We successfully enhanced the performance of a spin valve by inserting an ultra-thin layer of partially oxidized Fe in the pinned and free layers. With the exchange bias field kept large, the spin valve reached a GMR of 12%, which corresponded to a 55% increase in GMR when we compared it with that of spin valves without any inserted layer. The layer of partially oxidized Fe was more effective for improving the properties of the spin valve than the layer of partially oxidized $Co_{90}Fe_{10}$. Considering all the results, we can contribute the significant improvement to the combined effect of the modified local electronic structures at the Fe impurities and theenhanced spin-dependent reflections at the $\alpha-Fe_{2}O_{3} phase in the magnetic layer.
Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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제27권6호
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pp.660-669
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2016
A fluorinated-sulfonated, hydrophobic-hydrophilic copolymer was planed subsequently synthesized using typical nucleophilic substitution polycondensation reaction. A novel AB and ABA (or BAB) block copolymers were synthesized using sBCPSBP (sulfonated 4,4'-bis[4-chlorophenyl)sulfonyl]-1,1'-biphenyl), DHN (1,5-dihydroxynaphthalene), DFBP (decafluorobiphenyl) and HFIP (4,4'-hexafluoroisopropylidenediphenol). All block copolymers were easily cast and made into clear films. The structure and synthesized copolymers and corresponding membranes were analyzed using GPC (gel permeation chromatography), $^1H$-NMR ($^1H$ nuclear magnetic resonance) and FT-IR (Fourier transform infrared). TGA (Thermogravimetric analysis) and DSC (differential scanning calorimetry) analysis showed that the prepared membranes were thermally stable, so that elevated temperature fuel cell operation would be possible. Hydrophobic/hydrophilic phase separation and clear ionic aggregate block morpology was confirmed in both triblock and diblock copolymer in AFM (atomic force microscopy), which may be highly related to their proton transport ability. A sulfonated BAB triblock copolymer membrane with an ion-exchange capacity (IEC) of 0.6 meq/g has a maximum ion conductivity of 40.3 mS/cm at $90^{\circ}C$ and 100% relative humidity.
Lee Young-min;Lee Byeong-Seon;Lee Chan-Gyu;Koo Bon-Heun;Shimada Y.;Kitakami O.;Okamoto S.;Miyazaki T.
Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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한국자기학회 2005년도 동계학술연구발표회 및 2차 아시안포럼
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pp.154-155
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2005
Multi-layer film of $MgO/(FePt-B)_{50nm}/ MgO$ was deposited on Si(100) substrates by RF magnetron sputtering. The boron chips were uniformly placed oil tile FePt target. The boron content of thin film was found to be about 5, 10, 15, 25 and $33 at\%$ by using a CAMECA SX-51 wavelength dispersive spectroscopy (WDX). It is observed that X-ray diffraction patterns of FePt-B film by post-annealing exhibited a transformation from disordered fcc structure to ordered $Ll_0$ phase with fct structure from around $400^{\circ}C$. By adding B, annealing temperature for ordering is about $200^{\circ}C$ lower than that of pure FePt. This remarkable decrease of the annealing temperature is closely related to the high diffusivities of Fe and Pt associated with the defects caused by movements of B atoms. The maximum coercivity(Hc) for FePt films was found to be ${\~}$13 kOe after annealing at $600^{\circ}C$ for 1hr.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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제14권11호
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pp.934-940
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2001
Magnetic properties were investigated for Si/SiO$_2$/NiFe(300 )/A1$_2$O$_3$(t)/Co(200 ) junction related with the parameters of $Al_2$O$_3$. Insulating $Al_2$O$_3$ layer was formed by depositing a 5~40 thick Al layer, followed by a 90~120s RF plasma oxidation in an $O_2$ atmosphere. Magnetoresistance was not observed for tunnel junction with 5~10 thick Al layer, but magnetoresistance was observed large for tunnel junction with 15~40 thick Al layer. Oxidation time did not largely influence magnetoresistance. Tunnel magnetoresistance effect depended on magnetization behavior of two ferromagnetic layers. Tunneling junction was confirmed through nonlinear I-V curve. In this work, tunneling magnetoresistance(TMR) up to 30 % was observed. This apparent TMR is an artifact of the nonuniform current flow over the junction in the cross geometry of the electrodes.
When the PbO-based flux system is used in the Liquid Phase Epitaxy (LPE) method for Yttrium Iron Garnet (YIG) thick film, the effect of Pb ions incorporated into the grown crystal; increase the lattice parameter, changed the uniaxial magnetic anisotropy constant (Ku) or conductance of grown film. It exerts a bad influence on physical property such as increasing optical absorption of grown film. The content of the Pb ion in crystal was decreased by volatilization of Pb ion after annealing; therefore, the lattice parameter of film was reduced on an average 0.0115 ${\AA}$ by the the Pb ion.
