• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제39권1호
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• pp.52-57
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• 2015

본 논문에서는 MMIC(Monolithic microwave integrated circuit) 상에서 초소형 무선 통신 시스템에서의 응용을 위해 반전된 형태의 주기적으로 배치된 용량성 소자를 이용한 전송선로(IPACD, Inverted Periodically Arrayed Capacitive Devices)의 RF 특성을 연구하였다. 측정 결과, 본 논문에서 제안하는 반전된 형태의 주기적으로 배치된 용량성 소자를 이용한 전송선로는 기존의 마이크로스트립 전송선로는 선로파장의 11.85%로 단파장의 성능을 보였고, 전파상수, 유효 유전율은 기존의 전송선로에 비하여 훨씬 높은 결과를 보여주었다. PACD(periodically arrayed capacitive devices) 선로구조에 비해 삽입손실이 1~10 GHz에서 22.6%정도 개선되었다. 또한 IPACD 선로구조의 등가회로를 closed-form 방정식을 통하여 이론적으로 해석하였으며, 실질적인 대역폭의 의미를 가지는 1차 통과대역에서의 차단 주파수는 129.2 GHz로 나타나 광대역의 특성을 보여주었다.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제34권6호
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• pp.840-845
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• 2010

본 논문에서는 MMIC상에서 온칩용 수동소자 제작을 위해서, 주기적으로 배치된 용량성 소자를 이용한 단파장 전송선로를 제안하였다. 제안된 PACD(periodically arrayed capacitive devices) 선로 구조는 기존의 마이크로스트립 선로에 비해 매우 짧은 선로파장 특성을 보였다. PACD 선로 구조는 주파수 5GHz에서 기존의 마이크로스트립 선로 파장의 8%의 파장단축 효과를 보였고, PPGM구조의 선로 파장의 38%의 파장단축 효과를 나타내었다. 이러한 PACD선로 구조는 MMIC상에서 온칩용 수동소자 제작에 유용한 특성으로 판단된다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권5호
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• pp.1023-1028
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• 2012

본 논문에서는 비접촉 마이크로웨이브 프루브 시스템의 I/Q demodulator를 위한 MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) mixer chip을 GaAs p-HEMT 공정의 Schottky 다이오드를 이용하여 설계 및 제작하였다. 프루브 시스템의 I/Q demodulator 구조를 단순화하기 위해 single balanced 구조의 mixer를 채택하였다. Single balanced mixer에서 $90^{\circ}$hybrid coupler와 ${\lambda}/4$ 전송선로를 이용하여 $180^{\circ}$hybrid를 설계하였으며 이를 MIM 커패시터와 spiral 인덕터를 이용하여 구현함으로써 mixer chip의 크기를 줄일 수 있었다. On-wafer 측정 결과, 본 논문의 MMIC mixer는 1650MHz ~ 2050MHz의 RF 및 LO 주파수 대역을 포함하고 있으며, 응용 주파수 대역 내에서 RF 및 LO의 변화에 대해 약 12dB 이하의 평탄한 변환손실(conversion loss) 특성을 나타내었다. 또한, MMIC mixer chip은 $2.5mm{\times}1.7mm$의 초소형 크기를 가지며 LO-IF 및 RF-IF의 격리도는 각각 43dB 및 23dB 이상의 특성을 나타내었다.

• ETRI Journal
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• 제35권3호
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• pp.546-549
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• 2013

A Ka-band 6-W high power microwave monolithic integrated circuit amplifier for use in a very small aperture terminal system requiring high linearity is designed and fabricated using commercial 0.15-${\mu}m$ GaAs pHEMT technology. This three-stage amplifier, with a chip size of 22.1 $mm^2$ can achieve a saturated output power of 6 W with a 21% power-added efficiency and 15-dB small signal gain over a frequency range of 28.5 GHz to 30.5 GHz. To obtain high linearity, the amplifier employs a class-A bias and demonstrates an output third-order intercept point of greater than 43.5 dBm over the above-mentioned frequency range.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제31권6호
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• pp.777-783
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• 2007

In this work, a highly integrated downconverter MMIC employing HBT(heterojunction bipolar transistor) was developed for application to one chip tranceiver solution of Ku-band commercial wireless communication system. The downconverter MMIC (monolithic microwave integrated circuit) includes mixer filter. amplifier and input/output matching circuit. Especially, spiral inductor structures employing SiN film were used for a suppression of LO and its second harmonic leakage signals. Concretely, they were properly designed so that the self-resonance frequency was accurately tuned to LO and its second harmonic frequency, and they were integrated on the downconverter MMIC.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제37권1호
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• pp.105-113
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• 2013

