Aluminum nitride (AIN) thin films were deposited on a polycrystalline 3C-SiC intermediate layer by a pulsed reactive magnetron sputtering system. Characteristics of the AIN/SiC heterostructures were investigated by field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), and Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR). The columnar structure of AIN thin films was observed by FE-SEM. The surface roughness of AlN films on the 3C-SiC buffer layer was measured using AFM. The XRD pattern of AlN films on SiC buffer layers was highly oriented at (002). Full width at half maximum (FWHM) of the rocking curve near (002) reflections was $1.3^{\circ}$. The infrared absorbance spectrum indicated that the residual stress of AIN thin films grown on SiC buffer layers was nearly negligible. The 3C-SiC intermediate layers are promising for the realization of nitride based electronic and mechanical devices.
TiAlN films were deposited on WC-5Co substrates with different buffer layers by D.C. magnetron sputtering. The films were evaluated by microstructural observations and measuring of preferred orientation, hardness value, and adhesion force. As a process variable, various buffer layers were used such as TiAlN single layer, TiAlN/TiAl, TiAlN/TiN and TiAlN/CrN. TiAlN coating layer showed columnar structures which grew up at a right angle to the substrates. The thickness of the TiAlN coating layer was about $1.8{\mu}m$, which was formed for 200 minutes at $300^{\circ}$. XRD analysis showed that the preferred orientation of TiAlN layer with TiN buffer layer was (111) and (200), and the specimens of TiAlN/TiAl, TiAlN/CrN, TiAlN single layer have preferred orientation of (111), respectively. TiAlN single layer and TiAlN/TiAl showed good adhesion properties, showing an over 80N adhesion force, while TiAlN/TiN film showed approximately 13N and the TiAlN/CrN was the worst case, in which the layer was destroyed because of high internal residual stress. The value of micro vickers hardness of the TiAlN single layer, TiAlN/TiAl and TiAlN/TiN layers were 2711, 2548 and 2461 Hv, respectively.
This paper presents an output arbitrator for input buffering ATM (Asynchronous Transfer Mode) switches using neural networks. To avoid blocking in ATM switches with blocking characteristics, it is required to buffer ATM cells in input buffer and to schedule them. The N$\times$N request matrix is divided into N/16 submatrices in order to get rid of internal blocking systematically in scheduling phase. The submatrices are grouped into N/4 groups, and the cells in each group are switched alternatively. As the window size of input buffer is increases, the number of input cells switched in a time slot approaches to N. The selection of nonblocking cells to be switched is done by neural network modules. N/4 neural network modules are operated simultaneously. Fast selection can be achieved by massive parallelism of neural networks. The neural networks have 4N neurons and 14N connection. The proposed method is implemented in C language, and the simulation result confirms the feasibility of this method.
This paper describes the frequency response of two-port surface acoustic wave (SAW) resonator made of 002-polycrystalline aluminum nitride (AlN) thin film on 111-poly 3C-SiC buffer layer. In there, Polycrystalline AlN thin films were deposited on polycrystalline 3C-SiC buffer layer by pulsed reactive magnetron sputtering system, the polycrystalline 3C-SiC was grown on $SiO_2$/Si sample by CVD. The obtained results such as the temperature coefficient of frequency (TCF) of the device is about from 15.9 to 18.5 ppm/$^{\circ}C$, the change in resonance frequency is approximately linear (30-$150^{\circ}C$), which resonance frequency of AlN/3C-SiC structure has high temperature stability. The characteristics of AlN thin films grown on 3C-SiC buffer layer are also evaluated by using the XRD, and AFM images.
AIN과 저온 GaN 완충충율 이용하여 Si 기판 위의 후막 GaN의 성장특성을 조샤하였다. Si과 GaN의 격자부정합도와 열팽창계수의 차이를 줄이기 위해 AIN과 저온 GaN를 완충충으로 사용하였다. AIN은 RF sputter를 이용하여 중착온도와 증착시간 및 RF power에 따른 표면 거칠기를 AFM으로 조사하여 최척조건을 확립하여 사용하였다. 또한 저온에서 GaN를 성장시켜 이를 완충충으로 이용하여 후막 GaN의 성장시 미치는 영향을 살펴보았다. 성장온도와 V/III 비율이 후막 성장시 표면특성과 결정성 및 성장속도에 미치는 영향을 조사하였다. 후막 GaN의 표연특성 및 막의 두께는 SEM과 $\alpha-step$을 이용하여 측정하였으며 결정성은 X-ray Diffractometer를 이용하여 조사하였다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
/
제18권3호
/
pp.125-128
/
2017
This study is on how ohmic area etching affects the buffer breakdown voltage of AlGaN/GaN HEMT. The surface morphology of the ohmic metal can be improved by whole etching on the ohmic area. The buffer breakdown voltages of the samples with whole etching on the ohmic area were improved by the suppression of the metal spikes formed under the ohmic contact regions during high-temperature annealing. The samples with selective etching on the ohmic area were investigated for comparison. In addition, the buffer leakage currents were measured on the different radii of the wafer, and the uniformity of the buffer leakage currents on the wafer were investigated by PL mapping measurement.
