In this paper, we studied the optimization of the screen pringting method for crystalline silicon solar cell fabrication. The 156 * 156 mm2 p-type silicon wafers with $200{\mu}m$ thickness and $0.5-3{\Omega}cm$ resistivity were used after texturing, doping, and passivation. Screen printing method is a common way to make the c-Si solar cell with low-cost and high-efficiency. We studied the optimized condition for screen printing with crystalline silicon solar cell as changing the printing direction (finger line or bus bar), finger width, and mesh angle. As a result, the screen printing with finger line direction showed higher finger height and better conversion efficiency, compared with one with bus bar direction. The experiments with various finger widths and mesh angles were also carried out. The characteristics of solar cells was obtained by measuring light current-voltage, optical microscope and electroluminescence.
본 논문은 교차로 좌회전 궤적에 따른 정지선의 위치결정에 관한 연구로서 현행 교차로를 설계하는데 있어 좌회전 차량의 운행특성을 고려하지 못하는 불합리한 점을 지적하고, 좌회전 궤적을 고려한 차량정지선의 위치를 결정하는 기준을 제시하는데 그 목적이 있다. 면적이 한정되어 있는 교차로상에서 좌회전궤적을 고려하여 이를 수용하려면 정지선의 형태가 일자형이 아닌 계단형의 모양을 보이게 되는데, 이때 후퇴하게 되는 정지선의 길이를 산정함에 있어 차종을 3가지로 분류하였고 그에 따른 설치곡선반경을 12m, 15m, 23m로 제시하였다. 그리고 교차로 연석선상을 기준으로 개별 차로의 폭 차로수의 조합을 고려하였다. 따라서 본 논문은 후퇴되는 차량정지선의 길이뿐 아니라 곡선반경의 설치방법을 제시함으로서 설계된 곡선반경을 노면상에 표시하는데 도움이 될 것이다. 좌회전 궤적의 영향에 대한 연구는 교통류율과 안전성에 관계되는 것으로 불합리하게 설계된 좌회전 이동류에 대한 곡선반경은 좌회전 용량감소의 원인으로 작용할 뿐만 아니라 운전자로 하여금 죄회전시에 불안정함을 느리게 하여 인근차로를 침범하게 되는 상충발생을 증가시키게 된다.
The purpose of this study was to observe the relationship between mandibular asymmetry and Temporomandibular Disorders by means of the cephalometry using the posteroanterior cephalogram and the submentovertex cephalogram which were taken in 35 Temporomandibular Disorder patients and 35 normal persons ranged from 20S to 30S. The results were as follows: 1. The angulation which was formed by the median line with the ANS-Menton line (MAP) was greater in patients group and there was statistically significant difference. 2. The angulation which was formed to the median line with the Menton-Odontoid process tip line (MES), the difference of the distances from the center of the posterior surface of the both condyles to the most anterior point of the chin (DD), the difference of the distances from the center of the both condyles to the horizontal reference line (DE), the difference of the angulations which were formed by the both condyles axes with the horizontal reference line (DCE), the difference of the lengths of the both condyles (CL) and the difference of the widths of the both condyles (DW) were greater in patients group and there were statistically significant differences. There was reversed correlation between MAP and the difference of the distances from the 3. bilateral points of the lateral margin of the both zygomaticofrontal sutures to the at the lateral inferior margin of the both antegonial protuberances in mandible (DH). There was reversed correlation between MES and DD, DE, DCE. 5. There was correlation between MAP and MES.
본 논문에서는 제 2차 고조파의 감쇠특성이 향상된 새로운 평행 결합선로 마이크로스트립 대역통과 여파기의 설계, 제작 및 특성에 관해서 소개한다. 결합선로에 연속적인 패턴을 사용함으로써 원하는 기본 통과대역의 특성을 향상시킴과 동시에 원하지 않는 고조파 통과대역은 제거한다. 또한 결합선로 사이의 간격, 마이크로스트립 선폭 및 길이와 같이 여파기 디자인을 위해 요구되는 매개변수의 복잡한 재계산이 필요하지 않다. 즉, 평행결합선로 마이크로스트립 여파기의 전통적인 디자인 방법으로 설계한 기본 구조에 규칙적인 변형을 주면서 손쉽게 구현할 수 있다. 이 새로운 여파기의 성능을 평가하기 위해 2.5 GHz에서 10 % 대역폭을 가지는 3차 Butterworth 대역통과 여파기와 10 GHz에서 15 % 대역폭을 가지는 5차 Chebyshev 대역통과 여파기가 사용됐다. 각각 5개와 3개의 정사각형 홈이 사용됐을 때 30 dB 이상의 고조파 감쇠가 발생하며 통과대역에서는 더 우수한 차단 특성이 있다.
