The major causes of electrical fire are classified to short circuit fault, overload fault, electric leakage and electric contact failure. The occurrence factor of the fire is electric arc or spark accompanied with electrical faults. Residual Current Protective Device(RCD) of high sensitivity type used at low voltage wiring cuts off earth leakage and overload, but the RCD can't cut off electric arc or spark to be a major factor of electrical fire. As the RCDs which are applied low voltage distribution panel are prescribed to rated breaking time about 30[ms](KS C 4613), the RCDs can't perceive to the periodic electric arc or spark of more short wavelength level. To be improved on such problem, this paper is proposed to a auxiliary control apparatus for RCD trip on electric arc or spark due to electrical fire. Some experimental results of the proposed apparatus is confirmed to the validity of the analytical results.
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.54
no.3
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pp.70-77
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2017
Recently, Internet of Things (IoT) and deep learning techniques have affected video surveillance systems in various ways. The surveillance features that perform detection, tracking, and classification of specific objects in Closed Circuit Television (CCTV) video are becoming more intelligent. This paper presents real-time algorithm that can run in a PC environment using only a low power CPU. Traditional tracking algorithms combine background modeling using the Gaussian Mixture Model (GMM), Hungarian algorithm, and a Kalman filter; they have relatively low complexity but high detection errors. To supplement this, deep learning technology was used, which can be trained from a large amounts of data. In particular, an SRGB(Sequential RGB)-3 Layer CNN was used on tracked objects to emphasize the features of moving people. Performance evaluation comparing the proposed algorithm with existing ones using HOG and SVM showed move-in and move-out error rate reductions by 7.6 % and 9.0 %, respectively.
New cathode materials $LaNi_{1-x}{Cu_x}{O_3}$ (typically $LaNi_{0.8}Cu_{0.2}O_3$) were synthesized using a co-precipitation method. The structure and morphology of the powders were characterized by X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM). The composite material [$Ce_{0.8}Sm_{0.2}O_{2-\ddot{a}}$(SDC) and carbonate (${Na_2}{CO_3},{Li_2}{CO_3}$)], NiO and $LaNi_{1-x}{Cu_x}{O_3}$ were used as the electrolyte, anode and cathode, respectively. The electrochemical performance of La-Ni-Cu-O perovskite oxide at low temperatures ($400{\sim}550^{\circ}C$) was studied. The results showed that $LaNi_{0.8}Cu_{0.2}O_3$ precursor powder prepared through a co-precipitation method and calcined at $860^{\circ}C$ for 2 h formed uniform grains with diameters in the range of $400{\sim}500\;nm$. The maximum power density and the short circuit current density of the single cell unit at $550^{\circ}C$ were found to be $390\;mW/cm^2$ and $968\;mA/cm^2$, respectively.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SC
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v.40
no.6
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pp.24-30
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2003
This study focuses on the arithmetical methodology and hardware implementation of low system-complexity A $B^2$+C operator over GF(2$^{m}$ ) using the irreducible AOP of degree m. The proposed parallel-in parallel-out operator is composed of CS, PP, and MS modules, each can be established using the array structure of AND and XOR gates. The proposed multiplier is composed of (m+1)$^2$ 2-input AND gates and (m+1)(m+2) 2-input XOR gates. And the minimum propagation delay is $T_{A}$ +(1+$\ulcorner$lo $g_2$$^{m}$$\lrcorner$) $T_{x}$ . Comparison result of the related A $B^2$+C operators of GF(2$^{m}$ ) are shown by table, It reveals that our operator involve more lower circuit complexity and shorter propagation delay then the others. Moreover, the interconnections of the out operators is very simple, regular, and therefore well-suited for VLSI implementation.
Kim, Nam-Hoon;Kang, Tae-Ho;Shin, Han-Sin;Kil, Gyung-Suk
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.33
no.2
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pp.130-134
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2020
Metal oxide varistors (MOVs) protect circuits and devices from transient overvoltages in electric power systems. However, a MOV continuously deteriorates owing to manufacturing defects or repetitive protective operations from transient overvoltages. A deteriorated MOV may result in a short circuit or a line-ground accident. Previous studies focused on the analysis of deterioration mechanisms and condition diagnosis techniques for MOVs owing to their recent growth of use. An accelerated deterioration experiment under the same conditions in which a MOV operates is essential. In this study, we designed and fabricated a surge generator that can apply a surge current to a MOV connected to AC mains. The coupling network operates at a low impedance against the surge current from the surge generator and transfers the surge current to the MOV under test. It also acts as a high impedance against AC mains for the AC voltage not to be applied to the surge generator. The decoupling network operates at a high impedance against the surge current and blocks the surge current from AC mains. It also acts as a low impedance against AC mains for the AC voltage to be applied to the MOV under test. The prototype surge generator can apply the 8/20 us up to 15 kA on AC voltages in the approximate range of 110~450 V, and it fully operates on a LabVIEW-based program.
