• 제목/요약/키워드: lattice patterns

검색결과 190건 처리시간 0.023초

Physical Properties of the Nonstoichiometric Perovskite $Dy_{1-x}Sr_xCoO_{3-y}$ System

  • 정수경;김민규;김규홍;여철현
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
    • /
    • 제17권9호
    • /
    • pp.794-798
    • /
    • 1996
  • Solid solutions of the nonstoichiometric Dy1-xSrxCoO3-y system with the compositions of x=0.00, 0.25, 0.50, 0.75, and 1.00 have been synthesized by the solid state reaction at 1000 ℃ under atmospheric air pressure. The crystallographic structures of the solid solutions are analyzed by the powder X-ray diffraction patterns at room temperature. The analyses assign the compositions of x=0.00 and 0.25 to the orthorhombic system with space group of Pbnm/D2h16, the compositions of x=0.50 and 0.75 to the tetragonal system like a typical SrCoO2.86, and the composition of x=l.00 or SrCoO2.50 to the brownmillerite type system with space group of I**a. The reduced lattice volumes increase with x value due to the larger radius of Sr2+ ion than that of Dy3+ ion. The mole ratio of Co4+ ion to total Co ion with mixed valence state between Co3+ and Co4+ ions at B sites or τ value has been determined by an iodometric titration. All the samples except for the DyCoO3 compound show the mixed valnce state and thus the composition of x=0.50 has the maximum τ value in the system. The oxygen vacancies increasing with x value are randomly distributed over the crystal lattice except for the composition of x=l.00 which have the ordering of the oxygen vacancies. The nonstoichiometric chemical formulas of the Dy1-xSrxCo3+1-τCo4+τO3-(x-τ)/2 system are formulated from the x, τ, and y values. The electrical conductivity in the temperature range of 100 to 900 K increases with τ value linearly because of positive holes of the Co4+ ions in π* band as a conducting carrier. The activation energy of the x=0.50 as Ea=0.17 eV is minimum among other compouds. Broad and high order transition due to the overlap between σ* and π* bands broadened by the thermal activation is observed near 1000 K and shows a low temperature-semiconducting behavior. Magnetic properties following the Currie-Weiss law show the low to high spin transition in the cobaltate perovskite. Especially, the composition of x=0.75 presents weak ferromagnetic behavior due to the Co3+-O2--Co4+ indirect superexchange interaction.

Cu - Ni Ferrite의 결정학적 및 Mossbauer 연구 (Crystallographic and Moss bauer Studies of Cu-Ni Ferrite)

  • 김우철;홍성렬;지상희;이승화;엄영랑;김철성
    • 한국자기학회지
    • /
    • 제7권2호
    • /
    • pp.76-81
    • /
    • 1997
  • $Cu_{0.9}Ni_{0.1}Fe_{2}O_{4}$의 결정학적 및 자기적 성질을 Mossbauer 분광법과 X-선 회절법으로 연구하였다. 결정구조는 입방 spinel구조 갖으며, 격자상수 $a_{0}$ = 0.386 .angs. 임을 알았다. 또한 thermal scan 방법에 의해 Curie 온도 $T<_{c}$ = 755 K로 결정하였다. 이성질체 이동결과 사면체(A) 자리와, 팔면체 (B) 자리 모두 철이온의 전하상태가 +3가 임을 알았다. A, B 자리의 Debye 온도는 각각 568 K 와 194 K 임을 알았다. 또한 $Fe^{+3}$ 이온이 A 자리에서 B 자리로의 원자이동은 350 K 근처에서 시작되었으며, 온도 증가에 따라 급격히 증가하여 550 K 에서 Fe 이온의 이동률은 71 % 이었다.

