Northern Kyungbuk around Andong is a mountainous and more or less dry region geomorphogically. Since this area located in the valley was less invaded by foreign countries, the folk traditions have been maintained for a long time. Also as the center of Confucian culture, this region respects ceremonies and so, the simple and noble ceremonial-foods such as Ddok, Hankwas, and Buchiki have been firmly preserved in many distinguished families. And besides Andong-Soju, many traditional liquors produced in different methods can be found in this region. As Gogi-Sikhae(a fermented beverage utilizing rice and fish) is still preserved in eastern coastal area, Sosikhae(Sikhae without fish) is maintained in this region and furthermore the unique Andong Sikhae developed by modifying Sosikhae is being consumed currently. Since it is difficult to get fish here geographically, the soybean foods were developed for protein intake, for example, various fermented soybean pastes, Andong-Songuksu(a hand-made noodle using raw soybean flour), and Siragiguk(a vegetable soup).
The surface region of a sheet metal may have different characteristics from the inner region because the surface region is less restricted than the interior. In addition, the grains on the free surface are less hardened because of surface adsorption of the dislocations, rather than piling up. In the case of bulk or thick sheet metals, this effect is negligible because the fraction of the surface region is much smaller than that of the inner region. However, this surface effect is important in the case of ultra-thin sheet metals. In order to evaluate the surface effect, tensile and bending tests were performed for the SS304 stainless steel with a thickness of 0.39 mm. The bending force predicted using the tensile behavior is higher than the measurement because of the surface effect. To account for the surface effect, the surface layer model was developed by dividing the sheet section into surface and inner layers. The mechanical behaviors of the two regions were calibrated using the tensile and bending properties. The surface layer model reproduced the bending behavior of the ultra-thin sheet metal.
The current drive in an MOSFET is limited by the intrinsic channel resistance. All the other parasitic elements in a device structure playa significant role and degrade the device performance. These other resistances need to be less than $10{\%}-20{\%}$ of the channel resistance. To achieve the requirements, we should investigate the methodology of separation and quantification of those resistances. In this paper, we developed the extraction method of resistances using calibrated TCAD simulation. The resistance of the extension region is also partially determined by the formation of a surface accumulation region that forms under the gate in the tail region of the extension profile. This resistance is strongly affected by the abruptness of the extension profile because the steeper the profile is, the shorter this accumulation region will be.
Lee Jun-Ha;Lee Hoong-Joo;Song Young-Jin;Yoon Young-Sik
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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제5C권2호
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pp.49-53
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2005
The current drive in a MOSFET is limited by the intrinsic channel resistance. All other parasitic elements in a device structure perform significant functions leading to degradation in the device performance. These other resistances must be less than 10$\%$-20$\%$ of the channel resistance. To meet the necessary requirements, the methodology of separation and quantification of those resistances should be investigated. In this paper, we developed an extraction method for the resistances using calibrated TCAD simulation. The resistance of the extension region is also partially determined by the formation of a surface accumulation region that gathers below the gate in the tail region of the extension profile. This resistance is strongly affected by the abruptness of the extension profile because the steeper the profile is, the shorter this accumulation region will be.
The accuracy of the finite element method depends upon the mesh that is used in the analysis. The temperature around the arc is higher than the melting point of the materials, and it drops sharply in the regions just away from the arc. This requires an extremely fine mesh in the confined high temperature region to predict the temperature accurately in that region. But the computational time increases with the fineness of mesh. Since fine mesh is required only around the arc source, adaptivity of the input mesh according to the position of the arc source is efficient. The remeshing technique gives a fine mesh in the high temperature region around the arc and a coarse mesh in other region at any time step. With this it is possible to achieve desired accuracy with less computation time. In this study a transient adaptive mesh, remeshing technique, is developed and calculated temperature for a sample problem.
