• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2008년도 제35회 하계학술대회 초록집
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• pp.335-335
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• 2008

• 한국진공학회지
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• 제7권s1호
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• pp.85-99
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• 1998

A ultrahigh vacuum chemical vapor deposition(UHVCVD)/metalorganic chemical vapor deposition(MOMBE) system equipped with a radio frequency(RF)-plasma cell was employed to grow GaN layer on the sapphire at a low temperature. The x-ray photoelectron spectroscopy analysis of nitrogen composition on the nitridated sapphite surface indicated that a nitridation process is mostly affected by the RF power at low temperature. Atomic force microscope images of nitridated surface the protrusion density on the nitridated sapphire is dependent on the nitridation temperature. The crystallinity of GaN grown at $450^{\circ}C$ was found to be much improved when the sapphire was nitridated at low temperature prior to the GaN layer growth. Moreover, a strong photoluminescence spectrum of GaN grown by UHVCVD/MOMBE with a rf-nitrogen plasma was observed for the first time at room temperature.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.421-421
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• 2012

Graphene has drawn enormous attention owing to its outstanding properties, such as high charge mobility, excellent transparence and mechanical property. Synthesis of Graphene by chemical vapor deposition (CVD) is an attractive way to produce large-scale Graphene on various substrates. However the fatal limitation of CVD process is high temperature requirement(around $1,000^{\circ}C$), at which many substrates such as Al substrate cannot endure. Therefore, we propose plasma enhanced CVD (PECVD) and decrease the temperature to $400^{\circ}C$. Fig. 1 shows the typical structure of RF-PECVD instrument. The quality of Graphene is affected by several variables. Such as plasma power, distance between substrate and electronic coil, flow rate of source gas and growth time. In this study, we investigate the influence of these factors on Graphene synthesis in vacuum condition. And the results were checked by Raman spectra and conductivity measurement.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2006년도 제30회 학술논문발표회 초록집
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• pp.76-76
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• 2006

• 한국응용과학기술학회지
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• 제34권2호
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• pp.305-314
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• 2017

본 연구는 마이크로파 저온진공건조 기술을 이용하여 고효율 인삼개발을 하고자 하였다. 홍삼 제조 공정에서 증삼 후 $60-70^{\circ}C$에서 24시간 동안 건조하고 다시 $40^{\circ}C$에서 72시간동안 건조한 열풍 건조 홍삼과 증삼 후 마이크로파 저온진공건조기에서 900 watt, 2.45 MHz, 50 mmHg 조건으로 5시간동안 건조하고 다시 750 mmHg로 2시간동안 건조한 홍삼으로 조직 관찰, 관능평가, 진세노사이드 및 조사포닌 함량 변화 등을 비교하였다. 그 결과, 마이크로파 저온진공 홍삼은 색도가 밝은 색으로, 표면적은 다공성 조직으로 변화하였으며, 향미를 높이고 쓴 맛을 크게 감소시킴과 동시에 단 맛을 증가시켜 종합적인 선호도를 높였다. 또한, 단시간에 진세노사이드 $Rg_1$과 $Rb_1$ 함량을 열풍 건조 홍삼에 비해 1시간대에서 약 6배, 8배가 증가되었으나, $Rg_3$ 함량에서는 큰 차이가 나타나지 않았다. 마지막으로 조사포닌 함량은 10-20분대부터 크게 증가하여 이후 지속적으로 높은 함량이 나타났다. 이와 같은 결과를 종합해보면, 마이크로파 저온진공홍삼은 열풍 건조 홍삼에 비해 다공성 조직 변화를 통해 단시간에 진세노사이드 및 조사포닌에 대한 추출 수율을 높이고 향미와 식감을 개선시켜 홍삼에 대한 선호도를 높일 수 있음을 확인되었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제14권2호
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• pp.567-572
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• 2013

냉난방을 사용하는 가정에서는 대부분 창문을 통해 열손실이 이루어지고 있는데 이를 방지하기 위해 Low-E 유리, 복층유리 또는 진공유리가 사용되고 있다. 본 논문에서는 진공유리 제작공정의 최종공정인 봉지공정에 대한 연구가 수행되었는데 기존 상압 접합이 아닌 진공챔버 내 접합이 고려되었다. 봉지과정의 효율성을 위해 진공챔버 내에서 히터온도에 따른 프리트 용융온도 및 접합시간을 최적화하였고 열응력으로 인한 유리 파손을 방지하기 위해 유리 예열온도를 최적화하였다. 이러한 결과를 바탕으로 성공적으로 진공유리를 제작하였고 측정된 열관류율은 약 $5.7W/m^2K$로 진공유리 내부압력은 약 $10^{-2}$ torr로 판명되었다.

