• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2015년도 추계학술대회
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• pp.834-837
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• 2015

본 논문은 0-5 볼트의 범위에서 실시간 아날로그 ECG 신호를 생성하는 FPGA 하드웨어 기반 ECG 시뮬레이터를 설계하고 기능 및 특성을 기술하였다. 시뮬레이터에 의해 생성된 ECG 신호는 실험실 실험, 의료 기기 교정 및 연구에 사용되거나 다양하게 응용할 수 있다. 시뮬레이터의 ECG 신호는 신호 데이터를 생성하기 위하여 기존의 24bit 양자화로 획득한 후 실 데이터로 사용할 때에는 1kHz의 샘플링과 8비트로 분해, 양자화 되었다. 제안 시뮬레이터는 xilix Spartan-3를 이용하여 구현하였으며 PC와 설계 FPGA 시뮬레이터 간에 RS-232를 통하여 데이터를 전송할 수 있도록 하였다. 전송된 데이터는 메모리에 저장하고 저장된 데이터는 DAC(0808) 통하여 아날로그 ECG 신호로 출력되게 하였다. 또한 두 개의 버튼 수위를 통하여 심박수(HR)를 UP-DOWN할 수 있도록 하였다. 설계된 시스템의 평가를 위하여 기존의 심전도 입력을 사용하여 출력신호와 QRS파형의 획득을 위한 미분회로 통과 결과를 평가한 결과 적합한 결과를 얻을 수 있었다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제9권4호
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• pp.39-45
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• 2009

최근 무선 모바일 컴퓨팅 응용 기술과 휴대용 모바일 단말장치 개발 기술의 급속한 발전과 더불어, 요즈음 가장 각광을 받는 이 분야의 이슈는 무선 모바일 애드 혹 네트워크 환경에서의 온라인 게임의 설계에 관한 것이다. 모바일 컴퓨팅 환경에서의 온라인 게임은 이동 단말들이 갖는 제약들: 즉, 낮은 성능의 프로세서, 극히 제한적인 메모리 공간, 무선 기반의 적은 통신 대역폭과 한정된 배터리 파워 등의 제한으로 인해 본격 온라인 게임 개발에 많은 제약이 따른다. 따라서 지금까지의 대부분의 모바일 게임들은 온라인이나 멀티플레이 기능에 매우 제한적이다. 본 논문에서는 많은 제약을 갖는 이동 단말을 기반으로 모바일 컴퓨팅 환경에서 다수의 사용자들이 멀티플레이가 가능한 온라인 MMORPG를 설계하고 구현하였다. 제안한 온라인 게임은 Blutooth를 이용하여 국부적으로 무선 모바일 애드혹 네트워크를 클라이언트들 간에 일시적으로 구축하고 MMORPG 게임을 온라인으로 수행할 수 있도록 설계하였으며, 또한 이들 간의 멀티플레이를 지원한다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2011년도 자성 및 자성재료 국제학술대회
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• pp.101-101
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• 2011

The control of magnetization by an electric field at room temperature remains as one of great challenges in materials science. Multiferroics, in which magnetism and ferroelectricity coexist and couple to each other, could be the most plausible candidate to realize this long-sought capability. While recent intensive research on the multiferroics has made significant progress in sensitive, magnetic control of electric polarization, the electrical control of magnetization, the converse effect, has been observed only in a limited range far below room temperature. Here we demonstrate at room temperature the control of both electric polarization by a magnetic field and magnetization by an electric field in a multiferroic hexaferrite. The electric polarization rapidly increases in a magnetic field as low as 5 mT and the magnetoelectric susceptibility reaches up to 3200 ps/m, the highest value in single phase materials. The magnetization is also modulated up to 0.34 mB per formula unit in an electric field of 1.14 MV/m. Furthermore, this compound allows nonvolatile, magnetoelectric reading- and writing-operations entirely at room temperature. Four different magnetic/electric field writing conditions generate repeatable, distinct M versus E curves without dissipation, offering an unprecedented opportunity for a multi-bit memory or a spintronic device applications.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
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• pp.22.2-22.2
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• 2009

