Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.14
no.1
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pp.48-53
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2001
The crystal structure of ZnS fabricated by gas-liquid phase reaction was refined by the Rietveld program using X-ray diffraction data. The R-weighted pattern (R$\sub$wp/) of ZnS powder was 10.85%. The fraction of HCP phase was closely related with extra amount of H$_2$S gas. The lattice parameters and crystalline size were changed by the relative ratio of multi-phase. The luminescence property of ZnS:Cu, Al green phosphors prepared by conventional methods was good in the range of 91∼94% and 150∼190${\AA}$, respectively. According to the maximum entropy electron density(MEED) methods, any defects in (001) plane of cubic phase were not found. We suggest that both the Rietveld and maximum entropy density methods may be useful tools for studying luminescence mechanism of other phosphors materials.
In this study, a wide-band photonic crystal Y-splitter for TE modes is proposed. A triangular lattice of air holes etched in a GaAs slab is used as the platform. In order to numerically analyze the structures, plane wave expansion (PWE) and finite difference time domain (FDTD) methods are used. In comparison with the structures reported in the literature, the proposed topology has a less complexity while it provides more than 100nm bandwidth. The simplicity of the design, its high transmission ratio and its wide bandwidth makes it a suitable choice for the implementation of photonic crystal integrated circuits.
Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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1998.06a
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pp.145-148
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1998
Fluoride({{{{ { CaF}_{2 } }}}}) films exhibited a cubic structure with similar lattice constant to that of Si and have sufficient breakdown electric field as gate dielectric material. Therefore, {{{{ { CaF}_{2 } }}}} are expected to replace conventional insulator such {{{{ { SiO}_{ 2},{Ta}_{2}{O}_{ 2} and{Al}_{2}{O}_{5}. However, {CaF}_{2}}}}} films showed hystereisis properties due to mobile charges in the film. To solve this problem we performed thermal treatment and achieves field. C-v results indicate a reduced hystereisis window of {{{{ }}}}ΔV =0.2v, LOW INTERFACE STATE {{{{{D}_{it}=2.0 TIMES {10}^{11}{cm}^{-1}{eV}^{-1}}}}} in midgap, and good WIS diode properties. We observed a preferential crystallization of(200) plane from XRD analysis. RTA treatment effects on various material properties of {{{{{CaF}_{2}}}}} are presented in this paper.
The deformation and dynamic behavior mechanism of submerged shell-like lattice structures with membranes are in principle of a non-conservative nature as circulatory system under hydrostatic pressure and disturbance forces of various types, existing in a marine environment. This paper deals with a characteristic analysis on quasi-periodic and chaotic behavior of a circular arch under follower forces with small disturbances. The stability region chart of the disturbed equilibrium in an excitation field was calculated numerically. Then, the periodic and chaotic behaviors of a circular arch were investigated by executing the time histories of motion, power spectrum, phase plane portraits and the Poincare section. According to the results of these studies, the state of a dynamic aspect scenario of a circular arch could be shifted from one of quasi-oscillatory motion to one of chaotic motion. Moreover, the correlation dimension of fractal dynamics was calculated corresponding to stochastic behaviors of a circular arch. This research indicates the possibility of making use of the correlation dimension as a stability index.
Kim, Kwang-Chon;Jung, Kyoo-Ho;You, Hyun-Woo;Yim, Ju-Hyuk;Kim, Hyun-Jae;Kim, Jin-Sang
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.23
no.4
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pp.343-346
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2010
We have investigated growth of CdTe thin films by using (As, GaAs) buffer layers for application of large scale IR focal plane arrays(IFPAs). Buffer layers were grown by molecular beam epitaxy(MBE), which reduced the lattice mismatch of CdTe/Si and prevented native oxide on Si substrates. CdTe thin films were grown by metal organic chemical deposition system(MOCVD). As a result, polycrystalline CdTe films were grown on Si(100) and arsenic coated-Si(100) substrate. In other case, single crystalline CdTe(400) thin film was grown on GaAs coated-Si(100) substrate. Moreover, we observed hillock structure and mirror like surface on the (400) orientated epitaxial CdTe thin film.
We start to develop a predictable technology for thermal-hydraulic performance of the RMWR core using an advanced numerical simulation technology. As a part of this technology development, we are developing the advanced interface tracking method to improve the conservation of volume of fluid. The present paper describes a part of the development of the twophase flow simulation code TPFIT with the advanced interface tracking method. The numerical results applied to large-scale water-vapor two-phase flow in tight lattice rod bundles are shown and compared with experimental results. In the results of numerical simulation, a tendency of the predicted void fraction distribution in horizontal plane agreed with the measured values obtained by the advanced neutron radiography technique including the bridge formation of the liquid at the position of adjacent fuel rods where an interval is the narrowest.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2007.07a
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pp.237-238
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2007
A new strain analysis model, so called the stress matched model, in an epitaxial multilayer system is proposed. The model makes it possible to know the strain, the stress, the elastic strain energy in each epitaxial layer. Analytical formulas of strain parameters in each epitaxial layer are derived under assumptions that the substrate thickness is finite and the in-plane lattice constant is the same for all epitaxial layers for dislocation free growth. As an example, the model is applied to a 405nm InGaN/InGaN multiple quantum well laser diode. Analysis result shows that AlxGa1-xN layer with Al mole fraction of 0.06 and the thickness of 6${\mu}m$ is one of good templates for a laser. In fact, this layer structure coincides with experimentally optimized one.
In order to investigate the surface SHG, (110) pure STO single crystals were exposed to a reducing atmosphere to induce the reduction of the Ti ion and the release of oxygen from the lattice compensating the reduction of the Ti ions. The anisotropy and asymmetry of SHG intensity explains a slight shrinkage. The incoming fundamental wave was polarized either in the $p$-in or $s$-in to the plane of incidence for the reflection geometry. The SH polarization diagram could be described by the electric dipole and/or quadrupole contribution of reduced STO single crystal surface.
Using the ultrasonic interferometry on the single crystal MgO-periclase, adiabatic bulk moduli were determined to be 163.2 GPa and 162.6 GPa from (100) and (110) lattice plane measurements, respectively. Density was measured on polycrystalline MgO by the X-ray diffraction technique. Results from this study were compared with the previously reported values. Further, the present results were converted to the isothermal bulk moduli and, then compared with the published data available including the energy dispersive X-ray diffraction result which was performed on the same single crystal MgO. The principle and techniques ultrasonic interferometry were introduced too.
In Korean topography the behaviors of random fractals and multifractality are analytically and numerically studied on the mountain heights shown between $128{\sim}129^{\circ}E$ and $37{\sim}38^{\circ}N$. The phase transitions on the fractal structure are approximately found at the critical length $N_c=2000m$ from the values of standard deviations that it varies with both the longitudinal and latitudinal lengths. In the multifractal structure we assume that the mountain heights divided by the intervals of 20 m are located on the horizontal plane in two dimensional square lattice, and estimate the values of the generalized dimension and the scaling exponents by using the the box counting method for the three cases of square area ($1{\times}1km^2$, $2{\times}2km^2$, $4{\times}4km^2$).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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