플래시 메모리는 크기가 작고, 적은 전력을 사용하며 충격에 강하기 때문에 MP3 플레이어, 핸드폰, 디지털 카메라와 같은 휴대용 기기에서 저장장치로 널리 사용되고 있다. 플래시 메모리의 많은 장점 때문에 개인용 컴퓨터 및 노트북에서 사용되는 저장장치인 하드디스크를 플래시 메모리로 대체하고자 하는 연구도 진행되고 있다. 플래시 메모리는 덮어쓰기가 허용되지 않으며 읽기/쓰기의 기본 단위와 삭제의 기본 단위가 다르기 때문에 FTL(Flash Translation Layer)라는 플래시 변환 계층을 사용한다. 최근에는 기존의 플래시 메모리와 다른 물리구조와 특성을 갖는 대블록 플래시 메모리가 등장하여 기존의 FTL을 그대로 사용하게 되면 플래시 메모리를 효율적으로 사용할 수 없다. 본 논문에서는 기존의 FTL 중 가장 좋은 성능을 내는 FAST(Fully Associative Sector Translation)을 기반으로 데이타블록 내에서 페이지단위 사상을 적용하여 대블록 플래시 메모리의 특성에 맞는 FTL 기법을 제안한다.
항적추적 기술에 딥러닝 기반 LSTM(Long Short-Term Memory) 모델을 적용하는 연구로서 기존의 항적추적기술의 경우, 항공기의 등속, 등가속, 급기동, 선회(3D) 비행 등 비행 특성에 따른 칼만 필터 기반의 LMIPDA를 활용한 실시간 항적 추적 시 등속, 등가속, 급기동, 선회(3D) 비행 가중치가 자동으로 변경된다. 이러한 과정에서 등속 비행 중 급기동 비행과 같이 비행 특성이 변경될 때, 항적 손실 및 항적 추적 성능이 하락하여 비행 특성 가중치 변경성능을 향상시킬 필요성이 있다. 본 연구는 레이더의 오차 모델이 적용된 시뮬레이터의 Plot과 표적을 딥러닝 기반 LSTM(Long Short-Term Memory) 모델을 적용하여 학습시키고, 칼만 필터를 활용한 항적추적 결과와 딥러닝 기반 LSTM(Long Short-Term Memory) 모델을 적용한 항적추적결과를 비교함으로써 미리 비행 특성의 변경과정을 예측하여 등속, 등가속, 급기동, 선회(3D) 비행 가중치변경을 신속하게 함으로써 항적추적성능을 향상하기 위한 연구이다.
Short channel Nonvolatile EEPROM memory devices were fabricated to CMOS 1M bit design rule, and reviews the characteristics and applications of SNOSFET. Application of SNOS field effect transistors have been proposed for both logic circuits and nonvolatile memory arrays, and operating characteristics with write and erase were investigated. As a results, memory window size of four terminal devices and two terminal devices was established low conductance stage and high conductance state, which was operated in “1” state and “0”state with write and erase respectively. And the operating characteristics of unit cell in matrix array were investigated with implementing the composition method of four and two terminal nonvolatile memory cells. It was shown that four terminal 2${\times}$2 matrix array was operated bipolar, and two termineal 2${\times}$2 matrix array was operated unipolar.
Modern cloud computing is rapidly changing from traditional hypervisor-based virtual machines to container-based cloud-native environments. Due to limitations in I/O performance required for both virtual machines and containers, the use of high-speed storage (SSD, NVMe, etc.) is increasing, and in-memory computing using main memory is also emerging. Running a virtual environment on main memory gives better performance compared to other storage arrays. However, RAM used as main memory is expensive and due to its volatile characteristics, data is lost when the system goes down. Therefore, additional work is required to run the virtual environment in main memory. In this paper, we propose a hybrid in-memory storage that combines a block storage such as a high-speed SSD with main memory to safely operate virtual machines and containers on main memory. In addition, the proposed storage showed 6 times faster write speed and 42 times faster read operation compared to regular disks for virtual machines, and showed the average 12% improvement of container's performance tests.
