• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제7권4호
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• pp.23-29
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• 2000

사용되는 metal구분 없이 반도체 공정장비들을 사용함으로써 cross-contamination을 유발시킬 수 있다. 특히, copper(Cu)는 확산이 쉽게 되어 cross-contamination에 의해 수 ppm정도가 wafer에 오염되더라도 트랜지스터의 leakage current발생 요인으로 작용할 수 있기 때문에 Si-IC성능에 치명적인 영향을 미칠 수 있는데, Si-LSI 실험실에서 할 수 있는 공정과 Si-LSI 실험실을 나와 할 수 있는 공정으로 구분하여 최대한 Si-LSI 장비를 공유함으로써 최소한의 장비로 Cu cross-contamination문제를 해결할 수 있다. 즉, 전기도금을 할 때 전극으로 사용되어지는 TiW/Al sputtering, photoresist (PR) coating, solder bump형성을 위한 via형성까지는 Si-LSI 실험실에서 하고, 독립적인 다른 실험실에서 Cu-seed sputtering, solder 전기도금, 전극 etching, reflow공정을 하면 된다. 두꺼운 PR을 얻기 위하여 PR을 수회 도포(multiple coaling) 하고, 유기산 주석과 유기산 연의 비를 정확히 액 조성함으로서 Sn:Pb의 조성비가 6 : 4인 solder bump를 얻을 수 있었다. solder를 도금하기 전에 저속 도금으로 Cu를 도금하여, PR 표면의 Cu/Ti seed층을 via와 PR표면과의 저항 차를 이용하여 PR표면의 Cu-seed를 Cu도금 중에 etching 시킬 수 있다. 이러한 현상을 이용하여 선택적으로 via만 Cu를 도금하고 Ti층을 etching한 후, solder를 도금함으로써 저 비용으로 folder bump 높이가 60 $\mu\textrm{m}$ 이상 높고, 고 균일/고 밀도의 solder bump를 형성시킬 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1996년도 추계학술대회 논문집
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• pp.389-392
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• 1996

The recent development of high temperature superconducting epitaxial thin film offer great potential for planar passive microwave application such as ring resonator, filters, transmission lines, and antennas. This paper describes the fundamental properties of Microstrip Band-Pass Filter using HTS Thin Film and its application to microwave devices. In order to fabricate HTS microstrip multiple filters, We have grown laser ablated HTS thin films, patterned by photolithographic process and wet etching processes intro HTS microwave devices.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1999년도 제16회 광학 및 양자전자 학술발표회Proceedings of 16th Optics and Quantum Electronics Conference, 1999
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• pp.216-217
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• 1999

A tapered ridge mode laser diode with increased spot size is designed and analyzed . The mode evolution concept is applied to design the taper and the method does not require regrowth or multiple-step etching technique. Three-dimensional BPM results show that the designed taper can transfer more than 97% of the mode power in the active region to the expanded mode.

• 통합자연과학논문집
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• 제5권1호
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• pp.27-31
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• 2012

Relationship between reflection resonance and applied current density in Bragg photonic crystal has been investigated. Multiple bit encodes of distributed Bragg reflector features have been prepared by electrochemical etching of crystalline silicon by using various square wave current densities. Optical characterization of multi-encoding of distributed Bragg reflectors on porous silicon was achieved by Ocean optics 2000 spectrometer for the search of possible applications of multiple bit encoding of distributed Bragg reflectors such as multiplexed assays and chemical sensors. The morphology and cross-sectional structure of multi-encoded distributed Bragg reflectors was investigated by field emission scanning electron micrograph.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제40권4호
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• pp.299-305
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• 2015

