welding conditions and increased as the cooling rate increased.

• 한국표면공학회지
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• 제46권3호
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• pp.105-110
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• 2013

ZnS thin films were prepared on glass substrate by using chemical bath deposition method. The influence of ammonia ($NH_4OH$) and $Na_2EDTA$ ($Na_2C_{10}H_{16}N_2O_8$) as complexing agents on structural and optical properties of ZnS thin films were investigated. Zinc acetate dihydrate ($Zn(CH_3COO)_2{\cdot}2H_2O$) and thiourea ($H_2NCSNH_2$) were used as a starting materials and distilled water was used as a solvent. All ZnS thin films, regardless of a kind of complexing agents, had the hexagonal structure (${\alpha}$-ZnS) and had a preferred <101> orientation. ZnS thin films, with 4 M ammonia and with 4 M ammonia and 0.1 M $Na_2EDTA$, had the highest <101> peak intensity. In addition, their average particle size are 280 nm and 220 nm, respectively. The average optical transmittances of all films were higher than 60% in the visible range. The optical direct band gap values of films were about 3.6~3.8 eV.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2010년도 춘계학술대회 초록집
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• pp.97.1-97.1
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• 2010

유연금속기판위에 DC 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 Ag/ZnO 이중구조의 후면반사막을 증착하고 Ag 표면조도 변화에 따른 후면반사막의 반사특성 변화와 플렉서블 비정질 실리콘 박막 태양전지의 셀 특성에 미치는 영향을 조사하였다. Substrate구조를 갖는 플렉서블 실리콘 박막 태양전지에서는 실리콘 박막 광흡수층의 상대적으로 낮은 광 흡수율로 인하여 입사광에 대한 태양전지 내에서의 광 산란 및 포획이 태양전지 효율을 증대시키는데 매우 중요한 역할을 하는 것으로 알려져 있다. 플렉서블 실리콘 박막 태양전지에서의 후면반사막은 광 흡수층에서 흡수되지 않는 입사광을 다시 반사시켜 광 흡수를 증대시키며 이때 후면반사막 표면에서 반사 빛을 효율적으로 산란시켜 이동경로를 증대시킴으로써 광 흡수율을 더욱 향상시킬 수 있다. 본 연구에서는 유연금속 기판위에 Ag와 ZnO:Al($Al_2O_3$ 2.5wt%) 타겟을 사용한 DC 마그네트론 스퍼터링법으로 Ag/AZO 이중구조의 후면반사막을 제조하고, Ag 박막의 표면형상 변화와 이에 따른 후면반사막의 반사도 변화를 비교, 분석하였다. 증착 조건 변화에 따른 표면 형상 및 반사 특성은 Atomic Force Mircroscope(AFM), Scanning electron miroscopy(SEM), UV-visible-nIR spectrometry를 통하여 분석하였다. 서로 다른 표면 거칠기를 갖는 후면반사막 위에 n-i-p구조의 a-Si:H 실리콘 박막 태양전지를 제조한 후 태양전지 동작 특성에 미치는 영향을 조사하였다. n,p층은 13.56MHz PECVD, i층은 60MHz VHF CVD를 사용하여 각각 제조 하였으며, Photo I-V, External Quantum Efficiency(EQE) 분석을 통하여 태양전지 특성을 조사 하였다. SEM 분석결과 공정 온도가 증가 할수록 Ag 박막의 표면 결정립 크기도 증가하였으며, AFM분석을 통한 Root-mean-square(Rms)값은 상온에서 $500^{\circ}C$로 증착온도가 증가함에 따라 6.62nm에서 46.64nm까지 증가하였다. Ag 박막의 표면 거칠기 증가에 따라 후면반 사막의 확산 반사도도 함께 증가하였다. 공정온도 $500^{\circ}C$에서 증착된 후면반사막을 사용하여 a-Si:H 태양전지를 제조하였을 때 상온에서 제조한 후면반사막에 비하여 단락전류밀도 (Jsc)값은 9.94mA/$cm^2$에서 13.36mA/$cm^2$로 증가하였으며, 7.6%의 가장 높은 태양전지 효율을 나타내었다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제9권3호
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• pp.91-95
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• 2008

In this study, in order to develop the composition ceramics for low loss multilayer piezoelectric actuator application, $Pb(Zn_{1/2}W_{1/2})O_3-Pb(Mn_{1/3}Nb_{2/3})O_3-Pb(Zr,Ti)O_3$ (abbreviated as PZW-PMN-PZT)ceramics according to the amount of $MnO_2$ addition were fabricated using two-stage calcinations method. And also, their dielectric and piezoelectric properties were investigated. At the 0.2 wt% $MnO_2$ added PZW-PMN-PZT ceramics sintered at $930^{\circ}C$, density, electromechanical coupling factor $k_p$, dielectric constant ${\varepsilon}_r$, piezoelectric $d_{33}$ constant and mechanical quality factor $Q_m$ showed the optimum value of $7.84g/cm^3$, 0.543, 1,392, 318.7 pC/N, 1,536, respectively for low loss multilayer ceramics actuator application.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2005년도 춘계학술대회
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• pp.154-159
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• 2005

Low RF power density was used for preparing transparent conducting AI-doped ZnO (AZO) thin films by RF Magnetron Sputtering on Corning 1737 glass. The dependence of films' structural, optical and electrical properties on sputtering gas, film's thickness and substrate temperature were investigated. Low percent of incorporated H2 in Ar sputtering gas has proven to reduce film's resistivity and sheet resistance as low as $4.1\times10^{-3}{\Omega}.cm$. It also formed new preferred peaks orientation of (101) and (100) which indicated that the c-axis of AZO films was parallel to the substrate. From UN-VIS-NIR Spectrophotometer analysis, it further showed high optical transmittance at about $\~ 90\%$ at visible light spectra (400-700nm).