The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.17
no.1
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pp.68-79
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1992
In the high speed analog system satellite communication system, video signal processing and optical fiber interface circuits, GaAs high gain operational amplifier is advantageous due to obtain a high gain because of its low transconductance and other drawbacks, such as low frequency dispersion and process variation. Therefore in this paper, a circuit techniques for improving the voltage gain for GaAs MESFET amplifier is presented. Also, various types of existing current mirror and current mirror proposed are compared.To obtain the high differential gain, bootstrap gain enhancement technique is used and common mode feedback is employed in differential amplifier.The simulation results show that gain is higher than that of basic amplifier about 18.6dB, and stability and frequency performance of differential amplifier are much improved.
In this paper low power high gain amplifier is suitable for application in low power systems was designed and fabricated. The amplifier used both subthreshold bias for low power and positive feedback Q-enhancement technique for high gain. The amplifier used TSCM $0.18{\mu}m$ RF CMOS technology measures a power gain of 32.3dB, a quality factor of 366 and a power consumption of 3mW in a supply voltage of 1.8V.
The use of high voltage gain converters is essential for the distributed power generation systems with renewable energy sources such as the fuel cells and solar cells due to their low voltage characteristics. In this paper, a high voltage gain topology combining cascode Inverting Buck-Boost converter and voltage multiplier structure is introduced. In proposed converter, the input voltage is connected in series at the output, the portion of input power is directly delivered to the load which results in continuous input current. In addition, the voltage multiplier stage stacked in proper manner is not only enhance high step-up voltage gain ratio but also significantly reduce the voltage stress across all semiconductor devices and capacitors. As a result, the high current-low voltage switches can be employed for higher efficiency and lower cost. In order to show the feasibility of the proposed topology, the operation principle is presented and the steady-state characteristic is analyzed in detail. A 380W-40/380V prototype converter was built to validate the effectiveness of proposed converter.
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.51
no.12
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pp.90-95
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2014
This paper presents a VHF/UHF-band variable gain low noise amplifier for multi-standard mobile TV tuners. A proposed VHF-band variable gain amplifier is composed of a resistive shunt-feedback low noise amplifier to remove external matching components, a single-to-differential amplifier with input PMOS transcoductors to improve low frequency noise performance, a variable shunt-feedback resistor and an attenuator to control variable gain range. A proposed UHF-band variable gain amplifier consists of a narrowband low noise amplifier with capacitive tuning to improve noise performance and interference rejection performance, a single-to-differential with gm gain control and an attenuator to adjust gain control range. The proposed VHF-band and UHF-band variable gain amplifier were designed in a $0.18{\mu}m$ RF CMOS technology and draws 22 mA and 17 mA from a 1.8 V supply voltage, respectively. The designed VHF-band and UHF-band variable gain amplifier show a voltage gain of 27 dB and 27 dB, a noise figure of 1.6-1.7 dB and 1.3-1.7 dB, OIP3 of 13.5 dBm and 16 dBm, respectively.
The steam generator level in a PWR is very difficult to control particularly at low power. And the constant control gain and time value are not adaptive in steam generator level controller. In normal operation constant control gain and time value have no problem. But there is problem at low power. So variable control gains based on the temperature are required. The best control gain is decided by the experienced knowledge. A fuzzy gain tuner is used for the gain tuning. In the design of fuzzy gain-tuner processing, the experienced knowledge is employed for making fuzzy rules.
Purpose: The purpose of this paper was to identify blood pressure, interdialytic weight gain, thirst and intradialytic discomfort in subjects after applying individual low-sodium dialysis fluid (1,2,3 mEq/L) to hemodialysis patients for 12 weeks. Methods: This study was a non-equivalent pre-post design. For 12 weeks, dialysate concentration was maintained at 1 mEq/L or 2 mEq/L or 3 mEq/L based on average sodium concentration of each individual, and the difference was compared after applying individually. Results: Change in blood pressure significantly decreased in the group where in pre-hemodialysis systolic pressure decreased the gradient of sodium concentration in serum sodium and dialysis solution by 2mEq/L. Interdialytic weight gain, and thirst showed significant decrease in all three groups. But in all three groups, intradialytic discomfort among dialysis showed no significant changes. Conclusion: Although application of low sodium dialysis fluid showed no change in intradialytic discomfort, lowered blood pressure, thirst, and interdialytic weight gain, which could be used for individual showing increased interdialytic weight gain and increased blood pressure. There is need for continued study on this.
We have achieved very low threshold current densities with high light output powers for InGaAs/ GaAs surface-emitting lasers using a periodic gain active structure in which three quantum wells are inserted in two-wavelength-thick (2${\lambda}$ ) cavity. Air-post type devices with a diameter of 20~40${\mu}m$ exhibit a threshold current density of 380~410$A/cm^2$. Output power for a 40${\mu}m$ diameter device reaches over 11 mW. A simple theoretical calculation of the threshold and power performances indicates that the periodic gain structure has an advantage in achieving low threshold current density mainly due to the high coupling efficiency between gain medium and optical field. The deterioration of power, expected from the long cavity length of $2{\lambda}$, is negligible.
The balanced amplifier is a practical amplifier to, implement a broadband amplifier that has flat gain and good input and output VSWR. Three-stage amplifier design procedure usually divided into three partition satisfying the following requirements : low noise figure, high gain and high power output. FHX35LG HEMT device is used in the design can be obtained low noise figure at the first-stage, MGA82563 MMIC device is used in the design can be maintained high gain at the second-stage, and AHI MMIC device is used in the design can be required high power output at the third-stage. The results of three-stage balanced amplifier show that power gain is about 40㏈, noise figure is less than 1.2㏈ at operating frequency.
An ultra-wideband low-noise amplifier is proposed with operation up to 8.2 GHz. The amplifier is fabricated with a 0.18-${\mu}m$ CMOS process and adopts a two-stage cascode architecture and a simplified Chebyshev filter for high gain, wide band, input-impedance matching, and low noise. The gain of 19.2 dB and minimum noise figure of 3.3 dB are measured over 3.4 to 8.2 GHz while consuming 17.3 mW of power. The Proposed UWB LNA achieves a measured power-gain bandwidth product of 399.4 GHz.
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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v.8
no.10
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pp.1477-1483
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2013
This paper proposes a low-voltage current-mode integrator for a continuous-time current-mode baseband channel selection filter. The low-voltage current-mode linear cascode integrator is introduced to offer advantages of high current gain and improved unity-gain frequency. The proposed current-mode integrator has fully differential input and output structure consisting of CMOS complementary circuit. Additional cascode transistors which are operated in linear region are inserted for bias to achieve the low-voltage feature. Frequency range is also controllable by selecting proper bias voltage. From simulation results, it can be noticed that the implemented integrator achieves design specification such as low-voltage operation, current gain, and unity gain frequency.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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