  • PDF

FT-IR을 이용한 터키석의 감별에 관한 연구 (A study on the identification of turquoise by FT-IR)

  • 김영출
    • 한국결정성장학회지
    • /
    • 제14권6호
    • /
    • pp.272-276
    • /
    • 2004
  • 보석을 포함한 무기물질은 적외선 영역에서 특성적인 진동 에너지를 가지고 있으며 이를 이용하여 감별에 응용 되기도 한다. 결정격자의 진동과 관련이 있는 적외선 분광기의 흡수 에너지는 보석의 구성원자의 결합과 관련된 특징이다. 천연 터키석[$CuAl_6(PO_4)_4\cdot(OH)_8\cdot 5H_2O$]은 이러한 적외선의 고유한 특성에 의해 2000~450$\textrm{cm}^{-1}$ 중적외선 범위에서 천연 보석에 처리된 터키석과 합성 터키석, 모조 터키석으로부터 감별 할 수 있었다. 합성 Gilson 터키석의 스펙트럼은 천연 터키석과 비교하였을 때 보다 부드러운 스펙트럼이 나타났으며 이는 집합체의 상태가 천연 터키석과 다르기 때문이었다. 또한 천연 터키석과 외관이 매우 유사한 gibbsite는 다른 화학조성을 지니고 있음으로 인해 적외선 스팩트럼 역시 매우 다름을 보여 주었다. 적외선 분광기는 비파괴 검사로서 빠른 분석이 가능하였다.

표면확산계수의 국부적 제어를 통한 실리콘-게르마늄 박막상 표면구조물의 정렬에 관한 수치해석적 연구 (A Numerical Study on the Alignment of Surface Structures on Silicon-germanium Thin Films under a Localized Modulation of Surface Diffusivity)

  • 김윤영;한봉구
    • 한국전산구조공학회논문집
    • /
    • 제28권1호
    • /
    • pp.79-83
    • /
    • 2015
  • 본 논문에서는 헤테로 애피택시(heteroepitaxy) 박막의 표면확산계수를 국부적으로 제어하여 표면에서 형성되는 나노구조물이 정렬되는 과정을 수치해석적으로 연구하였다. 격자 불일치 물질계(lattice-mismatched materials system)의 탄성변형에너지와 표면자유에너지, 그리고 습윤에너지를 고려하여 박막의 변형거동에 대한 지배방정식을 도출하였으며, 확산계수의 활성화 조건이 성장에 미치는 영향을 살펴보았다. 해석결과는 주기함수 형식으로 표면확산계수를 제어하면 표면구조물이 배열 형태로 정렬됨을 나타내며, 이는 노광 및 식각 과정을 거쳐야 하는 포토리소그래피(photolithography)로부터 탈피한 바텀업(bottom-up) 방식의 공정방법에 규칙성을 부여하여 차세대 나노기기의 개발에 일조할 것으로 기대된다.

TSSG법에 의한 $BaTiO_3$ 단결정 육성 (Growth of $BaTiO_3$ Single Crystals by TSSG Technique)

  • 박봉모;정수진
    • 한국결정학회지
    • /
    • 제3권2호
    • /
    • pp.120-128
    • /
    • 1992
  • BaTiO3 단결정을 용액의 서냉속도를 달리하면서 TSSG법으로 육성하였으며, 성장된 단결정의 결정외형, 결정 결함, 분역구조 등을 관찰하였다. 0.5℃/hr이 하의 속도로 서 냉함으로써 비교적 등차원적인 큰 단 결정을 육성할 수 있었으며, 성장된 BaTiO3 단결정 은 |111|면이 가장 잘 발달된 외형을 나타내었다. 용 액 냉각속도가 너무 빠르거나 용액내의 수직 온도구 배가 너무 크면 용액이 불안정해지므로, 침상의 Ba6 TiL7040 결정상이 석출된다. 성장된 결정내에 평행 한 쐐기모양의 lamella 분역 집단이 이와 수직하게 진행하는 lamella 분역 집단과 불규칙한 경계를 이루 고 있으며, 이들은 x-ray topography에서 현저한 회 절 명암 차이를 나타낸다. 단결정을 127℃ 이상으로 가열하면 입 방정으로 상전이 된다. 상전이 전단이 이 동할 때 정방정 영역에서는 연속적 분역 재배열이 이루어 지고 입방정 영역에서는 규칙적인 음력변형이 나타나며, BaTiO의 PTF정벽면은 |110|에 대해 약 9°기울어진 면으로 이루어진다.