Kim, D.I.;Hwang, B.U.;Jeon, H.S.;Bae, B.S.;Lee, H.J.;Lee, N.E.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.154-154
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2012
Flexible complementary inverters based on thin-film transistors (TFTs) are important because they have low power consumption and high voltage gain compared to single type circuits. We have manufactured flexible complementary inverters using pentacene and amorphous indium gallium zinc oxide (IGZO) for the p-channel and n-channel, respectively. The circuits were fabricated on polyimide (PI) substrate. Firstly, a thin poly-4-vinyl phenol (PVP) layer was spin coated on PI substrate to make a smooth surface with rms surface roughness of 0.3 nm, which was required to grow high quality IGZO layers. Then, Ni gate electrode was deposited on the PVP layer by e-beam evaporator. 400-nm-thick PVP and 20-nm-thick ALD Al2O3 dielectric was deposited in sequence as a double gate dielectric layer for high flexibility and low leakage current. Then, IGZO and pentacene semiconductor layers were deposited by rf sputter and thermal evaporator, respectively, using shadow masks. Finally, Al and Au source/drain electrodes of 70 nm were respectively deposited on each semiconductor layer using shadow masks by thermal evaporator. The characteristics of TFTs and inverters were evaluated at different bending radii. The applied strain led to change in voltage transfer characteristics of complementary inverters as well as source-drain saturation current, field effect mobility and threshold voltage of TFTs. The switching threshold voltage of fabricated inverters was decreased with increasing bending radius, which is related to change in parameters of TFTs. Throughout the bending experiments, relationship between circuit performance and TFT characteristics under mechanical deformation could be elucidated.
In this paper, we propose the methods not only to eliminate ELF(Extremely Low Frequency) EMI(Electro-Magnetic Interference) noice for extending recognition distance, but also to utilize the the PLN for detecting starting instance of a hand gesture using electric potential sensor. First, we measure strength of electric field generated in the smart devices such as TV and phone, and minimize EMI through efficient arrangement of the sensors. Meanwhile, we utilize the 60 Hz PLN to extract the starting point of hand gesture. Thereafter, we eliminate the PLN generated in the smart device and circuit of sensors. And then, we shield the sensors from an electric noise generated from devices. Finally, through analyzing the frequency components according to the gesture of target, we use the low pass filter and the Kalman filter for elimination of remaining electric noise. We analyze and evaluate the proposed ELF-band EMI eliminating method for non-contact remote sensing of the EPS(Electric Potential Sensor). Combined with a detecting technique of gesture starting point, the recognition distance for gestures has been proven to be extended to more than 3m, which is critical for real application.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.14
no.8
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pp.809-815
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2003
It is very important to get very high switching speed as well as low phase noise of frequency synthesizer in the OFDM/FH communication system. In this paper we compare the phase noises and switching speeds of the conventional PLL and digital hybrid PLL(DH-PLL) frequency synthesizer, also, we investigate the effect of phase noise on the performance of OFDM/FH communication system. DH-PLL has high switching speed property at the cost of circuit complexity and more power consumption. Unlike the conventional PLL in which the phase noise and switching speed have the trade off relationship in respect of loop filter bandwidth, DH-PLL frequency synthesizer can perform fast switching speed and low phase noise simultaneously. Under the condition of same hopping speed requirement, DH-PLL can achieve faster switching speed and lower SNR penalty compared with conventional PLL in the OFDM/FH communication system.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.22
no.4
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pp.470-480
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2011
Analog ferrite phase shifters based on rectangular waveguides which are used as component of passive phased array system have high power handling capability, but it is heavy and has high cost to fabricate. In this paper, we propose an analog ferrite phase shifter using substrate integrated waveguide(SIW), which has low cost and is easy to fabricate because it uses printed circuit board(PCB) process. The proposed structure is fabricated by using centeral dielectric material removal for inserting a ferrite bar. The measured results show that the proposed structure has not only $5.1^{\circ}$/mm phase variation but also return loss variation under 12.9 dB. Therefore, it is expected that the proposed phase shifter can plays an role to reduce weight and to has low cost on the phased array system.
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.50
no.11
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pp.130-137
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2013
This paper presents analog front-end(AFE) circuits for bio-potential measurement. The proposed AFE is composed of IA(instrument amplifier), BPF(band-pass filter), VGA(variable gain amplifier) and SAR(successive approximation register) type ADC. The low gm(LGM) circuits with current division technique and Miller capacitance with high gain amplifier enable IA to implement on-chip AC-coupling without external passive components. Spilt capacitor array with capacitor division technique and asynchronous control make the 12-b ADC with low power consumption and small die area. The total current consumption of proposed AFE is 6.3uA at 1.8V.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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