• ETRI Journal
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• 제36권2호
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• pp.317-320
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• 2014

A balanced RF duplexer with low interference in an extremely narrow bandgap is proposed. The Long-Term Evolution band-7 duplexer should be designed to prevent the co-existence problem with the WiFi band, whose fractional bandgap corresponds to only 0.7%. By implementing a hybrid bulk acoustic wave (BAW) structure, the temperature coefficient of frequency (TCF) value of the duplexer is successfully reduced and the suppressed interference for the narrow bandgap is performed. To achieve an RF duplexer with balanced Rx output topology, we also propose a novel balanced BAW Rx topology and RF circuit block. The novel balanced Rx filter is designed with both lattice- and ladder-type configurations to ensure excellent attenuation. The RF circuit block, which is located between the antenna and the Rx filter, is developed to simultaneously function as a balance-tounbalance transformer and a phase shift network. The size of the fabricated duplexer is as small as $2.0mm{\times}1.6mm$. The maximum insertion loss of the duplexer is as low as 2.4 dB in the Tx band, and the minimum attenuation in the WiFi band is as high as 36.8 dB. The TCF value is considerably lowered to $-16.9ppm/^{\circ}C$.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2013년도 추계학술대회
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• pp.375-378
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• 2013

본 논문에서는 EEPROM이나 MTP 등의 NVM 메모리 IP 설계에 필요로 하는 PVT(Process-Voltage-Temperature) 변동에 둔감한 기준전압(Reference Voltage) 회로를 설계하였다. 매그나칩반도체 $0.18{\mu}m$ EEPROM 공정을 이용하여 설계된 BGR(Bandgap Reference Voltage) 회로는 wide swing을 갖는 캐스코드 전류거울 (cascode current-mirror) 형태의 저전압 밴드갭 기준전압발생기 회로를 사용하였으며, PVT 변동에 둔감한 기준전압 특성을 보이고 있다. 최소 동작 전압은 1.43V이고 VDD 변동에 대한 VREF 민감도(sensitivity)는 0.064mV/V이다. 그리고 온도 변동에 대한 VREF 민감도는 $20.5ppm/^{\circ}C$이다. 측정된 VREF 전압은 평균 전압이 1.181V이고 $3{\sigma}$는 71.7mV이다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제46권1호
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• pp.107-111
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• 2009

본 논문에서는 PBG 특성을 갖는 새로운 Low-pass Filter(LPF)를 증폭기의 출력정합단에 적용하여 도허티 증폭기의 효율을 향상하였다. 제안된 LPF 적용된 도허티 증폭기는 고조파 성분들이 저지됨으로 선형성은 그대로 유지하면서 출력 전력의 증가와 소비 전류의 감소로 일반적인 도허티 증폭기와 비교하여 35%의 효율을 증가시켰다. 또한 PBG 특성을 사용함으로써 LPF의 크기를 줄였다. 이를 통해 일반적인 마이크로 스트립 라인의 LPF를 사용한 도허티 증폭기보다 전체적인 도허티 증폭기의 크기를 줄일 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제11권8호
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• pp.1544-1551
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• 2007

본 논문에서는 넓은 동작전압 범위와 저소비 전력 그리고 개선된 파워-업 특성을 가지는 캐스코드 전류 거울형 CMOS 밴드갭 기준전압 발생기의 스타트-업 회로를 제안하였다. 새롭게 제안된 스타트-업 회로는 기존의 스타트-업 회로에 비해 안정적인 파워-업 특성을 가지며 공급전압(VDDA)이 높아지더라도 밴드갭 기준전압 발생기 회로의 동작에 영향을 미치지 않는 것을 모의실험을 통하여 확인하였고 $0.18{\mu}m$ tripple-well CMOS 공정을 이용하여 테스트 칩을 제작하고 측정하였다. 측정 된 기준전압 Vref는 평균값이 738mV이고 $3{\sigma}$는 29.88mV이다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 I
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• pp.354-357
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• 2003

The low noise and balanced amlifier has been designed by using PBG. Usually balanced LNAis used to matching the input and output mismatching that caused by matching the low noise matching point. And the PBG supresses the harmoincs. This paper proposed balanced LNA by using PBG. And this configuration improve the performance - noise figure, VSWR.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 I
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• pp.358-361
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• 2003

In this paper, a new technique to reduce the phase noise in microwave oscillators is proposed using the resonant characteristics of the Photonic Bandgap(PBG). Microstrip line resonator has the low Q(Qaulity factor). Therefore, as PBG structure was applied, we examined that the phase noise of the oscillator has been reduced.

