NAND flash memory-based Solid State Drives (SSD) have lots of merits compared to traditional hard disk drives (HDD). However, random write in SSD is still far slower than sequential read/write and random read. There are two independent approaches to resolve this problem: 1) using part of the flash memory blocks as log blocks, and 2) using internal write buffer (DRAM or Non-Volatile RAM) in SSD. While log blocks are managed by the Flash Translation Layer (FTL), write buffer management has been treated separately from FTL. Write buffer management schemes did not use the exact status of log blocks and log block management schemes in FTL did not consider the behavior of write buffer management scheme. In this paper, we first show that log blocks and write buffer have a tight relationship to each other, which necessitates integrated management of both of them. Since log blocks also can be viewed as another type of write buffer, we can manage both of them as an integrated write buffer. Then we provide three design criteria for the integrated write buffer management scheme which can be very useful to SSD firmware designers.
Five layers in mean flow are proposed by using the direct numerical simulation data of turbulent pipe flow up to Reτ = 3008. Viscous sublayer, buffer layer, mesolayer, log layer and core region are investigated. In the buffer layer, the viscous force is counterbalanced by the turbulent inertia from the streamwise mean momentum balance, and a log law occurs here. The overlap layer is composed of the mesolayer and the log layer. Above the buffer layer, the non-negligible viscous force causes the power law, and this region is the mesolayer, where it is the lower part of the overlap layer. At the upper part of the overlap layer, where the viscous force itself becomes naturally negligible, the log layer will appear due to that the acceleration force of the large-scale motions increases as the Reynolds number increases. In the core region, the velocity-defect form is satisfied with the power-law scaling.
Kim, hak-cheol;Park, youg-hun;Yun, jong-hyeon;Seo, dong-min;Song, seok-il;Yoo, jae-soo
Proceedings of the Korea Contents Association Conference
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2009.05a
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pp.51-56
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2009
Flash memory has rapidly deployed as data storage. However, the flash memory has a major disadvantage that recorded data cannot be dynamically overwritten. In order to solve this "erase-before-write" problem, the log block buffer scheme used Flash memory file system. however, the current managements of the log buffer, in case random write pattern, BAST technique have problem of frequent merge operation, but FAST technique don't consider merge operation by frequently updated data. Previous methods not consider merge operation cost and frequently updated data. In this paper, we propose a new log buffer management scheme, called JBB. Our proposed method evaluates the worth of the merge of log blocks, so we conducts the merge operation between infrequently updated data and its data blocks, and postpone the merge operation between frequently updated data and its data blocks. Through the method, we prevent the unnecessary merge operations, reduce the number of the erase operation, and improve the utilization of the flash memory storage. We show the superiority of our proposed method through the performance evaluation with BAST and FAST.
Flash memory is at high speed used as storage of personal information utilities, ubiquitous computing environments, mobile phones, electronic goods, etc. This is because flash memory has the characteristics of low electronic power, non-volatile storage, high performance, physical stability, portability, and so on. However, differently from hard disks, it has a weak point that overwrites on already written block of flash memory is impossible to be done. In order to make an overwrite possible, an erase operation on the written block should be performed before the overwrite, which lowers the performance of flash memory highly. In order to solve this problem the flash memory controller maintains a system software module called the flash translation layer(FTL). Of many proposed FTL schemes, the log block buffer scheme is best known so far. This scheme uses a small number of log blocks of flash memory as a write buffer, which reduces the number of erase operations by overwrites, leading to good performance. However, this scheme shows a weakness of low page usability of log blocks. In this paper, we propose an enhanced log block buffer scheme, FAST(Full Associative Sector Translation), which improves the page usability of each log block by fully associating sectors to be written by overwrites to the entire log blocks. We also show that our FAST scheme outperforms the log block buffer scheme.
Flash memory has been widely used as an important storage device for consumer electronics. For the flash memory-based storage systems, FTL (Flash Translation Layer) is used to handle the mapping between a logical page address and a physical page address. Especially, log buffer-based FTLs provide a good performance with small-sized mapping information. In designing the log buffer-based FTL, one important factor is to determine the mapping structure between data blocks and log blocks, called associativity. While previous works use static associativity fixed at the design time, we propose a new log block mapping scheme which adjusts associativity based on the run-time workload. Our proposed scheme improves the I/O performance about 5~16% compared to the static scheme by adjusting the associativity to provide the best performance.
