The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers B
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v.51
no.11
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pp.616-621
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2002
With biological effects by ELF (Extremely Low Frequency) magnetic field generated from power system, the transient magnetic field from electric appliances is a major issue presently. Because the transient magnetic field induces higher current than the power frequency field inside living bodies, transient magnetic field exposure has been much focused. In this paper, it is shown that transient magnetic field from electric home appliances can be characterized as magnetic dipole moment. In this method, the dipole moment vector is assumed by allowing an uncertainty of 6dB in the estimated field. A parameter M that represents biological interaction was applied also. The proposed method was applied to 7 types of appliances (hair drier, heater, VDT, etc.) and their equivalent magnetic dipole moment and harmonic components were estimated. As the results, the useful data for quantifying magnetic field distribution around electric appliances were obtained.
A portable RF HTS SQUID-based susceptometer was applied to the measurement of fatigue behavior for type 316L(N) stainless steel containing 0.04% to 0.15% nitrogen content. Strain-controlled low cycle fatigue (LCF) tests were conducted at RT and $600^{\circ}C$ in air an atmosphere, and the magnetic moments were measured after the fatigue test using HTS SQUID. The magnetic moment of an as-received sample is higher than that of a fatigued sample in all the temperature ranges irrespective of the nitrogen content. The fatigue life decreased with an increasing test temperature up to $500^{\circ}C$, but increased at $600^{\circ}C$. The change of the magnetic moments by LCF test is attributed to the stress induced micro defects.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers A
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v.54
no.1
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pp.31-37
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2005
With biological effects by ELF(Extremely Low Frequency) magnetic field generated from power system, the transient magnetic field from electric appliances is a major issue presently. In this paper, we measured magnetic field distributions around electric appliances in view of harmonics and analyzed them by the use of an equivalent magnetic dipole moment method. This method was applied to 19 types of appliances, and their equivalent magnetic dipole moments and harmonic components were determined. The results show that this method is applicable to many appliances and the higher frequency magnetic field may induce higher current inside living bodies.
Park, I.W.;Hong, Y.S.;Kim, Y.M.;Yoon, H.;Lee, K.J.;Cho, S.H.
Journal of the Korean Magnetics Society
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v.18
no.1
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pp.1-8
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2008
We have manufactured and evaluated reference samples for the use of low magnetic moment measurements. Before the measurements, SQUID magnetometers were magnetically shielded from external magnetic noise. We considered the purity including magnetic impurities, the optimum thickness, the modification method, and the shape in the preparation of the samples. Three paramagnetic polycrystaline metal plates of Ti, W, and Al with the area of $4mm{\times}6mm$ were prepared finally. The magnetic moments of these three samples are measured very linear up to the field of 5 T without magnetic hysteresis. The temperature deviated ratios of the magnetic moments for Ti, Al, and W from 290 K to 310 K are 0.7, 1.5, and 0.1 %, respectively. The measured magnetic moments for Ti and W samples by our research team are very well agreeable with those by two SQUID magnetometers and a VSM at Quantum Design via international round robin test. The results suggest that the prepared reference samples are well suited for the use in the low magnetic moment measurement with SQUID based magnetometers.
A portable RF HTS SQUID-based susceptometer was used for small size magnetized sample testing in weak DC (up to 200A/m) and AC (up to 4 A/m) magnetic fields. The system resolution for the magnetic moment is of the order of $1.6{\times}10^{-10} A.m^2$. The measured DC susceptibility of a tested sample agrees well with the value obtained by using a commercial liquid helium susceptometer.
The magnetization properties have been measured for amorphous $Fe_{82}Mn_{8-x}B_xZr_{10}$ (x = 0-8) alloys. The temperature dependence of magnetization for these alloys shows the existence of antiferromagnetic couplings between Fe atoms in low fields at low temperatures. The magnetic parameters, obtained from the magnetization behavior are consistent with the presence of mixed magnetic state. The Curie temperature and magnetic moment increased with an increase of the concentration of B and spin glass like transition observed at low temperature decreases and finally vanishes at x = 8 at %. Our result suggests that the substitution of B for Mn seems to cause an increase of magnetic order.
Sin, Min-Jeong;Park, Byeong-Gyu;Hwang, Chan-Yong;Lee, Han-Gil
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.173.1-173.1
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2014
The variations of electronic and magnetic properties of ultrathin Fe overlayers on a W(001) surface as a function of Fe film thickness (1.0~4.0 ML) has been investigated using x-ray magnetic circular dichroism (XMCD) in conjunction with ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS) and low energy electron diffraction (LEED). We found that the ferromagnetic property of Fe film started to build up over 2.0 ML, as we confirmed the spin and angular moment contribution to the magnetic moment using XMCD experiments. We will systematically demonstrate that the occurrence of ferromagnetic property of Fe film on a W(001) surface is closely correlated to a themally stable layer of Fe film on a W(001) surface.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2003.03a
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pp.19-19
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2003
The injection of spins into nonmagnetic semiconductors has recently attracted great interest due to the potential to create new classes of spin-dependent electronic devices. A recent strategy to achieve control over the spin degree of freedom is based on dilute ferromagnetic semiconductors. Ferromagnetism has been reported in various semiconductor groups including II-Ⅵ, III-V, IV and II-IV,-V$_2$, which will be reviewed. On the other hand, to date the low solubility of magnetic ions in non-magnetic semiconductor hosts and/or low Curie temperature have limited the opportunities. Therefore the search for other promising ferromagnetic semiconducting materials, with high magnetic moments and high Curie temperatures (Tc), is of the utmost importance. In this talk, we also introduce new pure ferromagnetic semiconductors, MnGeP$_2$ and MnGeAs$_2$, exhibiting ferromagnetism and a magnetic moment per Mn at 5K larger than 2.40 ${\mu}$B. The calculated electronic structures using the FLAPW method show an indirect energy gap of 0.24 and 0.06 eV, respectively. We have observed spin injection in MnGeP$_2$ and MnGeAs$_2$ magnetic tunnel junctions through semiconducting barriers.
Low temperature magnetic properties and crystal structures of melt-spun $Sm_{2}Co_{7}B_{3}$ compound were characterized. The magnetic measurements in the temperature range 77 K~450 K indicated that a spin-reorientation took place at about 150~160 K. A large anisotropy was observed(Ha=135 kOe at 300 K, 725 kOe at 77 K) for $Sm_{2}Co_{7}B_{3}$ although the magnetic moment is rather low. The crystal structure of the $Sm_{2}Co_{7}B_{3}$ compound was analyzed in detail by Rietveld analysis of powder diffraction pattern, and it was revealed that B(4h) atoms are not placed in the Sm(2e) layer but in between the Sm(2e) and Co($6i_{1}$) layers.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.7
no.1
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pp.12-15
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2006
We present the structural, magnetic, and electrical properties in the (Al,Mn)N films with various Mn concentrations grown by plasma-enhanced molecular beam epitaxy. X-ray diffraction analyses reveal that the (Al,Mn)N films have the wurtzite structure without secondary phases. All (Al,Mn)N films showed the ferromagnetic ordering. Particularly, ($Al_{1-x}Mn_{x}$)N film with x = 0.028 exhibited the highest magnetic moment per Mn atom at room temperature. Since all the films exhibit the insulating characteristics, the origin of ferromagnetism in (Al,Mn)N might be attributed to either indirect exchange interaction caused by virtual electron excitations from Mn acceptor level to the valence band within the samples or a percolation of bound magnetic polarons arisen from exchange interaction of localized carriers with magnetic impurities in a low carrier density regime.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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