We performed Raman spectroscopy on two different over-doped Bi2Sr2CaCu2O8+x (BSCCO), of which superconducting transition temperatures are 89 K and 77 K. Line-shape analysis of the Raman-spectrum was done, focused on B1g bond buckling mode which have drawn a lot of attention, since photoemission studies showed an evidence for strong coupling between the mode and electron. The line-shapes show asymmetry and are well fitted by the Fano line-shape formula. Remarkably, we found that the peak line-widths from B1g bond buckling mode in BSCCO show much broader than those in YBa2Cu3O7-x. The broad line width can be attributed to the superstructure modulation of BSCCO. Our results imply that B1g bond buckling mode may have close relation to the origin of superconductivity or to boosting the superconducting transition temperature in BSCCO.
Cold temperature development (CTD) of electron beam (EB) patterned resists and subsequent dry etching were investigated for fabrication of nano-patterned Niobium (Nb). Bulky Nb fims on GaAs substrates were deposited with EB evaporation. Line patterns on Nb cathode were fabricated by EB patterning and reactive ion etching (RIE). Size deviations of nano-sized line patterns from CAD designed patterns are dependent on the EB total exposure, but it can be improved by CTD of EB-exposed resist. Line patterns of 10 to 300 nm widths of EB-exposed resist patterns were drawn under various exposure conditions of $0.2{\mu}s$/dot (total 240,000 dot) with a constant current (50 pA). Compared with room temperature development (RTD), the CTD improves pattern resolution due to the suppression of backscattering effect. RIE with $CF_4$ was performed for formation of several nano-sized line patterns on Nb. Each EB-resist patterned samples with RTDs and CTDs were etched with two different $CF_4$ gas pressures of 5 Pa. Nb etching rate increases while GaAs (or ZEP) etching rate decreases as the chamber pressure increases. This different dependent of the etching rate on the $CF_4$ pressure between Nb and GaAs (or ZEP) has a significant meaning because selective etching of nano-sized Nb line patterns is possible without etching of the underlying active layer.
Mori-Kawabata의 사영 연산자 방법을 $^{55}Mn$이 첨가된 $SrTiO^3$ 단 결정에 직접 적용하여, 이를 운동 방정식의 형태로 만드는 이론 체계를 사용하여 선모양 함수를 계산하였다. 외부 진동수 ${\nu}_0$ = 9.6 GHz에서 서로 다른 농도 [Mn] = 0.5 wt%와 2 wt%에 대한 온도 의존성으로 선폭을 조사하였다. 온도가 증가함에 따라 선폭은 감소하는 경향으로 확인되었고, 이는 선모양의 운동 좁아짐으로 보이며 고온영역 에서는 실험값과 비교적 일치함을 알 수 있었다. 이와 같이 계를 기술하는 스핀 해밀토니안에 연산자 방법을 이용한 선모양 함수는 실제 계의 적용에 편리한 급수전개로 하였으며, 다른 방법들에 비해 비교적 쉽게 계산할 수 있었다.
We investigated theoretically the quantum optical transition properties of Si, in quasi 2-Dimensinal Landau splitting system, based on quantum transport theory. We apply the quantum transport theory (QTR) to the system in the confinement of electrons by square well confinement potential under linearly polarized oscillating field. We use the projected Liouville equation method with Equilibrium Average Projection Scheme (EAPS). In order to analyze the quantum transition, we compare the temperature and the magnetic field dependencies of the QTLW and the QTLS on four transition processes, namely, the intra-leval transition process, the inter-leval transition process, the phonon emission transition process and the phonon absorption transition process.
Partial Discharge (PD) is a physical phenomenon, which causes defects and damages to the insulation. This phenomenon is regarded as the most important source of fault and defect in power transformers. Therefore, methods of high speed and precision are considered of special importance for the maintenance of transformers in localization of the origin of partial discharge. In this paper, the transformer winding is first modeled in a transient state by using RLC ladder network and multiconductor transmission line (MTL) models. The parameters of the two models were calculated by Ansoft Maxwell software, and the simulations were performed by Matlab software. Then, the PD pulses were applied to the models with different widths of pulses. With regard to the fact that the signals received after the application of PD had a variable frequency nature over time, and based on the wavelet transform and signal energy, a new method was presented for the localization of PD. Ultimately; the mentioned method was implemented on a 20 kV winding distribution transformer. Then, the performances of the models used in this paper, including RLC and MTL models, were compared in different frequency bands for the correct distinction of partial discharge location.
본 연구에서는 비균일 배열 안테나의 방사패턴 합성을 위하여 폭이 다른 마이크로스트립 패치 안테나를 급전소자 하는 급전 방식에 대하여 연구하였다. 마이크로스트립 패치 안테나는 전송선로 모델 해석 방법을 적용하여 해석하였으며, 급전소자 간의 급전 선로 길이가 h_g의 정수 배가되면 안테나 각 급전소자의 상대적 전류 비와 입력 어드미턴스의 비가 같음을 유도하였다. 급전소자의 수가 각각 6개와 9개로 제작된 비균일 구형 마이크로스트립 패치 배열 안테나를 실험한 결과 방사패턴에 대한 이론치와 실험치가 잘 일치함을 확인할 수 있다. 따라서 본 연구 결과는 비균일 배열 안테나를 구현하기 위한 급전 방식으로 사용될 수 있을 것으로 사료된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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