Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.24
no.12
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pp.1002-1009
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2011
The light extraction efficiency of top-emitting organic light-emitting diode (OLED) was improved by insertion of corrugation patterns between indium tin oxide and organic layers. The corrugation patterns was fabricated by nanosphere lithography, which could form a self-assembled particle monolayer over a large area. The electrical and optical properties for the OLED devices fabricated by vacuum evaporation, were investigated. We have demonstrated the enhancement of the power efficiency of corrugated OLED. As a result, the power efficiency of the corrugated OLED was found to be more than 42%.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1995.05a
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pp.172-176
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1995
Schemes to trap weakly absorbed light into the cell have played an important role in improving the efficiency of both amorphous and crystlline silicon solar cells. One class of scheme relies on randomizing the direction of light within the cell by use of Lambertian(diffuse)surfaces. A second class of scheme relies on the use fo well defined geometrical features to control the direction of light wihin the cell, Widly used geometrical features in crystalline silicon solar cells are the square based pyramids and V-shaped grooves formed in (100) orientated surfaces by intersecting(III) crystallographic planes exposed by anisotropic etching. 18.5% conversion efficiency of Buried Contact Solar Cell with pyramidally textured surface has been achieved. 18.5% efficiency of silicon solar cell is one the highest record in the world The efficieny of cell without textured surface was 16.6%, When adapting textured surface to the Cell, the efficiency has been improved over 12%.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.25
no.3
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pp.213-217
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2012
In this study, we have investigated the holographic grating formation on Ag-doped amorphous As-Ge-Se-S thin films. The dependence of diffraction efficiency as afunction of Ag layer thickness has been investigated in this amorphous chalcogenide films. Holographic gratings was formed using [P:P] polarized Diode Pumped Solid State laser (DPSS, 532.0 nm). The diffraction efficiency was obtained by +1st order intensity. The results were shown that the diffraction efficiency of Ag/AsGeSeS double layer thin films for the Ag thickness, the maximum grating diffraction efficiency using 60 nm Ag layer is 0.96%.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07b
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pp.964-967
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2002
The effectiveness of silicon nitride SiNx surface passivation is investigated and quantified. This study adopted single-layer antireflection (SLAR) coating of SiNx for efficiency improvement of solar cell. The silicon nitride films were deposited by means of plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) in planar coil reactor. The process gases used were pure ammonia and a mixture of silane and helium. The thickness and the refractive index on the films were measured by ellipsometry and chemical bonds were determined by using an FT-IR equipment. This films obtained were analyzed in term of hydrogen content, refractive index for gas flow ratio $(NH_3/SiH_4)$, and efficiency of solar cell. The polycrystalline silicon solar cells passivated by silicon nitride shows efficiency above 12.8%.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07a
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pp.318-321
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2002
This paper presents a proper condition to achieve high conversion efficiency using PC1D simulator on sri-crystalline Si solar cells. Various efficiency influencing parameters such as rear surface recombination velocity and minority carrier diffusion length in the base region, front surface recombination velocity, junction depth and doping concentration in the Emitter layer, BSF thickness and doping concentration were investigated. Optimized cell parameters were given as rear surface recombination of 1000 cm/s, minority carrier diffusion length in the base region 200 $\mu\textrm{m}$, front surface recombination velocity 100 cm/s, sheet resistivity of emitter layer 100 Ω/$\square$, BSF thickness 5 $\mu\textrm{m}$, doping concentration 5${\times}$10$\^$19/ cm$\^$-3/. Among the investigated variables, we learn that a diffusion length of base layer acts as a key factor to achieve conversion efficiency higher than 19 %.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.18
no.12
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pp.1143-1147
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2005
In this study, we report an improved efficiency of Organic light emitting diodes(OLEDs), using $UV/O_3$ treated anode and different cathode. We investigated the efficiency of OLEDs by $UV/O_3$ treatment of ITO surface. We Performed $UV/O_3$ treatment and found that $UV/O_3$ treatment enhanced the performance of OLEDs. The fundamental structure of the OLEDs was ITO $anode/{\alpha}-NPD/Alq_3/Al$ or Li:Al cathode. The Li:Al can improve the OLEDs efficiency dramatically in cathode because it has lower work function than Al. Current-voltage, Luminance-voltage characteristics and luminance efficiency were measured at room temperature.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2010.06a
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pp.232-232
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2010
Simulation Program (AFORS-HET 2.4.1) was used, include the basic structure of crystalline silicon thin film as above, under the intrinsic a-Si:H films bonded symmetrical structure (Symmetrical structure) were used. The structure of ITO, a-Si p-type, intrinsic a-Si, c-Si, intrinsic a-Si, a-Si n-type, metal (Al) layer has one of the seven. When thickness for each layer was given the change, the changes of a-Si p-type layer and the intrinsic a-Si layer on top had an impact on efficiency. Efficiency ratio of p-type a-Si:H layer thickness was sensitive to, especially a-Si: H layer thickness is increased in a rapid decrease in Jsc and FF, and efficiency was also decreased.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.25
no.7
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pp.537-542
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2012
DSSCs efficiency by thickness of $TiO_2$ photoelectrode and thickness differences between two substrates studied. DSSCs is made of the doctor blade method and photoelectrode annealing temperature elevated in a different ways. In addition, cells efficiencies of according to the different thickness between $TiO_2$ photoelectrode substrate and Pt counter electrode was measured. Efficiency of DSSCs made with $TiO_2$ photoelectrode of 18 ${\mu}m$ thickness and the gap difference between the substrate 28 ${\mu}m$ shows a highest 4.805% efficiency.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.08a
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pp.55-58
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2003
IPMSM (Interior Permanent Magnet Synchronous Motor) is widely used in many applications such as an electric vehicle, compressor drives of air conditioner and machine tool spindle drives. In order to maximize the efficiency in such applications, this paper is proposed the optimal control method of the armature current. The controllable electrical loss which consists of the copper loss and the iron loss can be minimized by the optimal control of the armature current. The minimization of loss is possible to realize efficiency optimization control for the proposed IPMSM The proposed control algorithm is applied to IPMSM drive system, the operating characteristics controlled by efficiency optimization control are examined in detail by simulation.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.11a
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pp.177-180
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2000
In this paper, we studied efficiency improvement of linear ultrasonic motor using projection. The principle of ultrasonic motor is to use an elliptic motion generated at the side of the vibrator, and the elliptic motion of the ultrasonic motor was obtained by complex oscillation of L$_1$-B$_4$ mode. As the experimental results, the efficiency of linear ultrasonic motor without projection was 1.52[%] when applied voltage was 56[V] in resonance frequency 58.4[kHz]. The efficiency of linear ultrasonic motor using projection was 3.36[%] when applied voltage was 56[V] in resonance frequency 58.4[kHz]. The efficiency was improved by projection.
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