• ETRI Journal
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• 제31권6호
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• pp.778-783
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• 2009

To fabricate uniform and reliable thin gold stripes that provide low-loss optical waveguides, we developed a novel liftoff process placing an additional $SiN_x$ layer under conventional photoresists. By patterning a photoresist and over-etching the $SiN_x$, the photoresist patterns become free-standing structures on a lower-cladding. This leads to uniform metal stripes with good reproducibility and effectively removes parasitic structures on the edge of the metal stripe in the image reversal photolithography process. By applying the newly developed process to polymer-based gold stripe waveguide fabrication, we improved the propagation losses about two times compared with that incurred by the conventional image-reversal process.

• 전자공학회논문지 IE
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• 제48권2호
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• pp.1-5
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• 2011

HVPE법으로 $3{\mu}m$의 GaN epi를 성장하고 이 위에 DC 마그네트론 Sputter를 이용하여 Ti stripe 패턴 형성하였으며 다시 HVPE를 이용하여 $120{\mu}m$ ~ $300{\mu}m$ 두께의 GaN를 overgrowth하였다. 성장된 GaN는 SEM 측정으로 Ti 패턴한 부분에서 void가 관찰되었고 보다 두꺼운 GaN를 성장시에는 크랙이 void를 따라 발생할 수 있음을 확인하였으며 XRD측정으로 FWHM은 188 arcsec로 측정되었다. 성장전의 GaN epi와의 반치폭을 비교하였을 때 패턴에 사용된 Ti는 overgrowth시 결정성에는 크게 영향을 주지 않는다는 것을 확인하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제24권4호
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• pp.145-150
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• 2014

3차원적 선택적 결정 성장 방법에 의해 GaN stripe 구조의 꼭지점 부분에만 GaN 나노로드를 성장하였다. GaN stripe의 꼭지점 부분의 $SiO_2$ 만을 최적화된 포토리소그라피 공정을 이용하여 제거하고 이를 선택적 결정 성장을 위한 마스크로 사용하였다. $SiO_2$가 제거된 꼭지점 부근에만 Au 금속을 증착하고, metal organic vapor phase epitaxy(MOVPE) 방법에 의해 GaN stripe의 꼭지점 부분에만 GaN 나노로드의 선택적 성장을 실시하였다. GaN 나노로드의 형상과 크기는 결정 성장 온도와 III족 원료의 공급량에 의해 변화가 있음을 확인하였다. Stripe 꼭지점에 성장된 GaN 나노로드는 단면이 삼각형형태를 가지고 있으며 끝으로 갈수록 점점 폭이 좁아지는 테이퍼 형상을 가지며 성장되었다. TEM 관측 결과, 매우 좁은 영역에서만 선택적 결정 성장이 이루어졌기 때문에 GaN 나노로드에서 관통전위(threading dislocations)는 거의 관찰되지 않음을 확인하였다. 선택성장이 시작되는 부분의 결정면과 GaN 나노로드의 성장방향의 결정면 방향의 차이에 기인하는 적층결함(stacking faults)들이 GaN 나노로드의 중심영역에서 생성되는 것을 관찰할 수 있었다.

• KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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• 제5C권1호
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• pp.39-43
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• 2005

We proposed a structure for a 1.55 ㎛ strained separate confinement heterostructure (SCH) multi- quantum well (MQW) superluminescent diode (SLD), having a tapered active region. SLD was fabricated through a two-step procedure: the first step being metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) and the second-step being liquid phase epitaxy (LPE). We used a 15 laterally tilted stripe and window region to suppress the lasing action of the SLD. The performance of the SLD showed output power of 11 mW with no lasing under 200 mA pulse driving. The full-width at half-maximum was 42 nm at 200 mA, 25℃.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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• pp.987-989
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• 2006

1.52" $130(RGB){\times}130$ full color PM OLED device with $70\;{\mu}m{\times}210\;{\mu}m$ of sub-pixel pitch was fabricated using shadow mask method for metal cathode deposition. Instead of conventional patterning process to form cathode separator via photolithography, regularly patterned shadow mask was applied to deposit metal cathode in this OLED display. Metal cathode was patterned via 2-step evaporation using shadow mask with shape of rectangular stripe and its alignment margin is $2.5\;{\mu}m$. Technical advantages of this method include reduction of process time according to skipping over photolithographic process for cathode separator and minimizing pixel shrinkage caused by PR cathode separator as well as improving lifetime of OLED device.