본 논문에서는 ${\pi}$형 다중결합선로와 RCR 삽입구조를 이용하여 양호한 절연특성을 가짐과 동시에, 종래에 비해 상당히 축소된 형태의 초소형 윌킨슨 전력분배기를 GaAs MMIC상에 구현하였다. 본 논문에서 제안한 RCR 삽입설계법에 의해 윌킨슨 전력분배기의 선로길이가 ${\lambda}$/46까지 축소되어도 중심주파수에서 -23 [dB]의 절연특성이 유지되었으며, -8 [dB]의 절연특성을 가지는 종래의 ${\pi}$형 다중결합선로 윌킨슨 전력분배기에 비해 절연특성이 개선되었다. 본 논문에서 제안한 윌킨슨 전력분배기의 면적은 0.304 [$mm^2$]로서 GaAs상에 동일한 조건으로 제작된 종래의 윌킨슨 전력분배기 면적의 12.1%밖에 되지 않는다. 상기 윌킨슨 전력분배기는 C/X 밴드에서 양호한 RF 특성을 나타내었다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제10권6호
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• pp.653-658
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• 2015

본 논문에서는 MMIC(: Monolithic Microwave Integrated Circuit) 설계에 적용 가능한 결함 접지면 구조의 사각 분리형 링 공진기를 제안한다. 본 논문에서는 공진기의 등가회로 파라미터를 공진기의 측정된 특성 값으로부터 수식적으로 계산하는 방법을 나타내었다. 본 논문에서 제안하는 방법을 검증하기 위해 공진주파수가 2.95 GHz인 결함 접지면 구조의 사각 분리형 링 공진기를 제작하여 특성을 측정하고 그것을 본 논문의 방법대로 등가 파라미터를 계산하였다. 이 결과를 시뮬레이션한 결과와 비교하여 일치함을 보였다.

• ETRI Journal
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• 제31권3호
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• pp.247-253
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• 2009

We propose a Ku-band driver and high-power amplifier monolithic microwave integrated circuits (MMICs) employing a compensating gate bias circuit using a commercial 0.5 ${\mu}m$ GaAs pHEMT technology. The integrated gate bias circuit provides compensation for the threshold voltage and temperature variations as well as independence of the supply voltage variations. A fabricated two-stage Ku-band driver amplifier MMIC exhibits a typical output power of 30.5 dBm and power-added efficiency (PAE) of 37% over a 13.5 GHz to 15.0 GHz frequency band, while a fabricated three-stage Ku-band high-power amplifier MMIC exhibits a maximum saturated output power of 39.25 dBm (8.4 W) and PAE of 22.7% at 14.5 GHz.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제18권2호
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• pp.101-107
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• 2018

The impedance bandwidth and radiation characteristics of an aperture-coupled microstrip line-fed patch antenna (ACMPA) with a high permittivity (${\varepsilon}_r=10$) feed substrate suitable for integration with a monolithic microwave integrated circuit (MMIC) are investigated for various feed substrate thicknesses through an experiment and computer simulation. The impedance bandwidth of an ACMPA with a high permittivity feed substrate increases as the feed substrate thickness decreases. Furthermore, the front-to-back ratio of an ACMPA with a high permittivity feed substrate increases and the cross-polarization level decreases as the feed substrate thickness decreases. As the impedance bandwidth of an ACMPA with a high permittivity feed substrate increases and its radiation characteristics improve as the feed substrate thickness decreases, the ACMPA configuration becomes suitable for integration with an MMIC.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 ITC-CSCC -2
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• pp.1054-1057
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• 2002

The design and fabrication of Q-band 3-stage monolithic microwave integrated circuit(MMIC) amplifier for WLAN are presented using 0.2$\square$ AIGaAs/lnGaAs/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT). In each stage of the MMIC, a negative feedback is used for both broadband and good stability. The measurement results are achieved as an input return loss under -4dB, an output return loss under -10dB, a gain of 14dB, and a PldB of 17dBm at Q-band(36～44GHz). These results closely match with design results. The chip size is 2.8${\times}$1.3mm$^2$. This MMIC amplifier will be used as the unit cell to develop millimeter-wave transmitters for use in wideband wireless LAN systems.