Objectives: The purpose of this study was to investigate the effectiveness of multiple decontamination procedures for salivary contamination after curing of a universal adhesive on dentin bond strength according to its etch modes. Materials and Methods: Forty-two extracted bovine incisors were trimmed by exposing the labial dentin surfaces and embedded in cylindrical molds. A universal adhesive (All-Bond Universal, Bisco) was used. The teeth were randomly divided into groups according to etch mode and decontamination procedure. The adhesive was applied according to the manufacturer's instructions for a given etch mode. With the exception of the control groups, the cured adhesive was contaminated with saliva for 20 sec. In the self-etch group, the teeth were divided into three groups: control, decontamination with rinsing and drying, and decontamination with rinsing, drying, and adhesive. In the etch-and-rinse group, the teeth were divided into four groups: control, decontamination with rinsing and drying, decontamination with rinsing, drying, and adhesive, and decontamination with rinsing, drying, re-etching, and reapplication of adhesive. A composite resin (Filtek Z350XT, 3M ESPE) was used for filling and was cured on the treated surfaces. Shear bond strength was measured, and failure modes were evaluated. The data were subjected to one-way analysis of variation and Tukey's HSD test. Results: The etch-and-rinse subgroup that was decontaminated by rinse, drying, re-etching, and reapplication of adhesive showed a significantly higher bond strength. Conclusions: When salivary contamination occurs after curing of the universal adhesive, additional etching improves the bond strength to dentin.

• 한국광학회지
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• 제17권5호
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• pp.437-446
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• 2006

본 연구에서는 레이저유도 에칭기술을 이용한 스테인레스강의 고세장비 미세채널 제조에 대하여 기술한다. 공정 변수 최적화와 반복에칭을 통하여 높은 세장비를 갖는 미세채널을 제조하였으며 제조된 미세채널은 레이저출력과 에칭용액의 농도를 적절하게 조절함으로써 U 형상과 V 형상 사이의 단면 구조를 가지며 열변형이 없는 우수한 표면 형상을 보였다. 채널과 채널 사이의 간격은 $150{\mu}m$ 또는 그 이하이며 $15{\sim}50{\mu}m$ 범위의 폭을 갖는 10 이상의 고세장비 미세채널이 제조되었다. 레이저출력, 레이저초점의 이송속도, 에칭용액의 농도 등의 공정 변수들이 제조된 채널의 폭, 깊이 그리고 단면 형상에 미치는 영향에 대하여 자세히 보고한다.

• 대한치과교정학회지
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• 제27권5호
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• pp.771-779
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• 1997

본 연구의 목적은 법랑질 표면에 대한 산부식시간의 차이가 법랑질 표면의 부식형태, 교정장치의 전단접착강도 및 탈락 양상에 미치는 영향을 알아보는 것이다. 교정치료를 위해 발거된 하악 소구치의 법랑질을 $37\%$ 인산 용액을 이용하여 동일한 방법으로 각각 5, 10, 15, 30, 45, 60, 90, 120초 동안 부식시킨 후 법랑질 표면을 주사전자현미경으로 관찰하고, 교정장치를 접착한 후 Instron universal testing machine을 이용하여 전단접착강도를 측정하고 교정장치의 탈락 양상을 관찰하여 다음과 같은 결론을 얻었다. 1. 산부식시간을 5-120초 범위에서 변화시켜도 교정장치의 전단접착강도는 통계학적으로 유의성 있는 차이가 없었다(p<0.05). 2. 산부식시간에 따른 교정 장치의 탈락 양상은 15초 이하 부식군(5, 10, 15초)과 30초 이상 부식군(30, 45, 60, 60, 120초) 사이에 차이가 있었다. 즉, 15초 이하 부식군에서는 접착제/법랑질 경계부 탈락이 상대적으로 많았으나, 30초 이상 부식군에서는 접착제/교정장치 경계부 탈락이 많았다. 3. 법랑질 표면의 부식형태는 매우 다양하였으며 동일한 법랑질 표면에서도 여러 가지 형태의 부식 소견이 관찰되었다. 또한 법랑질 부식형태와 교정장치의 접착강도 사이에 연관성을 발견할 수 없었다. 4. 본 연구의 결과는 실험적 조건에서는 부식시간을 5초로 단축하여도 임상적으로 유용한 접착강도를 얻을 수 있음을 보여주고 있다. 그러나, 15초 이하 부식군에서 나타난 탈락 양상에 대해서는 더 많은 연구가 이루어져야 할 것으로 여겨진다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제10권2호
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• pp.35-39
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• 2009