Complex formation of magnesium-Eriochrome Black T at constant ionic strength and hydrogen ion concentration have been studied spectrophotometrically in acetonitrile solution. The measured pH values were calibrated with standard buffer solutions by using a glass electrode Ag/0.1M $AgNO_3$ reference electrode couple. The results are as follows;$E_{glass}=716+59.1\;logA_{H+}[mv]$+(in mv. vs. Ag reference electrode for picric acid $-10^{-3}M$ tetramethylammonium picrate buffer), and $E_{glass}=1,193+59.1\;logA_{H+}[mv]$(in mv. vs. Ag reference electrode for 1,3-diphenylguanidine $-3{\times}10^{-3}M $ 1,3-diphenylguanidine perchlorate buffer). The acid dissociation exponent of ligand, $ pK_{H,EBT-}$was found to be 9.1. The conditional formation constants of $MgEBT^{-}$complex by log-ratio method were 3.97 (when m = 2) and 5.02 (when m = 1) as $log K_n$, respectively, for the reaction of $H_mEBT^{(3-m)-} + Mg^{2+} {\leftrightarrow}MgEBT^{-} + mH^{+}$. The present study showed that$MgEBT^{-}$ has the composition of 1:1 which agrees with the result of Schwarzenbach et al. in aqueous solution.
In flash memory, many previous garbage collection methods only merge blocks statically and do not consider the contents of buffer. These schemes may cause more unnecessary block erase operations and page copy operations. However, since flash memory has the limitation of maximum rate and life cycle to delete each block, an efficient garbage collection method to evenly wear out the flash memory region is needed. This paper proposes a memory compaction scheme based on block-level buffer for flash memory. The proposed scheme not only merges the data blocks and the corresponding log block, but also searches for the block-level buffer to find the corresponding buffer blocks. Consequently, unnecessary potential page copying operations and block erasure operations could be reduced, thereby improving the performance of flash memory and prolonging the lifetime of flash memory.
The aim of this study was to investigate the antimicrobial characteristics of citral against Salmonella Typhimurium and Staphylococcus aureus. Antimicrobial activities were determined according to the citral concentration and initial pH. The tested citral concentrations were 0-1,000 ppm in tryptic soy broth (TSB) and 0-5,000 ppm in Angelica keiskei juice (NokJeup). The initial pHs tested were 4-7. Antimicrobial activities increased as citral concentration increased. S. aureus was more susceptible than S. Typhimurium during culture in TSB. But S. aureus was less susceptible to pH changes. Citral caused about 1-2 log reduction of S. aureus and 2-5 log reduction of S. Typhimurium after 10 min exposure at different pHs. As the citral concentration in the Algelica keiskei juice increased, S. aureus was easily inactivated but S. Typhimurium was not inactivated.
We propose an adaptive garbage collection technique for hybrid flash memory which has both SLC and MLC. Since SLC area is fast and MLC area has low cost, the proposed scheme utilizes the SLC area as log buffer and the MLC area as data block. Considering the high write cost of MLC flash, the garbage collection for the SLC log buffer moves a page into the MLC data block only when the page is cold or the page migration invokes a small cost. The other pages are moved within the SLC log buffer. Also it adjusts the parameter values which determine the operation of garbage collection adaptively considering I/O pattern. From the experiments, we can know that the proposed scheme provides better performance compared with the previous flash management schemes for the hybrid flash and finds the parameter values of garbage collection close to the optimal values.
The comparative molecular field analysis (CoMFA) method has been employed to correlate the apparent lipophilicity (logkw) and global lipophilicity (logP) for orthopramide derivatives. This study demonstrated that CoMFA is an excellent method in predicting the complex properties of molecules such as apparent lipophilicity (logkw) or lipophilicity (logP). The better predictability of lipophilicity by introducing logkw as an independent descriptor suggests that the HPLC capacity factor measured in a buffer of pH 7.5 (logkw) can be effectively utilized in the prediction of global lipophilicity.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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