• ETRI Journal
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• 제29권5호
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• pp.614-618
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• 2007

A miniaturized bandstop filter (BSF) is introduced in this paper. The filter consists of one meander spurline and a pair of capacitively loaded stubs. The meander spurline with low resonant frequency and improved slow-wave factor exhibits excellent resonant bandgap characteristics which can be modeled by a longitudinally coupled resonator. The design of the proposed microstrip BSF is presented, and its performance is measured. Measurements show that there is a stopband from 2.3 to 5.6 GHz with $S_{21}$ less than -20 dB. The total length of this BSF equals 23 mm.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제30권2호
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• pp.115-118
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• 2017

Highly photosensitive and wide bandgap amorphous silicon oxide (a-$SiO_x$:H) films were developed at low temperature ranges ($100{\sim}150^{\circ}C$) with employing plasma-enhanced chemical vapor deposition by optimizing $H_2/SiH_4$ gas ratio and $CO_2$ flow. Photosensitivity more than $10^5$ and wide bandgap (1.81~1.85 eV) properties were used for making the a-$SiO_x$:H thin film solar cells, which exhibited a high open circuit voltage of 0.987 V at the substrate temperature of $100^{\circ}C$. In addition, a power conversion efficiency of 6.87% for the cell could be improved up to 7.77% by employing a new n-type nc-$SiO_x$:H/ZnO:Al/Ag triple back-reflector that offers better short circuit currents in the thin film photovoltaic devices.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2005년도 추계학술대회 논문집
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• pp.498-501
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• 2005

Photonic crystals, periodic structure with a high refractive index contrast modulation, have recently become very interesting platform for manipulation of light. The existence of a photonic bandgap, a frequency range in which propagation of light is prevented in all direction, makes photonic crystal very useful in application where spatial localization of light is required for waveguide, beam splitter, and cavity. But fabrication of 3 dimensional photonic crystal is still difficult process. a concept that has recently attracted a lot of attention is a planar photonic crystal based on a dielectric membrane, suspended in the air, and perforated with 2 dimensional lattice of hole. We show that the polymer slabs suspended in air with triangular lattice of air hole can exhibit the in-plane photonic bandgap for TE-like modes. The fabrication of Si master with pillar structure using hot embossing process was investigated for 2 dimensional low-index-contrast photonic crystal waveguide.

• 전기전자학회논문지
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• 제20권2호
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• pp.192-195
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• 2016

본 논문에서는 저항과 BJT를 사용하지 않고 sub-threshold 영역에서 동작하는 저전압, 저전력 기준전압 발생기를 설계하였다. CTAT 전압 발생기는 두 개의 NMOS 트랜지스터를 이용하여 구성하였고, 충분한 영역의 CTAT 전압을 발생시키기 위해 바디 바이어스 회로를 이용하였다. PTAT 전압 발생기는 PTAT 전압을 생성하기 위해 MOS 트랜지스터 입력 쌍의 서로 다른 사이즈 비를 이용하는 차동증폭기 형태로 구성하였다. 제안한 회로는 $0.18-{\mu}m$ 표준 CMOS 공정으로 설계되었다. 시뮬레이션 결과로 290mV의 출력 기준 전압을 가지며, -$20^{\circ}C$ 에서 $120^{\circ}C$의 온도 변화에서 92 ppm/$^{\circ}C$의 전압 변화 지수와 전원전압 0.63V에서 15.7nW의 소모 전력을 갖는 것을 확인하였다.