Transparent indium tin oxide (ITO) anode surface was modified using $O_3$ Plasma and organic ultrathin buffer layers were deposited on the ITO surface using 13.56 MHz RF plasma polymerization technique. The EL efficiency, operating voltage and lifetime of the organic light-emitting device (OLED) were investigated in order to study the effect of the plasma surface treatment and role of plasma polymerized organic ultrathin buffer layer. Poly methylmethacrylate (PMMA) layers were plasma polymerized on the ITO anode as buffer layer between anode and hole transport layer (HTL). The plasma polymerization of the organic ultrathin layer were carried out at a homemade capacitive-coupled RF plasma equipment. N,N'-diphenyl-N,N'(3- methylphenyl)-1,1'-diphenyl-4,4'-diamine (TPD) as HTL, Tris(8-hydroxyquinolinato) Aluminum $(Alq_3)$ as both emitting layer (EML)/electron transport layer (ETL), and aluminum layer as cathode were deposited using thermal evaporation technique. Effects of the plasma surface treatment of ITO and plasma polymerized buffer layers on the OLED performance were discussed.
TiN/Ti is the best buffer layer between PZT thin film and si substrate among the Ti, TiN, ZrN, TiN/Ti, ZrN/Ti. The amorphous PZT films deposited on TiN/Ti buffer layer directly transform into perovskite phase when rapid thermal annealed for 30sec above 55$0^{\circ}C$. As Rapid Thermal Annealing(RTA) temperature increased, the remanent polarization(Pr) and dielectric constant($\varepsilon$r) increased and then showed Pr=21 $\varepsilon$r=593 when rapid thermal annealed 80$0^{\circ}C$ for 30sec. On the contrary the leakage current increased with increasing RTA temperature due to the formation of void made by Pb evaporationand grain cohesion.
밭작물에 대한 규산질 비료의 시용이 널리 이루어지고 있으나 적정시용수준이 밝혀져 있지 못하며 또한 밭토양에서의 유효규산 측정방법이 구명되어있지 못한 실정이다. 본 연구는 참외 시설재배지 토양에 대하여 유효규산 측정방법을 구명하기 위해 수행되었다. 경북 성주지역의 참외 시설재배지,10개소의 토양과 참외 잎 시료를 채취하여 가용성 토양 규산 함량과 잎 중의 총 규산 함량을 분석하였다. 가용성 토양 규산은 0.5 N HCI, 1 N sodium acetate buffer (pH 4.0). citric acid 1%, water, Tris buffer (pH 7.0), 그리고 1주간 담수하는 방법 등으로 추출하였으며, 식물체 규산은 autoclave 방법으로 추출하였다. 추출액중의 가용성 규산은 비색법으로 정량하였다. 각 추출방법별로 가용성 토양규산 함량과 식물체규산 함량과의 관계를 비교하였는데, 1 N sodium acetate buffer 방법이 토양 규산과 식물체 규산 관계를 가장 뚜렷한 포화곡선으로 나타내었다. 포화곡선으로부터 산출된 참외 잎 중의 포화 규산 함량은 약 $14g\;SiO_2\;kg^{-1}$이었고 1 N sodium acetate buffer 방법으로 추출할 경우토양 규산 함량 $120mg\;SiO_2\;kg^{-1}$이 참외에 적정한 수준인 것으로 나타났다. 특히 1 N sodium acetate buffer방법의 경우 참외 잎 중의 규산 함량이 포화되는 수준 이하의 토양 규산 함량 범위에서는 토양 규산 함량과 식물체 규산 함량 사이에 유의성 있는 상관관계가 있었다. 따라서 현재 우리나라에서 논토양의 유효규산 측정방법으로 널리 사용퇴고 있는 1 N sodium acetate buffer를 이용한 유효규산 추출방법이 밭토양에도 적용될 수 있을 것으로 판단되나 앞으로 다양한 작물과 토양을 대상으로 계속적인 연구가 요구된다.
In this study, we fabricated an amorphous InGaZnO pseudo-MOS transistor (a-IGZO ${\Psi}$-MOSFET) with a stacked $Si_3N_4/SiO_2$ (NO) gate dielectric and evaluated reliability of the devices with various thicknesses of a $SiO_2$ buffer layer. The roles of a $SiO_2$ buffer layer are improving the interface states and preventing degradation caused by the injection of photo-created holes because of a small valance band offset of amorphous IGZO and $Si_3N_4$. Meanwhile, excellent electrical properties were obtained for a device with 10-nm-thick $SiO_2$ buffer layer of a NO stacked dielectric. The threshold voltage shift of a device, however, was drastically increased because of its thin $SiO_2$ buffer layer which highlighted bias and light-induced hole trapping into the $Si_3N_4$ layer. As a results, the pseudo-MOS transistor with a 20-nm-thick $SiO_2$ buffer layer exhibited improved electrical characteristics and device reliability; field effective mobility(${\mu}_{FE}$) of 12.3 $cm^2/V{\cdot}s$, subthreshold slope (SS) of 148 mV/dec, trap density ($N_t$) of $4.52{\times}1011\;cm^{-2}$, negative bias illumination stress (NBIS) ${\Delta}V_{th}$ of 1.23 V, and negative bias temperature illumination stress (NBTIS) ${\Delta}V_{th}$ of 2.06 V.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.