A novel Helmholtz coil inductively coupled plasma(H-ICP) etcher is proposed and characterized for deep nano-scale CMOS technology. Various hardware tests are performed while varying key parameters such as distance between the top and bottom coils, the distance between the chamber ceiling and the wafer, and the chamber height in order to determine the optimal design of the chamber and optimal process conditions. The uniformity was significantly improved by applying the optimum conditions. The plasma density obtained with the H-ICP source was about $5{\times}10^{11}/cm^3$, and the electron temperature was about 2-3 eV. The etching selectivity for the poly-silicon gate versus the ultra-thin gate oxide was 482:1 at 10 sccm of $HeO_2$. The proposed H-ICP was successfully applied to form multiple 60-nm poly-silicon gate layers.

• 대한치과교정학회지
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• 제28권5호
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• pp.803-812
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• 1998

도재의 표면처리가 세라믹 브라켓의 전단 접착강도에 미치는 영향과 브라켓 탈락 양상을 알아보기 위해 60개의 ceradent 도재 시편을 glazing 후 군당 10개씩 여섯 군으로 다음과 같이 분류하였다: 1군(silane), 2군(etching+silane), 3군(stone+silane), 4군(sandblasting+silane), 5군(stone+etching+silane), 6군(sandblasting+etching+silane) 통상적인 방법으로 세라믹 브라켓을 접착한 후 전단 접착강도를 측정하고 탈락양상을 육안 및 주사전자현미경으로 관찰하여 다음과 같주 결론을 얻었다. 1. 표면처리 후 silane을 도포한 2군부터 6군은 silane만을 도포한 1군에 비해 유의성 있는 전단 접착강도의 증가를 보였다(P<0.05). 2. 한 가지 방법 이상으로 표면처리한 3군부터 6군은 서로 유의한 차이를 보이지 않았다(P>0.05). 3. etching 표면 처리한 2군은 sandblasting 표면 처리한 4군과 복합 표면 처리한 5,6 군에 비해 전단 접착 강도가 낮았다. (p<0.05) 4. sandblasting 표면 처리한 4군은 주사 전자 현미경 소견상 복합 처리한 5,6군보다 감소된 요철 정도를 보였으나 전단접착 강도 측정 결과 유의한 차이를 보이지 않았다. (p>0.05) 이상의 결론을 종합해볼 때 도재에 세라믹 브라켓을 접착하기 위해서는 한가지 이상의 방법에 의한 도재의 표면처리 후 silane을 도포해야 임상적으로 적절한 접착강도를 얻을 수 있으며, 술식의 간편성을 고려할 때 sandblasting 후 silane 처리를 하는 것이 효율적일 것으로 사료된다.

• 한국항행학회논문지
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• 제26권6호
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• pp.516-521
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• 2022

본 논문에서는 변형된 전계-결합 유도-용량성(ELC; electric field-coupled inductive-capacitive) 공진기와 다중 슬롯 공진기를 이용한 소형 4-비트 chipless RFID(radio frequency identification) 태그를 제안하였다. 변형된 ELC 공진기는 기존의 ELC 공진기에서 인터디지털-커패시터 구조를 사용하여 레이다 단면적(RCS; radar cross section)의 공진 피크 주파수를 낮추었다. 다중 슬롯 공진기는 거꾸로 된 U-모양의 도체에 길이가 다른 3개의 슬롯을 에칭하여 설계하였다. 변형된 ELC 공진기의 RCS 공진 피크 주파수는 3.216 GHz로 설계하였고, 다중 슬롯 공진기는 각각 4.122 GHz, 4.64 GHz, 5.304 GHz로 설계하였다. 제안된 소형 4-비트 태그를 두께 0.8 mm의 50 mm×20 mm 크기의 RF-301 기판에 제작하였다. 실험 결과, 제작된 4-비트 chipless RFID 태그의 공진 피크 주파수는 3.285 GHz, 4.09 GHz, 4.63 GHz, 5.31 GHz로 0.78% ~ 2.16% 범위의 오차를 나타내며 시뮬레이션 결과와 유사하게 측정되었다.