Kim, Hee-Je;Moon, Dek-Soi;Jin, Yun-Sik;Lee, Hong-Sik
Proceedings of the KIEE Conference
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대한전기학회 1993년도 하계학술대회 논문집 B
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pp.612-614
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1993
Sputtering requires a way to bombard the target with sufficient momentum. Positive ions are the most convenient source since their energy and momentum can be controlled by applying a potential to the target. Although many types of discharges have been used for sputtering, magnetrons are now the most widely used because of the high ion current densities. Namely, plasma near the target electrode is confined by magnetic field using permanent magnet, so that the collision probability is increased. It is important to develop RF magnetron sputtering system which has many excellent merits compared with conventional methods. Our study aims to develop 1 kW RF source(13.56 MHz, TR type) and to accumulate the design and construction technology of RF magnetron sputter-deposition system. We developed 1 kW RF sputtering system to deposit thin film. These films are deposited by this RF source matched by auto-matching system using primarily argon gas. Target of Au, Ni, Al, and $SiO_2$ was well deposited on the argon pressure of 5-10 mTorr.
D.G. Hwang;Lee, S. S.;Lee, K. H.;Lee, K. B.;Park, D. H.;Lee, H. S.
Journal of Magnetics
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제5권1호
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pp.23-25
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2000
We have investigated the effects of Ar and$O_2$-ion milling on the exchange coupling field ($H_{ex}$) and coercive field ($H_c$) at the interfaces between substrates and NiO/NiFe films, to understand the exchange biasing mechanism. The $O_2$-ion milling was successfully performed by means of the electron cyclotron resonance (ECR) process. We found that the local roughness gradient of the NiO surface increased by $O_2$-ion milling. The ratio of $H_{ex}/H_c$ increased from 0.87 to 1.77, whereas $H_c$ decreased by almost a half as a results of the ion milling. The decrease in $H_c$could be interpreted as due to the refinement of magnetic domain size, which arose from the increase of the local roughness gradient of the NiO surface. The decrease in low $H_c$, and increase in $H_{ex}$ in NiO spin valves by ECR-ion milling are in the right direction far use in magnetoresistance (MR) heads.
Etching of NiFe films covered with an organic photo-resist or Ti was successfully performed by an inductively coupled plasma-reactive ion etching (ICP-RIE) system using $CHF_3/O_2/NH_3$ discharges exchanging $CHF_3$ for $CH_4$ gas gradually. Experimental results showed that the organic photo-resist mask can be applied to the NiFe etching. In the case of the Ti metal mask, it was found that the etching-selectivity Ti against NiFe was significantly varied from 7.3 to ${\sim}0$ by changing $CHF_3/CH_4/O_2/NH_3$ to $CH_4/O_2/NH_3$ discharges used in the ICP-RIE system. These results show that the present RIE of NiFe was dominated by a chemical reaction rather than a physical sputtering.
Byeong-Joo Kim;Miyeon Yoon;Myeonghee Lee;Sang Ho Park;Ji-Kwang Lee;Kyeongdal Choi;Woo-Seok Kim
Progress in Superconductivity and Cryogenics
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제25권4호
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pp.50-53
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2023
In this study, the photolithography process was chosen to reduce the aspect ratio of the cross-section of a high-temperature superconducting (HTS) tape by dividing the superconducting layer of the tape. Reducing the aspect ratio decreases the magnetization losses in the second-generation HTS tapes generated by AC magnetic fields. The HTS tape used in the experiment has a thin silver (Ag) layer of about 2 ㎛ on top of the REBCO superconducting layer and no additional stabilizer layer. A dry film resist (DFR) was laminated on top of the HTS tape by a lamination method for the segmentation. Exposure to a 395 nm UV lamp on a patterned mask cures the DFR. Dipping with a 1% Na2CO3 solution was followed to develop the uncured film side and to obtain the required pattern. The silver and superconducting layers of the REBCO films were cleaned with an acid solution after the etching. Finally, the segmented HTS tape was completed by stripping the DFR film with acetone.
We report the effect of Ca doping in $YBa_2Cu_3O_{7-\delta}$ (YBCO) thin films grown on the Rolling- Assisted, Biaxially Textured Substrates (RABiTS) with the architecture of $CeO_2/YSZ/CeO_2/Ni$. Critical currents of bilayer and trilayer structures of $YBCO/Y_{0.7}Ca_{0.3}Ba_2Cu_3O_{7-\delta}$/(YCaBCO) as well as undoped YBCO for comparison have been measured in a wide range of temperatures and fields. For $6-8^{\circ}$ grain boundaries, 30% Ca-doping in bilayer structure enhances $J_c$ as high as 35%. The enhancement is larger at low temperatures and at magnetic fields. On the other hand, 30% Ca-doping in trilayer structure reduces $J_c$ as high as 60%. Combined with slightly lower $T_c$, this indicates that Ca is overdoped in this structure and degrades GBs.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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