TiN films were deposited onto high speed steel (SKH9) by plasma assisted chemical vapor deposition (PACVD) using a TiCl4/N2/H2/Ar gas mixture at around 50$0^{\circ}C$. The effects of the deposition temperature, R.F. power and TiCl4 concentration on the deposition of TiN and the microhardness of TiN film were investigated. The crystallinity and the microhardness of TiN films were improved with increase of the deposition temperature. Optimum deposition temperature in this study was 50$0^{\circ}C$, because a softening or phase transformation of the substrate occurred over 50$0^{\circ}C$. A large increase of the film growth rate with a strong(200) preferred orientation was obtained by increasing R.F. power. Much chlorine content of about 10at.% was found in the deposited films and resulted in relatively low average microhardness of about 1, 500Kgf/$\textrm{mm}^2$ compared with the theoretical value(~2, 000Kgf/$\textrm{mm}^2$).
An experiment was conducted to determine effects of oral administration of $Diakur^{TM}$ (an additive of glucose and electrolytes for young calves) on growth performance and some physiological responses in male broilers reared in a high temperature. A 2 by 3 factorial arrangement test of 2 temperatures (24 and $36^{\circ}C$) and 3 levels of oral administration of the glucose and electrolytes additive, $Diakur^{TM}$, (0, 150 and 300 mg/day/100 gBW) were applied in the experiment. Male broiler chicks (2 weeks of age) were assigned to six groups and received dietary and temperature treatments for 7 days. The additive of glucose and electrolytes was suspended with water and intubated into crop twice a day (08:00 and 17:00). Oral administration of the additive prevented decreases in food intake and growth rates in broilers due to exposure of the hot environment. Oral administration of the additive also improved a lowered electrolyte ($Na^+$ + $K^+$ - $Cl^-$) balance in plasma, low mitogenic response of blood mononuclear cell and an increase in glucose concentration due to exposure to the high environmental temperature. Oral administration of the additive increased rectal temperature regardless of environmental temperatures. On the other hand, blood pH, $pCO_2$ and $HCO_3$ - concentration, and plasma creatine kinase activity were not affected by the oral administration. The results suggested that oral administration of the glucose and electrolytes additive, $Diakur^{TM}$ during heat stress did not only prevent decrease in growth performance, but also normalized some physiological and immunological responses in male broilers.
2단계 성장법으로 c-plane 사파이어 단결정 기판 위에 metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD)법으로 undoped GaN 에피층을 성장시켰다. 고온 성장시 성장 온도 변화가 undoped GaN 에피층의 표면형상과 거칠기, 구조적 결정성, 광학적 성질, 전기적 성질에 미치는 영향을 연구하였다. 수평형 MOCVD 장치를 이용해 압력 300 Torr 저압에서 성장시켰으며, 저온 핵생성층 성장조건은 $500^{\circ}C$로 고정시키고, 2단계 성장 온도를 $850\~1050^{\circ}C$범위로 변화시켰다. 형성된 undoped GaN 에피층을 원자력현미경, 고분해능 X-선회절장치, 광발광측정, 홀 효과 측정 장치 등을 이용하여 분석, 고찰하였다.
This paper describes the potential use of deep sea water to stimulate seed germination in both common and Tartary buckwheat. Treatment of 10% deep sea water at $25^{\circ}C$ would slightly enhance germination of buckwheat seeds compared to non-DSW treatment and other temperature. In this study, the significant effects of photoperiod and temperature on seedling growth were also found in the HL treatment for the number of leaf, plant height, and plant fresh weight and LL treatment for root length and leaf size. Common buckwheat (Suwon No.1) showed higher rate (93%) of flowering plants in the HS and LL (93% of flowering rates) than those revealed in the HS and LS treatment, while the low percentage(67%) of plant flowering plants was shown in the LS treatment. All plants (100%) of a Korean landrace, Ahndong-jaerae showed flowers in the HS and LS treatment. HL and LL treatment status did not occur in the plant's flowering. Any Tartary buckwheat (KW45) plant did not yet flowered when it was 21 days-old.
자외선 조사에 따른 광촉매 $TiO_2$의 표면에서 발생하는 활성산소종의 기상확산을 이용하여 실리콘기판 위에 산화박막을 성장시켰다. 자외선의 세기, 기판의 온도와 반응기 내의 산소 압력을 공정변수로 한 결과, 일정두께의 실리콘 산화박막의 성장이 자외선의 세기가 증가할수록 빨랐으며, 자외선램프의 세기를 60 W BLB 램프에서 1 kW 고압수은 랩프로 변경할 경우 성장속도가 8배 정도 빨라졌다. 반응기 내의 압력이 증가할수록 실리콘 산화박막의 성장속도는 느렸다. 대부분 산화박막의 성장은 $20{\AA}$에서 포화되었으며, 자외선의 세기가 증가할수록 포화상태까지 도달시간이 빨라졌다. 성장된 산화박막을 열처리를 통하여 전형적인 열산화막의 물성에 도달할 수 있었다. 광활성 산소종의 기상확산은 실리콘 산화박막의 저온 형성에 대한 광촉매 활용이라는 새로운 산화공정 방법으로 사용이 가능함을 확인할 수 있었다.