Currently, metal silicides become increasingly more essential part as a contact material in complimentary metal-oxide-semiconductor (CMOS). Among various silicides, NiSi has several advantages such as low resistivity against narrow line width and low Si consumption. Generally, metal silicides are formed through physical vapor deposition (PVD) of metal film, followed by annealing. Nanoscale devices require formation of contact in the inside of deep contact holes, especially for memory device. However, PVD may suffer from poor conformality in deep contact holes. Therefore, Atomic layer deposition (ALD) can be a promising method since it can produce thin films with excellent conformality and atomic scale thickness controllability through the self-saturated surface reaction. In this study, Ni thin films were deposited by thermal ALD using bis(dimethylamino-2-methyl-2-butoxo)nickel [Ni(dmamb)2] as a precursor and NH3 gas as a reactant. The Ni ALD produced pure metallic Ni films with low resistivity of 25 $\mu{\Omega}cm$. In addition, it showed the excellent conformality in nanoscale contact holes as well as on Si nanowires. Meanwhile, the Ni ALD was applied to area-selective ALD using octadecyltrichlorosilane (OTS) self-assembled monolayer as a blocking layer. Due to the differences of the nucleation on OTS modified surfaces toward ALD reaction, ALD Ni films were selectively deposited on un-coated OTS region, producing 3 ${\mu}m$-width Ni line patterns without expensive patterning process.

• 한국진공학회지
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• 제19권2호
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• pp.141-147
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• 2010

$Al_2O_3$, $TiO_2$, $HfO_2$와 같은 high-k (고 유전상수) 산화물 박막을 Si, $SiO_2$/Si, GaAs 기판에 각각 입혀서 주기적인 온도변화에 의해 발생되는 박막 표면에서의 반사율 변화를 이용한 열-반사율법을 이용하여 열전도도를 측정하였다. 그 결과, 약 50nm 두께에서 0.80~1.29 W/(mK)와 같은 높은 열전도도를 가지고 있어 CMOS와 메모리 디바이스와 같은 전자 회로에서 발생되는 열을 효과적으로 방산할 수 있고, 또 미세 입자의 크기에 따라 열전달이 변화하는 것을 확인하였다.

• 한국재료학회지
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• 제12권5호
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• pp.382-386
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• 2002

We studied growth and characterization of $SrBi_2Ta_2O_9$ (SBT) thin films fabricated by low temperature process under vacuum and/or oxygen ambient. A metal organic decomposition (MOD) method based on a spin-on technique and annealing process using a rapid thermal annealing (RTA) method was used to prepare the SBT films. The crystallinity of a ferroelectric phase of SBT thin films is related to the oxygen partial pressure during RTA process. Under an oxygen partial pressure higher than 30 Torr, the crystallization temperature inducing the ferroelectric SBT phase can be lowered to $650^{\circ}C$. Those films annealed at $650^{\circ}C$ in vacuum and oxygen ambient showed good ferroelectric properties, that is, the memory window of 0.5~0.9 V at applied voltage of 3~7 V and the leakage current density of 1.80{\times}10^{-8}$ A/$\textrm{cm}^2$ at an applied voltage of 5V. In comparison with the SBT thin films prepared at 80$0^{\circ}C$ in $O_2$ ambient by furnace annealing process, the SBT thin films prepared at $650^{\circ}C$ in vacuum and oxygen ambient using the RTA process showed a good crystallization and electrical properties which would be able to apply to the virtul device fabrication precess.

• 한국재료학회지
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• 제10권11호
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• pp.749-764
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• 2000

약 90 nm 두께의 비정질 TaSiN박막을 poly-Si and $SiO_2/Si$ 기판 위에 rf magnetron sputtering법으로 증착하였다. TaSiN박막은 산소부위기에서 열처리 시 $ 900^{\circ}C$까지 결정화되지 않는 비정질 상을 보였다. 산소의 확산 깊이는 산소분위기 열처리 온도가 증가함에 따라 증가하였으며 $650^{\circ}C$, 30분 열처리시 $Ta_{23}Si_{29}N_{48}$의 경우 약 20 nm의 깊이까지 확산되었다. $Ta_{23}Si_{29}N_{48}$ 박막의 증착 후 비저항은 약 $1,300{\mu}{\Omega}-cm$의 값을 보였지만 산소분위기 열처리시 $700^{\circ}C$ 이상에서 급격히 증가하였다.