Osteomyelitis of the jaw infected with Coagulase-Negative Staphylococci (CNS) is rarely reported in the Oral and Maxillofacial Region. Staphylococcus is a part of the normal body flora, but it may be cause severe infections and CNS are often described as the important pathogens in nosocomial infections. Although many studies on prevalence and antibiotics of Staphylococcus aureus have been done, but many of these studies focus only on Methicillin-resistant S. aureus and not on methicillin-resistant coagulase-negative Staphylococci (MRCNS). There was a less study about CNS or MRCNS infections in the Oral and Maxillofacial Region. This report describes a case of a 41-year-old male patient who developed osteomyelitis caused by MRCNS on condyle after open reduction and internal fixation and suggests guideline for the prevention of postoperative infection and appropriate recommendation for treatment and control.
The current drive in an MOSFET is limited by the intrinsic channel resistance. All the other parasitic elements in a device structure playa significant role and degrade the device performance. These other resistances need to be less than 10%-20% of the channel resistance. To achieve the requirements, we should investigate a methodology of separation and quantification of those resistances. In this paper, we developed the extraction method of resistances using calibrated TCAD simulation. The resistance of the extension region is also partially determined by the formation of a surface accumulation region that forms under the gate in the tail region of the extension profile.
Computational results with pseudoplastic fluid flows for fully developed non-Newtonian laminar flows have been obtained. Those consist of the product of friction factor and Modified Reynolds number and Nusselt numbers with respect to the shear rate parameter in an annular pipe. The numerical results of the product of friction factor and Reynolds numbers and the Nusselt numbers for both Newtonian region and the power law region were compared with previously published asymptotic results, respectively. In the present calculations, the product of friction factor and Newtonian Reynolds numbers for pseudoplastic fluid at power law region in annular pipe is 180% less than that for Newtonian fluid. For power law fluids with different power law flow indices, the difference of the product of friction factor and power law Reynolds number between previous and the present results at the power law region is within 0.20%. The solutions also show the effect of the shear rate parameter on the Nusselt number and about 11% increase of Nusselt number at the power region.
Threshold porosity above which fission gas release channels would be formed in the rim egion of high burnup UO$_2$ fuel was estimated by the Monte Carlo method and Hoshen-Kopelman algorithm. With the assumption that both rim pore and rim grain can be represented by cube, pore distribution in the rim was simulated 3-dimensionally by the Monte Carlo method according to porosity and pore size distribution. Then, using the Hoshen-Kopelman algorithm, the fraction of open rim pores interlinked to the outer surface of a fuel pellet was derived as a function of rim porosity. The simulation showed that porosity of 24-25% is the threshold above which the number of rim pores forming release channels increases very rapidly. On the other hand, channels would not be formed if the porosity is less than about 23.5%. This is consistent with the observation that, for porosity less than 23.5%, almost no fission gas is released in the rim. However, once the rim porosity reaches beyond 25%, extensive open paths would be developed and considerable fission gas release would start in the rim.
고속처리를 위한 나노급의 논리소자의 개발을 위해서는 소스/드레인 영역의 저항을 감소시키는 것이 필수적이다. 반도체소자의 개발 로드맵을 제시하고 있는 ITRS의 보고에 의하면 70㎚급 MOSFET에서는 채널영역의 저항에 대비하여 그 외의 영역이 나타내는 저항성분이 약 15% 이내로 제작되어야 할 것으로 예측하고 있다. 이 기준을 유지하기 위해서는 소스/드레인 영역의 각 전류 흐름에 기인하는 가상적 기생저항에 대한 성분 분리와 이들이 가지는 저항값에 대한 정량적 계산이 이루어져야 한다. 이에 본 논문은 calibration된 TCAD simulation을 통해 나노영역의 Tr.에서 저항성분을 계산, 평가하는 방법을 연구하였다. 특히, 소스/드레인 영역의 실리사이드 접촉 저항성분들을 최소화하여 optimize하기 위한 전략을 제시한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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