본 연구에서는 가스공정에서 중요시되는 화재/폭발에 대한 위험성 평가 기법으로, 공정위험 지수법인 Dow's F&EI와 정성적 위험판별기법인 장치스크리닝 기법의 특성에 산업별로 위험시되는 사항에 대한 전문가 의견을 수렴할 수 있도록 전문가 시스템-장치 및 공청의 사고사례 및 전문가의 의견 수렴된 시스템을 도입하여 위험 지수에 전문가적 reward/penalty를 주고 공정 장치의 종합위험도 지수를 계산하여 보다 정밀한 위험장치 검색을 할 수 있는 형태인 다중판별 장치스크리닝 기법(Multi-distinction Equipment Screening Algorithm, MESA)을 제안하였다. 그리고 이에 대한 사례연구로 LPG 지하저장공정의 위험도 순위에 대해 전문가 시스템이 도입되지 않은 경우와 도입된 경우의 위험판단 해상도를 파악하여 제안 알고리즘의 유용성을 입증하였다. 그리고 이와 같은 위험도 순위에 따른 장치의 물리적 특징을 파악함으로써 안전장치 및 mitigation 장치 그리고 비상대응계획에 대한 정보를 제공할 수 있으리라 기대한다.
실리콘 기판 상에 MBE (molecular beam epitaxy)로 형성된 GaSb 기반 p-channel HEMT 소자를 제작하기 위하여 오믹 접촉 형성 공정과 식각 공정을 연구하였다. 먼저 각 소자의 절연을 위한 메사 식각 공정 연구를 수행하였으며, HF기반의 습식 식각 공정과 ICP(inductively coupled plasma)를 이용한 건식 식각 공정이 모두 사용되었다. 이와 함께 소스/드레인 영역 형성을 위한 오믹 접촉 형성 공정에 관한 연구를 진행하였으며 Ge/Au/Ni/Au 금속층 및 $300^{\circ}C$ 60초 RTA공정을 통해 $0.683\;{\Omega}mm$의 접촉 저항을 얻을 수 있었다. 더불어 HEMT 소자의 게이트 형성을 위한 게이트 리세스 공정을 AZ300 현상액과 citric산 기반의 습식 식각을 이용하여 연구하였으며, citric산의 경우 소자 구조에서 캡으로 사용된 GaSb와 베리어로 사용된 AlGaSb사이에서 높은 식각 선택비를 보였다.
본 연구에서는 다공질 실리콘층을 감습재료로 사용한 메사 구조를 갖는 정전용량형 습도센서를 제작하고 그 특성을 평가하였다. 센서의 구조적 특징은 기존의 웨이퍼 상하에 전극을 배치한 구조와 달리, 두 전극의 위치를 시료의 상부에 두도록 함으로서 집적화를 용이하게 할 뿐만 아니라, 하부 기판과 다른 접합영역으로부터 발생하는 정전용량의 영향을 차단하여 출력신호의 신뢰성을 개선하였다. 이를 위해 산화 다공질 실리콘의 형성과 빠른 에칭특성을 이용하여 메사 구조를 만들고, 다공질 실리콘층의 선택적 형성과 감광막을 마스크막으로 이용하여 다공질 실리콘층을 국부적으로 형성하였다. 그리고 완성된 시료에 대해 상온에서 55 - 90% 이상의 상대 습도 범위에서 감습특성을 측정하였다. 그 결과, 습도가 증가했을 때 측정된 정전용량은 전체적으로 단조 증가하였으며, 120 Hz의 저주파수에서 측정했을 때 정전용량이 300%이상 증가하는 높은 변화를 보였다
본 논문에서는 얕은 양자 우물(extremely shaliow quantum wells, ESQWs)을 사용한 광 쌍안정 대칭형 자기 전광 소자(symmetric self elctrooptic effect device, S-SEED)의 성능에 있어서 높은 입사 광전력의 영향을 조사한다 . 다음과 같은 네 가지 ESQWs S-SEED 구조를 고려하였다. 무 반사 입힘(AR-coated) ESQWs S-SEED, back-to-back ARcoated ESQWs S-SEED, 비대칭 공명구조(AFP) ESQWs S-SEED, back-toback AFP ESQWs S-SEED. 입사 광 전력이 증가함에 따라 On/Off 대조비, On/Off 반사율 차이와 같은 소자성능은 ohmic heating 과 여기자 포화(exciton saturation)의 영향으로 심각하지 않게 저하된다. 한편 소자의 스위칭 속도는 지속적으로 증가하다가 특정 입사 광 전력 하에서 점차 감소하기 시작한다. 직렬 광 연결 시스템(cascading optical interconnection system)에 있어서 소자의 최대 속도 스위칭 동작을 위한 최대 입사 광 전력의 최적화를 바탕으로 0 V와 5 V의 외부 전압 조건에서 양자우물의 수를 변화시키면서 $5{\times}5{\mu}m^2$의 mesa 영역에 대하여 네 가지 ESQWs S-SEED의 시스템 비트 레이트를 모의 실험하고 그 결과를 분석하였다.