• 생명과학회지
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• 제18권9호
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• pp.1271-1277
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• 2008

본 연구에서는 동결건조 방법과 저온 진공 건조기를 도입하여 양파를 건조한 후 유기 용매로 추출하여 인체 결장암 및 섬유육종세포에 대한 증식 억제 효과와 세포 내 활성산소종 억제 효과에 대해 비교 검토하였다. 저온 진공 건조방법으로 건조된 양파 분말의 A+M 추출물은 가장 낮은 농도인 0.5 mg/ml에서부터 농도 의존적으로 인체 섬유육종 및 결장암세포의 성장을 억제시켜 동결 건조된 양파 A+M 추출물보다 높은 증식 억제효과를 보였고(p<0.05), A+M 추출물과 비교했을 때 낮은 증식 억제효과를 나타내었으나 두 가지 건조방법에 따른 각각의 양파 MeOH 추출물도 암세포 증식 억제효과를 보였다(p<0.05). 동결건조 및 저온 진공 건조방법에 따른 양파 분획물들도 높은 암세포 증식 억제효과를 나타내었으며 그 중에서 동결 건조된 양파의 water 분획물과 hexane 분획물은 저온 진공 건조된 양파의 경우 보다 다소 높은 저해효과를 나타내었다(p<0.05). 따라서 A+M 추출물과 MeOH 추출물의 경우에는 저온 진공건조에 의해 건조된 양파 추출물에 의한 암세포 증식 억제 효과가 컸으며 분획물들의 경우에는 동결 건조된 양파 추출물의 억제 효과가 다소 높았다. 지질과산화물 생성 억제효과 실험에서는 두 가지 건조 방법에 의해 건조된 양파 분말의 A+M 및 MeOH 추출물들과 그 분획물들은 첨가농도 2.5 mg/ml에서 blank군과 control군과 비교하였을 때 측정 시간 120분 동안 계속적으로 높은 세포 내 지질 과산화물 생성 억제 능력을 나타내었다(p<0.05). 세포내 활성산소종 억제효과는 동결건조에 의해 건조된 양파보다 저온 진공 건조방법에 의해 건조된 양파 분말의 추출물과 분획물들에 의한 저해효과가 더 높았다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.235.2-235.2
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• 2014

Plasma hardly grows in low pressure because of lack of collision. Especially, in extremely low pressure like 1 mTorr, the experiment scale is far larger than mean free path therefore plasma is hardly generated in such low pressure. But low pressure plasma has useful properties like low damage or fine sputtering process because it has typically low electron density. In here, thermal electron is used to make breakdown in low pressure easily and cylindrical geometry is used to help discharge easily. And we changed magnetic field strength to control electron density or temperature. In low pressure, density and temperature behavior is very interesting so its characteristics are examined here.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.198.1-198.1
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• 2016

Organic light-emitting diode (OLED) displays have promising potential to replace liquid crystal displays (LCDs) due to their advantages of low power consumption, fast response time, broad viewing angle and flexibility. Organic light emitting materials are vulnerable to moisture and oxygen, so inorganic thin films are required for barrier substrates and encapsulations.[1-2]. In this work, the silicon-based inorganic thin films are deposited on plastic substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at low temperature. It is necessary to deposit thin film at low temperature. Because the heat gives damage to flexible plastic substrates. As one of the transparent diffusion barrier materials, silicon oxides have been investigated. $SiO_x$ have less toxic, so it is one of the more widely examined materials as a diffusion barrier in addition to the dielectric materials in solid-state electronics [3-4]. The $SiO_x$ thin films are deposited by a PECVD process in low temperature below $100^{\circ}C$. Water vapor transmission rate (WVTR) was determined by a calcium resistance test, and the rate less than $10.^{-2}g/m^2{\cdot}day$ was achieved. And then, flexibility of the film was also evaluated.

• Applied Science and Convergence Technology
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• 제24권4호
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• pp.77-83
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• 2015

Many welding processes are performed to construct cryogenic system. Leak-tight for the cryogenic system is required at low temperature environment. Helium leak detection techniques are commonly used to find leak for the cryogenic system. The helium leak detection techniques for spraying, sniffing and pressurizing techniques are introduced. High vacuum is also necessary to use helium leak detector. So, types of fluid flow, effective temperature, conductance and pumping speed are introduced for vacuum pumping. Leak test procedure is shown for pipe welding, cryomodule and low temperature test. Cryogenic seals which include copper gasket, helicoflex gasket and indium are investigated.