• 정보보호학회논문지
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• 제32권5호
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• pp.765-777
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• 2022

NIST PQC 표준화 Round 3에 제시된 PKE/KEM 알고리즘인 SABER 알고리즘은 격자 기반 문제 중 Module-LWR 문제를 기반으로 하는 알고리즘으로 Meta-PKE 구조로 되어 있다. 이때, 암호화 과정에서 사용되는 비밀 정보를 임시 키라고 부를 것이며 본 논문에서는 Meta-PKE 구조를 활용한 임시 키 재사용 공격에 대해 설명한다. NIST에서 요구하는 보안 강도 5, 3, 1을 만족하는 각각의 파라미터에 대해 4, 6, 6번의 쿼리를 사용하여 공격한 선행 연구에 대해 자세한 분석과 함께 이를 향상하여 3, 4, 4번의 쿼리만 사용하는 방법을 제시한다. 그리고 추가로 한 번의 쿼리를 통해 임시 키를 복원하는 계산 복잡도를 n차 격자 위에서 각각의 파라미터에 대해 전수조사 복잡도인 2^7.91×n, 2^10.51×n, 2^12.22×n에서 2^4.91×n, 2^6.5×n, 2^6.22×n으로 감소시키는 방법을 소개하며 그에 대한 결과 및 한계점을 제시한다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제49권6호
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• pp.27-38
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• 2012

본 논문에서는 최근 스마트 폰의 급격한 보급과 음성 위주의 이동 통신 서비스가 무선 멀티미디어 콘텐츠를 중심으로 하는 데이터 위주의 서비스로 전환되고 있음을 보였고, 셀 서비스 문제인 음영(shadowing) 지역을 해결할 수 있는 방안으로 다중점 송수신(CoMP:Coordinated Multi-Point Transmission and Reception) 기법을 소개하였다. 간섭 신호의 영향을 줄이기 위해서는 원하지 않는 간섭 신호를 직교하도록 제어하는 것이 이상적이지만, 현실적인 응용에서는 간섭을 정렬하거나 회피하는 방법이 이용된다. 간섭을 적이 아닌 친구처럼 대할 수 있도록 하는 방법이 간섭 정렬 기법이다. 강한 간섭이 존재하는 가우시안 채널 에서 격자 부호가 랜덤 부호처럼 Shannon 채널 용량을 달성할 수 있음을 확인하였고, 세 명의 사용자가 존재하는 대칭 간섭 채널의 간섭 정렬에 격자 부호를 적용하여 채널 매개 변수 a와 자유도(DoF:Degree of Freedom)의 상관관계를 보였다.

• 열처리공학회지
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• 제7권4호
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• pp.288-297
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• 1994

In this study, lattice parameter, binding energy and microstructures of TiC layer according to the addition of Fe, Cr were investigated in the reactive deposition coating. From the results, the lattice parameters of the TiC layers by using ferro-titanium as a precursor were 4.329~4.339A but the lattice parameters of the TiC layers formed by ferro-titanium and ferro-chromium decreased to 4.316~4.330A. The hardness of the former's was HV(100g) 3,000~3,400kg/mm and the hardness of the latter's was HV (100g) 3,800~3,900. But, regardless of Cr and Fe, the binding energy of TiC layers were 454.75 eV for $Ti2p_{3/2}$ and were 281.85 eV for Cls. Meanwhile, the TiC layers were densified by addition of Fe, Cr and internal defects were reduced Therefore. it can be concluded that the remarkable hardness increment was obtained by the improvement of microstructures of TiC rather than the increase of bond strength or Peierls stress.

• KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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• 제10권1호
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• pp.414-430
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• 2016

Verifier-local revocation (VLR) seems to be the most flexible revocation approaches for any group signature scheme, because it just only requires the verifiers to possess some up-to-date revocation information, but not the signers. Langlois et al. (PKC 2014) proposed the first VLR group signature based on lattice assumptions in the random oracle model. Their scheme has at least Õ(n²) ⋅ log N bit group public key and Õ(n) ⋅ log N bit signature, respectively. Here, n is the security parameter and N is the maximum number of group members. In this paper, we present a simpler lattice-based VLR group signature, which is more efficient by a O(log N) factor in both the group public key and the signature size. The security of our VLR group signature can be reduced to the hardness of learning with errors (LWE) and small integer solution (SIS) in the random oracle model.

