Browse > Article
http://dx.doi.org/10.3740/MRSK.2013.23.8.405

Atomic Layer Deposition: Overview and Applications  

Shin, Seokyoon (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University)
Ham, Giyul (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University)
Jeon, Heeyoung (Department of Nano-scale Semiconductor Engineering, Hanyang University)
Park, Jingyu (Department of Nano-scale Semiconductor Engineering, Hanyang University)
Jang, Woochool (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University)
Jeon, Hyeongtag (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University)
Publication Information
Korean Journal of Materials Research / v.23, no.8, 2013 , pp. 405-422 More about this Journal
Abstract
Atomic layer deposition(ALD) is a promising deposition method and has been studied and used in many different areas, such as displays, semiconductors, batteries, and solar cells. This method, which is based on a self-limiting growth mechanism, facilitates precise control of film thickness at an atomic level and enables deposition on large and three dimensionally complex surfaces. For instance, ALD technology is very useful for 3D and high aspect ratio structures such as dynamic random access memory(DRAM) and other non-volatile memories(NVMs). In addition, a variety of materials can be deposited using ALD, oxides, nitrides, sulfides, metals, and so on. In conventional ALD, the source and reactant are pulsed into the reaction chamber alternately, one at a time, separated by purging or evacuation periods. Thermal ALD and metal organic ALD are also used, but these have their own advantages and disadvantages. Furthermore, plasma-enhanced ALD has come into the spotlight because it has more freedom in processing conditions; it uses highly reactive radicals and ions and for a wider range of material properties than the conventional thermal ALD, which uses $H_2O$ and $O_3$ as an oxygen reactant. However, the throughput is still a challenge for a current time divided ALD system. Therefore, a new concept of ALD, fast ALD or spatial ALD, which separate half-reactions spatially, has been extensively under development. In this paper, we reviewed these various kinds of ALD equipment, possible materials using ALD, and recent ALD research applications mainly focused on materials required in microelectronics.
Keywords
atomic layer deposition; self-limiting; surface reaction; spatial ALD;
Citations & Related Records
Times Cited By KSCI : 1  (Citation Analysis)
연도 인용수 순위
1 S. H. Kim, S. H. Woo, H. S. Hong, H. C. Kim, H. Jeon, and C. H. Bae, J. Electrochem. Soc., 154(2), H97 (2007).   DOI   ScienceOn
2 J. H. Lee, J. H. Koo, H. S. Sim, and H. Jeon, J. Korean Phys. Soc., 44, 4 (2004).
3 S. K. Kim, S. W. Lee, J. H. Han, B. R. Lee, S. W. Han, and C. S. Hwang, Adv. Funct. Mater., 20, 2989 (2010).   DOI   ScienceOn
4 S. W. Lee, J. H. Han, S. R. Han, W. G. Lee, J. H. Jang, M. H. Se, S. K. Kim, C. Dussarrat, J. Gatineau, Y. S. Min, and C. S. Hwang, Chem. Mat., 23, 2227 (2011).   DOI   ScienceOn