• 한국방사선학회논문지
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• 제14권7호
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• pp.1003-1011
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• 2020

본 연구는 듀얼 에너지 CT를 사용하여 금속인공물을 감소시키는 기법을 적용함에 있어 단일 선원과 이중 선원간의 영상 차이를 비교 평가하고자 한다. 단일 선원 장치로는 Discovery CT 256(GE, USA), 이중 선원 장치로는 Somatom Definition Flash(Siemens Health Care, Forchheim, Germany)를 이용하였다. 자체 제작한 팬텀(의료용 Titanium Screw를 삽입한 돼지다리)을 이중에너지 CT를 이용하여 동일 조건하에 선량을 변화시키며 영상을 얻은 후 정량적, 정성적 평가 하였다. 평가 방법으로는 뼈 주변, 조직 주변으로 나누고 금속삽입물로 인해 발생한 금속인공물(선속경화, 산란, 줄무늬)에 대하여 SNR을 측정하여 비교 분석하였다. 단일 선원 장치와 이중 선원 장치 간 금속 인공물 감소기법에는 영상의 차이가 있었다. 단일 선원 장치에서는 금속삽입물에 의한 선속경화 인공물이 이중 선원 장치에서 얻은 영상보다 많은 감소를 보이며 인공물의 방해 없이 주변 조직부가 잘 관찰 되었다. 이중 선원 장치에서는 금속삽입물에 의한 산란과 줄무늬 인공물이 단일 선원 장치에서 보다 많은 감소를 보이며 금속삽입물을 둘러싼 인접 조직들의 신호가 감소 없이 잘 관찰 되었다. 환자를 검사 시 보고자 하는 부위가 금속삽입물에 인접한 주변 조직이냐, 금속삽입물을 감싸는 전체적 조직이냐에 따라 단일 선원 장치와 이중 선원 장치를 구분하여 검사가 행해진다면 진단적으로 도움이 되는 영상을 획득할 수 있을 것으로 생각된다.

• 한국재료학회지
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• 제26권10호
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• pp.528-534
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• 2016

The aim of this paper is to consider the effect of the manufacturing processes on corrosion and centerline cracking of ancient bronze spoons. The ancient bronze spoons in question were made by several steps of forging, in reheated condition with cast ingots. The manufacturing method is similar to that of the modern spoons. The investigations include observations from light and scanning electron microscopes of the microstructure in terms of the crack propagation. Cracks in the centerline are caused by solute segregation in the center-line region; this solute is solidified in the final stage of bronze spoon manufacture. Centerline cracking is also caused by ${\alpha}$ phase segregation, accompanied by forged overlapping along the longitudinal direction of the spoons. A vertical stripe with cracks along the centerline of the spoon's width is formed by folding in the wrought process. The overlapping area causes crack propagation with severe corrosion on the spoon surfaces over a period of a thousand years. The failure mechanisms of ancient bronze spoons may be similar to that of modern spoons, and the estimation of the failure mechanisms of ancient spoons can be appropriate to determine failure causes for such modern spoons.

• 대한용접접합학회:학술대회논문집
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• 대한용접접합학회 2002년도 춘계학술발표대회 개요집
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• pp.68-70
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• 2002

A CCD camera with a laser strip was applied to realize the automation of welding process in GMAW. The Hough transformation was used to extract the laser stripe and to obtain specific weld points. In this study, a neural network based on the generalized delta rule algorithm was adapted for the process control of GMA, such as welding speed, arc voltage and wire feeding speed.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2002년도 추계학술대회 논문집
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• pp.558-561
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• 2002

A CCD camera with a laser strip was applied to realize the automation of welding Process in GMAW. It takes relatively long time to process image on-line control using the basic Hough transformation, but it has a tendency of robustness over the noise such spatter and arc light. The adaptive Hough transformation was used to extract the laser stripe and to obtain specific weld points In this study, a neural network based on the generalized delta rule algorithm was adapted for the process control of GMA, such as welding speed, arc voltage and wire feeding speed.

• ETRI Journal
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• 제37권5호
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• pp.951-960
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• 2015

For a conventional power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET), there is a trade-off between specific on-state resistance and breakdown voltage. To overcome this trade-off, a super-junction trench MOSFET (TMOSFET) structure is suggested; within this structure, the ability to sense the temperature distribution of the TMOSFET is very important since heat is generated in the junction area, thus affecting its reliability. Generally, there are two types of temperature-sensing structures-diode and resistive. In this paper, a diode-type temperature-sensing structure for a TMOSFET is designed for a brushless direct current motor with on-resistance of $96m{\Omega}{\cdot}mm^2$. The temperature distribution for an ultra-low on-resistance power MOSFET has been analyzed for various bonding schemes. The multi-bonding and stripe bonding cases show a maximum temperature that is lower than that for the single-bonding case. It is shown that the metal resistance at the source area is non-negligible and should therefore be considered depending on the application for current driving capability.