• 한국표면공학회지
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• 제36권2호
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• pp.135-140
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• 2003

The difference in lattice parameter and thermal expansion coefficient between GaN and Si which results in many defects into the grown GaN is larger than that between GaN and sapphire. In order to obtain high quality GaN films on Si substrate, it is essential to understand growth characteristics of GaN. In this study, GaN layers were grown on Si(111) substrates by MOCVD at three different GaN growth temperatures ($900^{\circ}C$, $1,000^{\circ}C$ and $1,100^{\circ}C$), using AlN and LT-GaN buffer layers. Using TEM, we carried out the comparative investigation of growth characteristics of GaN by characterizing lattice coherency, crystallinity, orientation relationship and defects formed (transition region, stacking fault, dislocation, etc). The localized region with high defect density was formed due to the lattice mismatch between AlN buffer layer and GaN. As the growth temperature of GaN increases, the defect density and surface roughness of GaN are decreased. In the case of GaN grown at $1,100^{\circ}$, growth thickness is decreased, and columns with out-plane misorientation are formed.

• 한국전산유체공학회:학술대회논문집
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• 한국전산유체공학회 2008년도 춘계학술대회논문집
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• pp.2-5
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• 2008

This study describes the numerical simulation of three-dimensional droplet formation and the following motion in a cross-junction microchannel by using the Lattice Boltzmann Method (LBM). Our aim is to develop the three-dimensional binary fluids model, consisting of two sets of distribution functions to represent the total fluid density and the density difference, which introduces the repulsive interaction consistent with a free-energy function between two fluids. We validated the LBM code with the velocity profile in a 3-dimensional rectangular channel. Then, we applied our code to the numerical simulation of a binary fluid flow in a cross-junction channel focusing on the investigation of the droplet formulation. Due to the pressure and interfacial-tension effect, one component of the fluids which is injected from one inlet is cut off into many droplets periodically by the other component which is injected from the other inlets. We considered the effect of the boundary conditions for density difference (order parameter) on the wetting of the droplet to the side walls.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.116-117
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• 2006

I-D ZnO nanostructures were fabricated by thermal evaporation method on Si(100), GaN and $Al_2O_3$ substrates without a catalyst at the reaction temperature of $700^{\circ}C$. Only pure Zn powder was used as a source material and Ar was used as a carrier gas. The shape and growth direction of synthesized ZnO nanostructures is determined by the crystal structure and the lattice mismatch between ZnO and substrates. The ZnO nanostructure on Si substrate were inclined regardless of their substrate orientation. The origin of ZnO/Si interface is highly lattice-mismatched and the surface of the Si substrate inevitably has the $SiO_2$ layer. The ZnO nanostructure on the $Al_2O_3$ substrate was synthesized into the rod shape and grown into particular direction. For the GaN substrate, however, ZnO nanostructure with the honeycomb-like shape was vertically grown, owing to the similar lattice parameter with GaN substrate.

• Applied Microscopy
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• 제27권1호
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• pp.101-109
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• 1997

La이 첨가되고 또한 첨가되지 않은 $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3$ 고용체에서 Mg과 Nb의 비화학양론적인 구조 규칙화 현상이 고분해능 전자현미경과 컴퓨터 이미지 시뮬레이션에 의해 연구되었다. 고분해능 격자 이미지는 여러 이미지 형성 조건과 대물렌즈 구경에서 얻었다. 컴퓨터 이미지 시뮬레이션은 여러 시편 두께, 초점 거리, 장거리 규칙도에서 실시되었다. 규칙격자 구조를 가지는 영역의 격자 이미지는 장거리 규칙도에 크게 의존되는 것이 발견되었다. 규칙격자 구조를 가지는 영역에 있어서, 실험 격자 이미지와 컴퓨터 시뮬레이션 이미지의 비교로부터, 규칙격자 구조를 가지는 영역의 장거리 규칙도는 $0.2\sim0.7$의 간을 가지고 있는 것이 관찰되었다. 또한 규칙격자는 $(NH_4)_3FeF_6$ 결정구조를 가지고 있었다.

• 대한화학회지
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• 제56권2호
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• pp.207-211
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• 2012

강체구형입자에 대한 Carnahan-Starling식과 인력 포텐셜을 갖는 격자 모델을 이용하여 새로운 2-매개변수 상태식을 유도하였다. 이 식을 이용하여 압축인자를 계산하고 Nelson-Obert 압축인자도표와 비교하여 보았다. 그 결과 이 식은 Redlich-Kwong식과 평균적으로 비슷한 정도로 실험적인 압축인자도표와 일치한다는 것을 알 수 있다. 그런데 새 상태식에서 나타나는 매개변수와 항들은 Redlich-Kwong equation의 경우보다 분명한 물리적 의미를 갖고 있다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제16권2호
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• pp.204-209
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• 2016

The analyses on self-heating effect in 7 nm node non-rectangular Bulk FinFET device were performed using 3D device simulation with consideration to contact via and pad. From self-heating effect simulation, the position where the maximum lattice temperature occurs in Bulk FinFET device was investigated. Through the comparison of thermal resistance at each node, main heat transfer path in Bulk FinFET device can be determined. Self-heating effect with device parameter and operation temperature was also analyzed and compared. In addition, the impact of interconnects which are connected between the device on self-heating effect was investigated.