This study has introduced how to make conducting shape memory polyurethane(CSMPu) as a possible application to smart actuators. Different from conventional polyurethane, CSMPu can have a high conductivity and then electric power supplies enough energy to deform. To prepare conducting polyurethane, carbon nanotubes were incorporated into shape memory polyurethane. Basic experiments to reveal its characteristics have been conducted for a development of actuators. From the results conducted in the present study, optimized conditions for the process of actuating deformation were found. Thermo-electric characteristics such as the relation between temperature and specific resistance and trend curves of resistance variations according to elongations were measured. These data provided a strong possibility of CSMPu as a smart actuator.
Kim, Jae-Chang;Jhun, Chul-Gyu;Lee, Seong-Ryong;Choi, Jae Hoon;Yoon, Tae-Hoon
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
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pp.567-570
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2005
Most researches on monostable LCD and bistable LCD have separately been carried out. We introduce a novel liquid crystal display mode which can be operated as both memory mode and dynamic mode. The novel LCD mode has not only a long term memory time of memory mode but also a fast response time of dynamic mode. We describe switching characteristics of dual mode. Electro-optical characteristics of memory mode and dynamic mode are unique and show the possibility of device application.
Degradation effects observed in nonvolatile MNOS memory devices with in increasing W/E (Write/Erase) cycling were investigated using n-type MNOS capacitors. The results showed that the density of Si-SiO$_2$ interface states and the conductivity of nitride were increased with W/E cycles, therefore the memory retention characteristics of the MNOS memory devices were degraded. Also, annealing of the degraded devices restored the original Si-SiO$_2$ interface states density, but failed to restore the original nitride conductivity. Based on these experimental results, we found that the degradation of memory retention characteristic was affected by the nitride conductivity rather than by Si-SiO$_2$ interface states.
소비전력 증가와 같은 문제점들로 인하여, 마이크로프로세서만으로는 컴퓨팅 시스템의 성능을 향상시키기 점점 어려워지고 있다. 이와 같은 상황에서, 대용량 병렬 연산에 특화된 그래픽 처리 장치를 활용하여 중앙 처리 장치가 담당하던 범용 작업을 수행하게 하는 범용 그래픽 처리 장치 기술이 컴퓨터 시스템의 성능을 개선시킬 수 있는 방안으로 주목을 받고 있다. 하지만, 그래픽스 관련 응용프로그램과 범용 응용프로그램의 특징은 매우 상이하기 때문에, 그래픽 처리 장치가 범용 응용프로그램을 수행하는 경우에는 많은 제약 사항으로 인하여 자신의 뛰어난 연산 자원을 활용하지 못하는 실정이다. 일반적으로 그래픽스 관련 응용프로그램에 비해 범용 응용프로그램은 메모리를 매우 많이 요청하기 때문에 범용 그래픽 처리 장치 기술을 효율적으로 활용하기 위해서는 메모리 설계가 매우 중요하다. 특히, 긴 접근 시간을 요구하는 외부 메모리 요청은 성능에 큰 오버헤드이다. 그러므로 외부 메모리로의 접근 횟수를 줄일 수 있는 다중 레벨 캐쉬 구조를 효율적으로 활용할 수 있다면, GPU의 성능은 크게 향상 될 것이 분명하다. 본 논문에서는 다중 레벨 캐쉬 구조에 따른 그래픽 처리 장치의 성능을 다양한 벤치마크 프로그램을 통하여 정량적으로 분석하고자 한다.
In this paper, the electro-chemical-machining characteristics of Ni-Ti Shape Memory Alloy(SMA) was investigated. From the experimental results, the optimal electro chemical machining conditions for satisfying the machining quality(fine surface & high recovery stress)might be confirmed. And it was concluded that optical electro chemical condition for Ni-Ti SMA could be obtained at approximately 100% current efficiency and high frequency pulse current.
Superthin ONO ( oxide -nitride - oxide ) structures were fabricated for the MONOS nonvolatile memory device with a 20$\AA$ tunneling oxide, 40$\AA$ nitride and 40$\AA$ blocking oxide. The compositions of each layer in a superthin ONO structure were investigated. Also, the characteristics of trap related to the memory quality were examined.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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