Pak, Sang-Woo;Suh, Joo-Young;Lee, Dong-Uk;Kim, Eun-Kyu
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.208-208
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2010
Zinc oxide (ZnO) is a functional material with interesting optical and electrical properties, a wide band gap (more than 3.3 eV), a high transmittance in the visible light region, piezoelectric properties, and a high n-type conductivity. This material has been investigated for use in many applications, such as transparent electrodes, blue light-emitting diodes, and ultra-violet detector. ZnO films grown under low oxygen pressure by thin film deposition methods show low resistivity and large free electron concentration. Therefore, reducing the background carrier concentration in ZnO films is one of the major challenges ahead of realizing high-performance ZnO-based optoelectronic devices. In this study, we deposited ZnO thin films on sapphire substrates by pulsed laser deposition (PLD) with employing an oxygen plasma source to decrease the background free-electron concentration and enhance the crystalline quality. Then, the substrate temperature was varied between 200 'C to 900 'C The vacuum chamber was initially evacuated to a pressure of $10^{-6}$ Torr, and then a pure $O_2$ gas was introduced into the chamber and the pressure during deposition was maintained at $10^{-2}$ Torr. Crystallinity and orientation of ZnO films were investigated by X-ray diffraction (XRD). The film surface was analyzed with atomic force microscope (AFM). And electrical properties were measured at room temperature by Hall measurement.
Yoo, Soon-Sung;Jun, Jung-Mok;Lee, Kyung-Ha;Moon, Byeong-Yeon;Jang, Jin
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.31A
no.5
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pp.106-112
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1994
We have developed a large area ion shower doping system with an RF plasma ion source. The ion current density (i.e., doping concentration) increases with RF power and acceleration voltage. Using this technique, we investigated the optimum condition for ion doping of phosphorus in a-Si:H and poly-Si films. The optimum acceleration voltage and doping time are 6KV and 90sec, respectively, in a-Si:H films. Under this condition the electrical conductivity of ion-doped a-Si:H film is obtained ~10$^{-3}$/cm at room temperature. The sheet resistance decreases witnh acceleration voltage in ion-doped poly-Si, and a heavily-doped layer with a sheet resistance of 920$\Omega$/ㅁ is obtained by using ion doping and subsequent activation.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.220.1-220.1
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2014
본 연구에서는 PECVD 공법 중에 이온화 에너지가 높은 선형이온빔 소스를 이용하여 고온에서 전도성 카본박막을 코팅하였다. 카본 박막 코팅을 위한 Precursor는 $C_2H_2$ gas를 이용하였으며, 온도에 따른 카본 박막의 전기적 특성 및 두께에 따른 카본 박막 성장 구조를 분석하였다. 카본 박막의 전기적 특성은 Interfacial contact resistance (ICR) 방법으로 측정하였으며, 접촉 저항 측정을 위한 모재는 SUS316L stainless steel을 사용하였고 카본 박막 성장 구조 분석을 위해서는 폴리싱된 Si-wafer를 사용하였다. 선형이온빔 소스를 이용하여 상온에서 증착한 카본 코팅의 접촉저항 값은 50 nm 코팅 두께에서 $660m{\Omega}cm^2@10kgf/cm^2$으로 비정질상의 특성을 나타냈으며, 고온에서는 $14.8m{\Omega}cm^2@10kgf/cm^2$으로 온도가 증가함에 따라 비정질상의 카본 박막이 전도성을 가지는 카본박막으로의 성장을 확인할 수 있었다. 또한 전도성 카본 박막의 성장 구조 분석은 FE-SEM 및 Raman spectrum 분석을 통해 확인하였으며, 그 결과 코팅 두께가 증가할수록 카본 입자들은 수nm에서 약 150 nm의 카본 cluster를 형성하며 성장하였다. 이때 전도성 카본 박막의 두께에 따른 접촉저항의 값은 고온 조건에서 카본 박막의 두께가 약 100 nm일 때, $12.1m{\Omega}cm^2@10kgf/cm^2$의 가장 낮은 값을 가졌다. 위의 결과를 경제성이 아주 우수한 대면적 전도성 나노 카본 박막의 상용화 가능성이 높아질 것으로 기대된다.
The point spread function (PSF) of an optical system is in general defined as a two-dimensional intensity distribution which results from a single point source at infinity. It is an important key for the evaluation of the optical performance of an astronomical telescope. The PSFs of the soft X-ray telescope (SXT) aboard Yohkoh were measured in a wide range of the field-of-view under the in-flight configuration at White Sands Missile Range prior to launching the satellite. It has been known that the SXT PSF has a sharp peak at the core and the intensity drops very fast as it goes distant from the center. Due to the combination of this sharp peak at the PSF core and the effect of undersampling by a large pixel size, a carefully designed method is requested in the examination of the PSF data. The pattern of the SXT PSF is determined by the fitting of a mathematical functional form to the pre-launch experimental data. The elliptical Moffat function has been adopted for the evaluation of the SXT PSF. It is revealed from our study that the SXT PSF shows a peculiar characteristics, and thus a careful consideration on the undersampling effect and also a proper choice of statistics are necessary for the determination of the best fit function of the PSF. Details on the on- and off-axis SXT PSF in the field-of-view will be introduced and discussed in our presentation.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2006.12a
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pp.35-38
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2006
As a display becomes large recently, Acquisition of high luminance and Luminance uniformity is becoming difficult in the existing CCFL or EEFL backlight system. So, study for a performance enhancement has enforced. but lamp development of flat type is asked for high luminance and a luminance uniformity security in of LCD and area anger trend ultimately. In this paper, we changed a tip shape of an electrode for production by the most suitable LCD backlight surface light source, and confirmed discharge characteristic along discharge gas pressure and voltage, and confirmed electric field distribution and discharge energy characteristic through a Maxwell 2D simulation. Therefore the discharge firing voltage characteristic showed a low characteristic than a rectangular type and round type in case of electrode which used tip of a triangle type, and displayed a discharge electric current as a same voltage was low.
