• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권4호
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• pp.23-28
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• 2004

본 논문에서는 Mo을 PMOS의 금속 게이트로 사용하였을 때의 Mo의 특성에 대해서 연구 하였다. Mo을 게이트 물질로 사용한 MOS 커패시터를 제작하였고, 소자의 C-V 특성 곡선으로부터 일함수를 추출하였다. 그 결과 Mo 게이트는 PMOS에 적합한 일함수를 나타내는 것을 알 수 있었다. Mo의 전기적/화학적 안정성을 검증하기 위해서 600, 700, 800 그리고 900℃에서 급속 열처리를 수행하였으며 열처리 이후 유효 산화막의 두께와 일함수의 변화를 살펴보았다. 또한 900℃ 열처리 이후의 XRD 분석을 통해서 Mo 금속 게이트가 SiO₂에 대해서 안정하다는 것을 확인하였다. 4점 탐침기로 측정한 Mo 금속 게이트의 면저항은 10Ω/□ 미만으로 폴리 실리콘에 비해서 매우 작은 값을 나타냈다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.157-159
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• 2005

MOS capacitors were fabricated to study electrical and chemical properties of Ta-Mo metal alloy with $ZrO_2$. The work function of Ta-Mo alloy were varied from 4.1eV to 5.1eV by controlling the composition. When the atomic composition of Mo is 10%, good thermal stability up to $800^{\circ}C$ was observed and work function of MOS capacitor was 4.1eV, compatible for NMOS application. But pure Ta exhibited very poor thermal stability. After $600^{\circ}C$ annealing, equivalent oxide thickness of tantalum gate MOS capacitor was continuously decreased. Barrier heights of Ta-Mo alloy and pure metal that supported the work function values were calculated from Fowler-Nordheim analysis. As a result of these electrical?experiments, Ta-Mo metal alloy with $ZrO_2$ is excellent gate electrode for NMOS.

• 공업화학
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• 제30권5호
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• pp.513-522
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• 2019

유기물질, 전이금속 및 유기-금속 구조체(MOFs)를 기반으로 하는 촉매들이 유기인 계열 독성물질들을 분해하고 제거하는데 효과적임이 보고되어 왔다. 최근 20년간 독성물질 분해연구를 위해 다공성 MOFs들이 응용 목적에 맞게 디자인되고 합성되었다. $Zr_6$ 기반의 금속노드와 유기결합체를 가지는 MOFs들은 세공크기, 공극률, 표면적, Lewis acidic 자리 그리고 열적 안정성 등과 같은 기본구조내의 변형이 가능하기 때문에 화학작용제, 살충제 및 제초제를 제거하는 촉매로 널리 사용되어왔다. 본 리뷰에서는 구조, 안정성, 입자크기, 연결된 리간드 수, 유기 기능기 등에 따른 MOFs들의 촉매효율과의 연관성을 다루게 될 것이다.

• 한국철도학회논문집
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• 제11권5호
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• pp.499-503
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• 2008

교류전기철도 구간의 전차선과 급전선은 동일한 전철주에 설치된다. 전철주는 전차선과 급전선으로부터 각기 다른 하중을 받는다. 이러한 사실을 기본으로 새로운 형태와 재질의 급전선 금구를 고안하였다. 강관으로 디자인된 급전선 금구의 안전성을 FEM program을 통하여 시험하였다. 새로운 강관금구는 경제성측면에서 기존의 금구와 대비되며, 시험결과에서 금전선 금구고 안정적이고 경제적이라는 것을 알 수 있다. 따라서, 본 논문에서 제안한 금구는 VE 기본사항을 수행하였으며, 새로운 지지금구의 형태로 반영이 가능할 것이다.

• 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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• 제20권4호
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• pp.26-30
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• 2018

The turn-to-turn contact resistance of 2G high temperature superconducting (HTS) coils with metal insulation (MI) is closely related to the stability of the coils, current charging rate and delay time [1]. MI coils were fabricated using five kinds of metal tapes such as aluminum (Al) tape, brass tape, stainless steel (SS) tape, copper (Cu)-plated tape and one-sided Cu-plated SS tape. The turn-to-turn contact surface resistances of co-winding model coils using Al tape, brass tape, and SS tape were 342.6, 343.6 and $724.8{\mu}{\Omega}{\cdot}cm^2$, respectively. The turn-to-turn contact resistance of the model coil using the one-sided Cu-plated SS tape was $ 248.8{\mu}{\Omega}{\cdot}cm^2$, which was lower than that of Al and brass tape. Al or brass tape can be used to reduce contact resistance and improve the stability of the coil. Considering strength, SS tape is recommended. For strength and low contact resistance, SS tape with copper plating on one side can be used.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제30권2호
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• pp.233-243
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• 2013