내이의 달팽이관은 기저막(basilar membrane)과 유모세포(hair cells)라는 두 가지 중요한 요소로 이루어져 있다. 기저막은 귀로 들어오는 소리를 주파수에 따라 분리하는 기능을 가지고 있으며, 기저막 위에 있는 유모세포는 생체전기 신호를 발생시키는 기계적 감각 수용기관이다. 인간의 생체청각기구를 모사한 인공와우와 신개념의 인공감각기관을 개발하기 위해서, 본 논문에서는 ZnO 압전 나노필라를 사용하여 인공유모세포(artificial hair cell)를 구현할 수 있는 핵심 기반 기술인 생체모사 기술을 연구하였다. 그 구체적인 방법으로 ZnO 나노필라를 저온성장법으로 유연기판에, 고온성장법으로 실리콘 웨이퍼에 성장시켰다. 유연기판과 실리콘 웨이퍼 위에 ZnO 나노필라를 성장 전에 미리 패턴을 만들었고, 기판에 선택적으로 ZnO 나노필라를 성장시켰다. 또한 ZnO 나노필라의 동적 정적 거동을 이해하기 위해 다중 물리 해석기법을 사용하여 ZnO 나노필라의 electric potential, von Mises stress, 변형량 등을 분석하였다. 본 연구에서는 ZnO 나노필라를 제작 및 패터닝하는 기술과 최적화하는 다중 물리 해석기술을 이용하여 인공 유모세포를 구현하는 핵심기술을 개발하였다.
AIN과 저온 GaN 완충충율 이용하여 Si 기판 위의 후막 GaN의 성장특성을 조샤하였다. Si과 GaN의 격자부정합도와 열팽창계수의 차이를 줄이기 위해 AIN과 저온 GaN를 완충충으로 사용하였다. AIN은 RF sputter를 이용하여 중착온도와 증착시간 및 RF power에 따른 표면 거칠기를 AFM으로 조사하여 최척조건을 확립하여 사용하였다. 또한 저온에서 GaN를 성장시켜 이를 완충충으로 이용하여 후막 GaN의 성장시 미치는 영향을 살펴보았다. 성장온도와 V/III 비율이 후막 성장시 표면특성과 결정성 및 성장속도에 미치는 영향을 조사하였다. 후막 GaN의 표연특성 및 막의 두께는 SEM과 $\alpha-step$을 이용하여 측정하였으며 결정성은 X-ray Diffractometer를 이용하여 조사하였다.
Recently, the nanowire configuration of GST showed nanosecond-level phase switch at very low power dissipation, suggesting that the nanowires could be ideal for data storage devices. In spite of many advantages of IST materials, their feasibility in both thin films and nanowires for electronic memories has not been extensively investigated. The synthesis of the chalcogenide nanowires was mainly preformed via a vapor transport process such as vapor-liquid-solid (VLS) growth at a high temperature. However, in this study, IST nanowires as well as thin films were prepared at a low temperature (${\sim}250^{\circ}C$) by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) method, which is possible for large area deposition. The IST films and/or nanowires were selectively grown by a control of working pressure at a constant growth temperature by MOCVD. In-Sb-Te NWs will be good candidate materials for high density PRAM applications. And MOCVD system is powerful for applying ultra scale integration cell.
The present study was undertaken to investigate the effect of low temperature and salicylic acid(SA) on the chilling tolerance of acclimated and nonacclimated cucumber(Cucurmis sativus L.) seedlings. The acclimation phenomenon was characterized in chilling-sensitive cucumber seedlings and found to have a significant effect on the survival and shoot dry weights. The injuries experienced by the acclimated seedlings in the third leaf stage were on average smaller by half than those experienced by the nonacclimated seedlings. Chilling also caused a large increase in the free proline levels, regardless of the acclimation status. Exogenous treatment with SA(0.5mM) resulted in improved growth and survival of the nonacclimated chilled seedlings, indicating that SA induced chilling tolerance and SA and acclimation had common effects. The application of cycloheximide in the presence of SA restored the acclimation-induced chilling tolerance. The elevated proline level observed in the cold-treated and SA-treated plants was more pronounced in the light than in the dark at a chilled temperature, indicating that endogenous proline may play a role in chilling tolerance by stabilizing the water status in response to chilling. From these results it is suggested that SA provided protection against low-temperature stress by increasing the proline accumulation, and pre-treatment with SA may induce antioxidant enzymes leading to increased chilling tolerance.
CSVd-infected chrysanthemum plants grown under $10^{\circ}C\;or\;15^{\circ}C$ growth chamber for 2 months resulted a higher dilution endpoint of template RNA for Reverse transcription and polymerase chain reaction (RT-PCR) than those grown for 1 month: $10^{-4}(1.35{\times}10^{-2}ug/ml)$ for 1 month, and $10^{-3}(1.35{\times}10^{-1}ug/ml)$ for 2 months. Independent experiment, shoots cut from CSVd (Chrysanthemum stunt viroid)-in footed chrysanthemum plants grown under $10^{\circ}C\;or\;20^{\circ}C$ growth chamber for 2 months showed the same CSVd concentration as control($30^{\circ}C$) at 8 weeks after moving them to normal green-house condition($30^{\circ}C$). From those results, it was concluded that even though the concentration of CSVd was reduced in plants grown at low temperatures, when they were moved to normal glass-house temperature CSVd concentration increased to that of untreated plants in 8 weeks. This conclusion was supported by the rapid replication of CSVd in chrysanthemum after infection.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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