Journal of Korean Society of Disaster and Security
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v.7
no.1
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pp.27-33
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2014
This research has been shown the strategic disaster prevention and safety management's methodology that minimize the demage and loss from environmental disaster: it is made the renewable energy using the urban wastes causing the main environmental disaster, it minimize the generating cost from the environmental disaster, it gain the energy source for preparing the large-scale shutdown electricity, it gain the profit from the continuous electric power and heat energy's generating, it gain the renewal energy source from the old urban wastes' landfill, it give back the citizen the clean environment, the construction cost is able to be solved form the profit which the power plant is made the plasma gasification generation of the urban wastes, it create the new related jobs in the local government, it base to be invested the local industrial zone's commercialization due to the renewal energy power plant. Especially, in happen to the large-scale natural disaster's typhoon and earthquake, in the result generating the large-scale urban wastes, it is shown the prepared and robust model which contribute the preventing recovery of the local economy using the renewal energy of the urban wastes, and the strategic disaster prevention and safety management's method in the future city.
Atomic layer deposition(ALD) is a promising deposition method and has been studied and used in many different areas, such as displays, semiconductors, batteries, and solar cells. This method, which is based on a self-limiting growth mechanism, facilitates precise control of film thickness at an atomic level and enables deposition on large and three dimensionally complex surfaces. For instance, ALD technology is very useful for 3D and high aspect ratio structures such as dynamic random access memory(DRAM) and other non-volatile memories(NVMs). In addition, a variety of materials can be deposited using ALD, oxides, nitrides, sulfides, metals, and so on. In conventional ALD, the source and reactant are pulsed into the reaction chamber alternately, one at a time, separated by purging or evacuation periods. Thermal ALD and metal organic ALD are also used, but these have their own advantages and disadvantages. Furthermore, plasma-enhanced ALD has come into the spotlight because it has more freedom in processing conditions; it uses highly reactive radicals and ions and for a wider range of material properties than the conventional thermal ALD, which uses $H_2O$ and $O_3$ as an oxygen reactant. However, the throughput is still a challenge for a current time divided ALD system. Therefore, a new concept of ALD, fast ALD or spatial ALD, which separate half-reactions spatially, has been extensively under development. In this paper, we reviewed these various kinds of ALD equipment, possible materials using ALD, and recent ALD research applications mainly focused on materials required in microelectronics.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.60
no.2
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pp.357-361
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2011
The terminal current in voltage driven systems is an essential role for characterizing the pattern of electric discharge such as corona, breakdown, etc. Until now, to evaluate this terminal current, Sato's equation has been widely used in areas of high voltage and plasma discharge. Basically Sato's equation was derived by using the energy balance equation and its final form described physical meaning explicitly. To give more general abilities in Sato's equation, we present a generalized approach by directly using the Poynting's theorem incorporating the finite element method. When the magnetic field effect or the time-dependent voltage source is considered, this generalized energy method can be easily applicable to those problems with any dielectric media such as gas, fluid, and solid. As an alternative approach, the integral Ohm's law resulting in small numerical errors has an ability to be applied to multi-port systems. To test the generalized energy method and integral Ohm's law, first, the results from two prosed methods were compared to those from Sato's approach and an analytic solution in parallel plane electrodes. After verification, the generalized method was applied to the tip-sphere electrodes for evaluating the terminal current with three carriers and the Fowler-Nordheim field emission condition. From these results, we concluded that the generalized energy method can be a consistent technique for evaluating the discharge current with various dielectric materials or large magnetic field.