• 융합보안논문지
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• 제13권4호
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• pp.101-108
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• 2013

센서네트워크 구성은 특정 상황이나 환경에 대한 센싱이 가능한 센서, 수집된 정보를 처리하는 프로세서, 그리고 데이터를 송수신하는 장치 등 이다. 센서네트워크는 많은 유익함을 제공하지만 무선 네트워크 보안 취약성을 해결하지 않은상태로 정보노출 위험이 다양하게 존재한다. u-Healthcare 센서 네트워크는 센서 노드의 크기가 작아 전력소모 및 컴퓨팅 능력, 메모리 등에 제한이 가해지며, 무선을 통해 센싱된 값을 전달하는 특징을 가지므로 도청, 서비스거부, 라우팅 경로 공격이 가능하다. 본 논문에서는 센싱기능을 중심으로 한 u-Healthcare 시스템 환경의 무선보안 취약성 요소를 진단하고 u-Healthcare 보안 프레임워크 설계방법을 제시한다. 센서네트워크 기술들이 보안취약성에 대한 대책 강구 없이 기술만 발전한다면 기술이 정상적으로 활용되지 못하고 위협의 요소가 될 것이다. 이 연구를 통해 제안되는 u-Healthcare 시스템의 보안 위험 대처방법은 다양한 현장에서 의료정보와 이용자보호의 중요한 가이드로 활용될것이다.

• 한국통신학회논문지
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• 제36권8B호
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• pp.939-946
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• 2011

인터넷 뱅킹 서비스는 기존의 오프라인 서비스에 비해 편리성을 제공하지만, 해킹 등에 보안에 대한 많은 문제점을 가지고 있다. 이에 대해 금융기관은 보안을 강화하기 위해서 공인인증서, 보안토큰, 보안카드 OTP와 같은 인증 방법들을 제공하여 취약점을 보완토록 하였지만, 해킹 사건이 끊이지 않고 발생하고 있다. 특히 기존 인증방법들은 메모리해킹이나 중간자 공격과 같은 해킹에 대해서 취약점이 제기되고 있어, 새로운 인증방법이 필요하게 되었다. 본 논문에서는 인터넷 뱅킹에서 전자금융거래를 할 때 사용자의 PC와 Mobile 기기에서 이중으로 인증을 받는 Two Channel 인증 방식을 제안하고, 기존의 방식들과 비교분석을 통하여 안전성 및 신뢰성 측면이 강화되는 것은 확인할 수 있다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권5호
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• pp.999-1008
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• 2012

ISB(Intelligent Silicon Bead)는 기존 CMOS 칩과 달리 CMOS SoC의 전원을 포함한 외부와의 인터페이스(interface)를 모두 빛을 이용하여 칩의 초소형화 및 단가를 낮추고 광통신, 메모리 기능을 탑재한 신개념 바이오 실험용 칩이다. 본 논문에서는 외부리더기로부터 비드칩에 인가된 하나의 광신호를 통해 전력과 신호를 동시에 전달하기 위한 저전력, 저면적특성의 광수신단 설계와 입력프로토콜에 대해서 소개하고 이를 시뮬레이션 및 측정을 통해 검증한다. 또한 칩의 ID를 기록/저장하기 위한 저전력 PROM을 설계하여 광신호 입력에 따른 출력 결과 값을 얻는데 성공한다. 본 연구를 통하여 기존 RFID에서 발생한 칩면적 소형화의 한계와 높은 단가 등의 문제점을 해결하여 새로운 유형의 바이오용 칩 개발을 기대할 수 있다.