  • PDF

BiNbO4:RE3+ (RE = Dy, Eu, Sm, Tb) 형광체의 광학 특성 (Photoluminescence Properties of BiNbO4:RE3+ (RE = Dy, Eu, Sm, Tb) Phosphors)

  • 이상운;조신호
    • 한국표면공학회지
    • /
    • 제50권3호
    • /
    • pp.206-211
    • /
    • 2017
  • $BiNbO_4:RE^{3+}$ (RE = Dy, Eu, Sm, Tb) phosphors were prepared by solid-state reaction at $1100^{\circ}C$ and their structural, photoluminescent, and morphological properties were investigated. XRD patterns exhibited that all the synthesized phosphors exhibited a triclinic system with a dominant (210) diffraction peak, irrespective of the type of activator ions. The surface morphologies of rare-earth-ion-doped $BiNbO_4$ phosphors were found to depend strongly on the type of activator ions. The $Eu^{3+}$ and $Dy^{3+}$ doped $BiNbO_4$ phosphors revealed a strong red (613 nm) emission resulting from the $^5D_0{\rightarrow}^7F_2$ transition of $Eu^{3+}$ and a dominant yellow (575 nm) emission originating from the $^4F_{9/2}{\rightarrow}^6H_{13/2}$ transition of $Dy^{3+}$ respectively, which were the electric dipole transitions, indicating that the activator ions occupy sites of non-inversion symmetry in the $BiNbO_4$ phosphor. The main reddish-orange emission spectra of $Sm^{3+}$-doped $BiNbO_4$ phosphors were due to the $^4G_{5/2}{\rightarrow}^6H_{7/2}$ (607 nm) magnetic dipole transition, indicating that the $Sm^{3+}$ ions were located at inversion symmetry sites in the $BiNbO_4$ host lattice. As for $Tb^{3+}$-doped phosphors, green emission was obtained under excitation at 353 nm and its CIE chromaticity coordinates were (0.274, 0.376). These results suggest that multicolor emission can be achieved by changing the type of activator ions incorporated into the $BiNbO_4$ host crystal.

배양된 사람 세포를 이용해 제작한 인공피부에서 방사선조사에 대한 dimethyl sulfoxide의 보호 효과 (Radioprotective effects of dimethyl sulfoxide in the artificial skin reconstructed with cultured human cells)

  • 류영하;최갑식;송인환
    • Imaging Science in Dentistry
    • /
    • 제32권1호
    • /
    • pp.11-18
    • /
    • 2002
  • Purpose: To evaluate cultured human artificial skin as an experimental model for studying radiation effects in vitro. Materials and Methods: The skin was constructed by culturing keratinocytes over collagen lattice which made by culturing fibroblasts. Two groups were irradiated to gamma rays at single dose of 25 Gy with or without 3.5% of DMSO. Ultrastructures were investigated by electron microscopy after irradiation. The number of epidermal layers and expression of cytokeratin (CK) 14 & 10 were also seem by light microscopy. Results: At 2 days after irradiation in experimental group without DMSO, necrotic cells were rarely found in the spinosal layer and undercornified cells were visible in the homey layer. Similar findings were also found in experimental group with DMSO but in mild form. The number of epidermal layers in experimental group without DMSO were significantly fewer than other group. CK 14 expressed in all the layer excluding homey layer but CK 10 expressed over 3∼4 basal layers. Such patterns of CK expression were similar to all groups. It is suggested that structures of the keratinocytes and epidermal formation could be disturbed by irradiation in artificial skin and that DMSO can protect these damages. Conclusion : Therefore this work could be used as an organotypic experimental model in vitro using human cells for studying radiation effect in skin. Furthermore structural findings provided in this study could be used as useful basic data in further study using this model.