Hu, Nianzhi;Shen, Zhiwen;Pan, Li;Qin, Guixin;Zhao, Yuan;Bao, Nan
Animal Bioscience
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v.35
no.2
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pp.260-271
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2022
Objective: We aimed to investigate the effect of the differing amino acid (AA) release dynamics of two protein sources on the growth performance, nitrogen deposition, plasma biochemical parameters, and muscle synthesis and degradation of piglets when included in their diets at normal and low concentrations. Methods: Forty-eight piglets (Duroc×Landrace×Large White) with initial body weight of 7.45±0.58 kg were assigned to six groups and fed one of 6 diets. The 6 dietary treatments were arranged by 3×2 factorial with 3 protein sources and 2 dietary protein levels. They are NCAS (a normal protein content with casein), NBlend (a normal protein content with blend of casein and corn gluten meal), NCGM (a normal protein content with corn gluten meal), LCAS (a low protein content with casein), LBlend (a low protein content with blend of casein and corn gluten meal), LCGM (a low protein content with corn gluten meal). The release dynamics of AA in these diets were determined by in vitro digestion. The digestibility, utilization and biological value of nitrogen in piglets were determined by micro Kjeldahl method. Plasma insulin was measured by enzyme-linked immunosorbent assay kits. The protein expression of mediators of muscle synthesis and degradation was determined by western blotting. Results: Although the consumption of a low-protein diet supplemented with crystalline AA was associated with greater nitrogen digestion and utilization (p<0.05), the final body weight, growth performance, nitrogen deposition, and phosphorylation of ribosomal protein S6 kinase 1 and eIF4E binding protein 1 in the muscle of pigs in the low-protein diet-fed groups were lower than those of the normal-protein diet-fed groups (p<0.05) because of the absence of non-essential AA. Because of the more balanced release of AA, the casein (CAS) and Blend-fed groups showed superior growth performance, final body weight and nitrogen deposition, and lower expression of muscle ring finger 1 and muscle atrophy F-box than the CGM-fed groups (p<0.05). Conclusion: We conclude that the balanced release of AA from CAS containing diets and mixed diets could reduce muscle degradation, favor nitrogen retention, % intake and improve growth performance in pigs consuming either a normal- or low-protein diet.
Fully sealed field emission display in size of 4.5 inch has been fabricated using single-wall carbon nanotubes-organic vehicle com-posite. The fabricated display were fully scalable at low temperature below 415$^{\circ}C$ and CNTs were vertically aligned using paste squeeze and surface rubbing techniques. The turn-on fields of 1V/${\mu}{\textrm}{m}$ and field emis-sion current of 1.5mA at 3V/${\mu}{\textrm}{m}$ (J=90${\mu}{\textrm}{m}$/$\textrm{cm}^2$)were observed. Brightness of 1800cd/$m^2$ at 3.7V/${\mu}{\textrm}{m}$ was observed on the entire area of 4.5-inch panel from the green phosphor-ITO glass. The fluctuation of the current was found to be about 7% over a 4.5-inch cath-ode area. This reliable result enables us to produce large area full-color flat panel dis-play in the near future. Carbon nanotubes (CNTs) have attracted much attention because of their unique elec-trical properties and their potential applica-tions [1, 2]. Large aspect ratio of CNTs together with high chemical stability. ther-mal conductivity, and high mechanical strength are advantageous for applications to the field emitter [3]. Several results have been reported on the field emissions from multi-walled nanotubes (MWNTs) and single-walled nanotubes (SWNTs) grown from arc discharge [4, 5]. De Heer et al. have reported the field emission from nan-otubes aligned by the suspension-filtering method. This approach is too difficult to be fully adopted in integration process. Recently, there have been efforts to make applications to field emission devices using nanotubes. Saito et al. demonstrated a car-bon nanotube-based lamp, which was oper-ated at high voltage (10KV) [8]. Aproto-type diode structure was tested by the size of 100mm $\times$ 10mm in vacuum chamber [9]. the difficulties arise from the arrangement of vertically aligned nanotubes after the growth. Recently vertically aligned carbon nanotubes have been synthesized using plasma-enhanced chemical vapor deposition(CVD) [6, 7]. Yet, control of a large area synthesis is still not easily accessible with such approaches. Here we report integra-tion processes of fully sealed 4.5-inch CNT-field emission displays (FEDs). Low turn-on voltage with high brightness, and stabili-ty clearly demonstrate the potential applica-bility of carbon nanotubes to full color dis-plays in near future. For flat panel display in a large area, car-bon nanotubes-based field emitters were fabricated by using nanotubes-organic vehi-cles. The purified SWNTs, which were syn-thesized by dc arc discharge, were dispersed in iso propyl alcohol, and then mixed with on organic binder. The paste of well-dis-persed carbon nanotubes was squeezed onto the metal-patterned sodalime glass throuhg the metal mesh of 20${\mu}{\textrm}{m}$ in size and subse-quently heat-treated in order to remove the organic binder. The insulating spacers in thickness of 200${\mu}{\textrm}{m}$ are inserted between the lower and upper glasses. The Y\ulcornerO\ulcornerS:Eu, ZnS:Cu, Al, and ZnS:Ag, Cl, phosphors are electrically deposited on the upper glass for red, green, and blue colors, respectively. The typical sizes of each phosphor are 2~3 micron. The assembled structure was sealed in an atmosphere of highly purified Ar gas by means of a glass frit. The display plate was evacuated down to the pressure level of 1$\times$10\ulcorner Torr. Three non-evaporable getters of Ti-Zr-V-Fe were activated during the final heat-exhausting procedure. Finally, the active area of 4.5-inch panel with fully sealed carbon nanotubes was pro-duced. Emission currents were character-ized by the DC-mode and pulse-modulating mode at the voltage up to 800 volts. The brightness of field emission was measured by the Luminance calorimeter (BM-7, Topcon).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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