무지개 빛을 내는 무기진주광택안료는, 내광성, 내용제성 및 내열성 등이 물리적 화학적 안정성이 우수하여 다양한 분야에서 응용되고 있다. 본 연구는 수열합성방법을 사용하여 마이카 티타니아에 파란색 코팅 안료인 염화코발트를 기본으로 화장품 안료로 사용되는 진주광택안료를 합성하였다. 코발트에 의한 안료의 색상을 보완하고자 코발트와 금속 염의 비를 달리하여 안료를 코팅하고, 이를 통해 금속염의 종류에 따라 다양한 색차값을 구현하는 진주광택 안료를 합성하였다. 코발트와 첨가된 금속 염 전구체의 조성비와, 금속 염의 종류에 따라 코팅 특성과 색상을 조절할 수 있었고, 안료의 다양한 색상변화 특성을 색차계를 통해 확인 하였다. 합성된 안료는 SPM, SEM, XRD, EDS 기기를 통해 특성을 분석하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.368.1-368.1
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• 2014

We proposed amorphous GeSe-based ReRAM device of metal-insulator-metal (M-I-M) structure. The operation characteristics of memory device occured unipolar switching characteristics. By introducing the concepts of valance-alternation-pairs (VAPs) and chalcogen vacancies, the unipolar resistive switching operation had been explained. In addition, the current transport behavior were analyzed with space charge effect of VAPs, Schottky emission in metal/GeSe interface and P-F emission by GeSe bulk trap in mind. The GeSe ReRAM device of M-I-M structure indicated the stable memory switching characteristics. Furthermore, excellent stability, endurance and retention characteristics were also verified.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제16권1호
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• pp.33-36
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• 1995

Macrocyclic ligands have been studied as cation carriers in a supported liquid membrane system. Cd2+ has been transported using nitrogen substituted macrocycles as carriers and several divalent metal ions (M2+=Zn, Co, Ni, Cu, Pb, Mg, Ca, and Sr) have been transported using DBN3O2, DBN2O2and PolyNtnoen as carriers in a supported liquid membrane system. Competitive Cd2+-M2+ transport studies have also been carried out with the same system. Ligand structure, stability constant, membrane solvent and carrier concentration are also important parameters in the transport of metal ions.

• 한국환경과학회지
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• 제16권8호
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• pp.913-920
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• 2007

Hydrochloride acid salts of new $N_2O_2$ tetradentate ligands containing amine and phenol N,N'-bis(2-hydroxybenzyl)-o-phenylenediamine(H-BHP), N,N'-bis(5-bromo-2-hydroxybenzyl)-o-phenylenediamine(Br-BHP), N,N'-bis(5-chloro-2-hydroxybenzyl)-o-phenylene-diamine(Cl-BHP), N,N'-bis(5-methyl-2-hydroxybenzyl)-o-phenylene-diamine (Me-BHP) and N,N'-bis(5-methoxy-2-hydroxybenzyl)-o-phenylenediamine(MeO-BHP) were synthesized. The ligands were characterized by elemental analysis, mass and NMR spectroscopy. The elemental analysis showed that the ligands were isolated as dihydrochloride salt. The potentiometry study revealed that the proton dissociation constants$(logK_n{^H})$ of ligands and stability constants $(logK_{ML})$ of transition and heavy metals complexes. The order of the stability constants of each metal ions for ligands was Br-BHP < Cl-BHP > H-BHP < MeO-BHP < Me-BHP.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.65-65
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• 2011

We report the application of conducting metal oxide electrodes for semiconducting metal oxide gas sensors. Pt interdigitated electrodes have been commonly used for metal oxide gas sensor because of the low resistivity, excellent thermal and chemical stability of Pt. However, the high cost of Pt is an obstacle for the wide use of metal oxide gas sensors compared with its counterpart electrochemical gas sensors. Meanwhile, relatively low-cost conducting metal oxides are widely being used for light-emitting diodes, flat panel displays, solar cell and etc. In this work, we have fabricated $WO_3$ and $SnO_2$ thin film gas sensors using interdigitated electrodes of conducting metal oxides. Thin film gas sensors based on conducting metal oxides exhibited superior gas sensing properties than those using Pt interdigitated electrodes. The result was attributed to the low contact resistance between the conducting metal oxide and the sensing material. Consequently, we demonstrated the feasibility of conducting metal oxide interdigitated electrodes for novel gas sensors.