  • PDF

카메라 모델의 추정과 검증을 통한 광각 카메라 영상의 왜곡 보정 방법 (A Distortion Correction Method of Wide-Angle Camera Images through the Estimation and Validation of a Camera Model)

  • 김경임;한순희;박정선
    • 한국전자통신학회논문지
    • /
    • 제8권12호
    • /
    • pp.1923-1932
    • /
    • 2013
  • 본 논문에서는 광각 카메라로 촬영한 영상에서 생기는 영상의 왜곡 문제를 해결하기 위하여, 카메라 모델의 추정과 검증을 통하여 광각 카메라 영상에서의 방사형 왜곡을 보정하는 방법을 제안한다. 먼저, 교정 패턴으로부터 렌즈의 초점 거리와 주점의 위치 등으로 구성된 내부 파라미터와 회전과 위치 정보로 구성된 외부 파라미터를 찾음으로써 카메라의 왜곡 모델을 추정한다. 다음으로, 추정된 카메라 모델로부터 역으로 코너점을 다시 추출하여 검증하고, 마지막으로, 검증된 카메라 모델을 이용하여 영상의 왜곡을 보정한다. 일반 웹 카메라와 광각 카메라로부터 격자 모양의 교정 패턴을 촬영한 영상을 이용하여 방사형 왜곡을 보정하는 실험을 수행한 결과, 제안된 방법이 80% 이상의 개선 성능을 보임을 확인하였다.

Recursive Least-Square 알고리즘을 이용한 한국어 음소분류에 관한 연구 (A Study on Korean Phoneme Classification using Recursive Least-Square Algorithm)

  • 김회린;이황수;은종관
    • 한국음향학회지
    • /
    • 제6권3호
    • /
    • pp.60-67
    • /
    • 1987
  • 본 논문에서는 recursive least-square(RLS) 알고리즘을 이용한 한국어 음소분류방법에 관하여 연구하였다. 각 음소의 특징벡터는 prewindowed RLS lattice 알고리즘을 사용하여 추출하는 방법을 제안하였고, 각 음소의 기준패턴은 추출된 특징벡터들을 벡터양자화하여 구성하였다. 제안된 음소인식방식의 성능시험을 위하여 한국어 음소중 자음11개와 모음 8개가 포함된 7개의 한국어 도시명을 발음하여 사용하였으며 초기의 각 음소의 기준패턴으로는 음성신호의 파형을 관찰하여 추출한 표준패턴(prototype)을 사용하였다. 컴퓨터 simulation의 결과로는 화자종속 음소인식의 경우 약간의 음소규칙을 고려할 때 약$85\%$의 음소인식율을 얻었으나, 화자독립 음소인식의 경우는 이보다 훨씬 낮은 인식율을 보였다.

  • PDF

열처리된 CuGaSe2 단결정 박막의 점결함연구 (A study on point defect for thermal annealed CuGaSe2 single crystal thin film)

  • 이상열;홍광준
    • 한국재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
    • /
    • pp.154-154
    • /
    • 2003
  • A stoichiometric mixture of evaporating materials for CuGaSe2 single crystal thin films was prepared from horizontal electric furnace. Using extrapolation method of X-ray diffraction patterns for the polycrystal CuGaSe2, it was found tetragonal structure whose lattice constant at and co were 5.615 ${\AA}$ and 11.025 ${\AA}$, respectively. To obtain the single crystal thin films, CuGaSe2 mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the hot wall epitaxy (MWE) system. The source and substrate temperatures were Slot and 450$^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (UXD). The carrier density and mobility of CuGaSe2 single crystal thin films measured with Hall effect by van der Pauw method are 5.0l${\times}$10$\^$17/ cm$\^$-3/ and 245 $\textrm{cm}^2$/V$.$s at 293K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the CuGaSe2 obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, Eg(T) = 1.7998 eV - (8.7489${\times}$10$\^$-4/ eV/K)T$^2$/(T + 335 K. After the as-grown CuGaSe2 single crystal thin films was annealed in Cu-, Se-, and Ca-atmospheres, the origin of point defects of CuGaSe2 single crystal thin films has been investigated by the photoluminescence(PL) at 10 K The native defects of V$\_$CU/, V$\_$Se/, Cu$\_$int/, and Se$\_$int/ obtained by PL measurements were classified as a donors or accepters type. And we concluded that the heat-treatment in the Cu-atmosphere converted CuGaSe2 single crystal thin films to an optical n-type. Also, we confirmed that Ga in CuGaSe2/GaAs did not form the native defects because Ga in CuGaSe2 single crystal thin films existed in the form of stable bonds.

  • PDF