Kim, Jin-Hee;Doh, Yong-Joo;Chang, Sung-Ho;Lee, Hu-Jong;Chang, Hyun-Sik;Kim, Kyu-Tae;Jang, Eue-Soon;Choy, Jin-Ho
한국초전도학회:학술대회논문집
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한국초전도학회 2000년도 High Temperature Superconductivity Vol.X
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pp.65-65
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2000
Microwave response of intrinsic Josephson junctions in mesa structure formed on HgI2-intercalated Bi2Sr2CaCu2O8+x single crystals was studied in a wide range of microwave frequency. With irradiation of 73${\sim}$76 GHz microwave, the supercurrent branch becomes resistive above a certain onset microwave power. At low current bias, the current-voltage characteristics show linear behavior, while at high current bias, the resistive branch splits into multiple sub-branches. The voltage spacing between neighboring sub-branches increase with the microwave power and the total number of sub-branches is almost identical to the number of intrinsic Josephson junctions in the mesa. All the experimental results suggest that each sub-branch represents a specific mode of collective motion of Josephson vortices generated by the microwave irradiation. With irradiation of microwave of microwave of frequency lower than 20 GHz, on the other hand, no branch splitting was observed and the current-voltage characteristics exhibited complex behavior at hlgh blas currents. This result can be explained in terms of incoherent motion of Josephson vortices generated by non-uniform microwave irradiation.
This case report describes the pregnancy following the transfer of cryopreserved embryos generated from intracytoplasmic sperm injection (ICSI) using frozen-thawed sperm obtained by microepididymal sperm aspiration (MESA) in patient with congenital absence of the vas deferens (CAVD).
The influence of indenter geometry on nanoindentation was studied using a static molecular dynamics simulation. Dislocation nucleation, dislocation locks, and dislocation movements during nanoindentation into Al (001) were studied. Spherical, rectangular, and Berkovich indenters were modeled to study the material behaviors and dislocation activities induced by their different shapes. We found that the elastic responses for the three cases agreed well with those predicted from elastic contact theory. Complicated stress fields were generated by the rectangular and Berkovich indenters, leading to a few uncommon nucleation and dislocation processes. The calculated mean critical resolved shear stresses for the Berkovich and rectangular indenters were lower than the theoretical strength. In the Berkovich indenter case, an amorphous region was observed directly below the indenter tip. In the rectangular indenter case, we observed that some dislocation loops nucleated on the plane. Furthermore, a prismatic loop originating from inside the material glided upward to create a mesa on the indenting surface. We observed an unusual softening phenomenon in the rectangular indenter case and proposed that heterogeneously nucleating dislocations are responsible for this.
This paper describes the development and assessment of a hidden Markov model (HMM) based Tagalog speech synthesis system, where Tagalog is the most widely spoken indigenous language of the Philippines. Several aspects of the design process are discussed here. In order to build the synthesizer a speech database is recorded and phonetically segmented. The constructed speech corpus contains approximately 89 minutes of Tagalog speech organized in 596 spoken utterances. Furthermore, contextual information is determined. The quality of the synthesized speech is assessed by subjective tests employing 25 native Tagalog speakers as respondents. Experimental results show that the new system is able to obtain a 3.29 MOS which indicates that the developed system is able to produce highly intelligible neutral Tagalog speech with stable quality even when a small amount of speech data is used for HMM training.
One-dimensional array of InAs quantum dots (QDs) have been grown on V-grooved GaAs substrates by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition. Atomic force microscope images show that InAs QDs are aligned in one-dimensional rows along the [011]oriented bottom of V-grooves and no QDs are formed on the sidewalls and the surface of mesa top. Capability to grow one-dimensional InAs QDs array would feasible for the single electron tunneling devices and other novel quantum-confined devices.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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