5 K. H. Ahn, S. G. Baik, and S. S. Kim, J. Appl. Phys., 92, 2651 (2002).   DOI   ScienceOn
6 R. Bez, E. Camerlenghi, A. Modelli and A. Visconti, Proc. IEEE, 91, 489 (2003).   DOI   ScienceOn
7 F. Irrera, I. Piccoli, G. Puzzilli, M. Rossini and T. Vali, Microelectron. Reliab., 49, 135 (2009).   DOI   ScienceOn
8 J. D. Lee, S. H. Hur and J. D. Choi, IEEE Electron Device Lett., 23, 264 (2002).   DOI   ScienceOn
9 G. Atwood, IEEE Trans. Device Mater. Reliab., 4, 301 (2004).   DOI   ScienceOn
10 G. Van den Bosch, G. S. Kar, P. Blomme, A. Arreghini, A. Cacciato, L. Breuil, A. De Keersgieter, V. Paraschiv, C. Vrancken, B. Douhard, O. Richard, S. Van Aerde, I. Debusschere, and J. Van Houdt, IEEE Electron Device Lett., 32, 1501 (2011).   DOI   ScienceOn
11 H. J. Kim, Micro. Eng. 106, 69 (2013).   DOI   ScienceOn
12 J. W. Elam, A. Zinovev, C. Y. Han, H. H. Wang, U. Welp, J. N. Hyrn and M. J. Pellin, Thin Solid Films, 515, 1664 (2006).   DOI   ScienceOn
13 H. Liu, K. Xu, X. Zhang and P. D. Ye, Appl. Phys. Lett. 100, 152115 (2012).   DOI   ScienceOn
14 A. B. F. Martinson, S. C. Riha, E. Thimsen, J. W. Elam and M. J. Pellin, Energy Environ. Sci., 6, 1868 (2013).   DOI   ScienceOn
15 A. Short, L. Jewell, S. Doshay, C. Church, T. Keiber, F. Bridges, S. Carter and G. Alers, J. Vac. Sci. Technol. A, 31, 01A138 (2013).   DOI
16 J. Y. Kim and S. M. George, J. Phys. Chem. C, 114, 17597 (2010).   DOI   ScienceOn
17 S. K. Sarkar, J. Y. Kim, D. N. Goldstein, N. R. Neale, K. Zhu, C. M. Elliott, A. J. Frank and S. M. George, J. Phys. Chem. C, 114, 8032 (2010).   DOI   ScienceOn
18 H. Wedemeyer, J. Michels, R. Chmielowski, S. Bourdais, T. Muto, M. Sugiura, G. Dennler and J. Bachmann, Energy Environ. Sci., 6, 67 (2013).   DOI   ScienceOn
19 V. Pore, M. Ritala and M. Leskela, Chem. Vap. Deposition, 13, 163 (2007).   DOI   ScienceOn
20 W. S. Choi, J. Korean Phys. Soc., 57, 1472 (2010).   DOI   ScienceOn
21 T. Y. Park, J. S. Lee, J. G. Park, H. Y. Jeon, H. Jeon, J. Vac. Sci. Technol. A, 30, 01A139 (2012).   DOI
22 Y. H. Shin and Y. Kim, J. Korean Phys. Soc., 61, 594 (2012).   DOI   ScienceOn
23 S. Jeon, S. Bang, S. Lee, S. Kwon, W. Jeong and H. Jeon, J. Korean Phys. Soc., 53, 3287 (2008).   DOI   ScienceOn
24 Z. Y. Ye, H. L. Lu, Y. G. Gu, Z. Y. Xie, Y. Zhang, Q. Q. Sun, S. J. Ding and D. W. Zhang, Nanoscale Res. Lett., 9, 108 (2013).
25 R. G. Gordon, D. Hausmann, E. Kim and J. Sherpard, Chem. Vap. Dep., 9, 73 (2003).   DOI   ScienceOn
26 S. C. Witczak, M. Gaitan, J. S. Suehle, M. C. Peckerar, D. I. Ma, Solid-State Electron., 37, 10, (1994).
27 J. W. Lim, S. J. Yun and J. H. Lee, Electrochem Solid- State Lett., 73, F73 (2004).
28 J. W. Klaus, S. J. Ferro and S. M. George, Thin Solid Films, 360, 145 (2000).   DOI   ScienceOn
29 HSC Chemistry, 5.11 edition; Outokumpu Research Oy : Pori, Finland. Values are given at $0^{\circ}C$.
30 R. K. Grubbs, N. J. Steinmetz and S. M. George, J. Vac. Sci. Technol., B, 22, 1811 (2004).   DOI   ScienceOn
31 F. H. Fabreguette, Z. A. Sechrist, J. W. Elam and S. M. George, Thin Solid Films, 488, 103 (2005).   DOI   ScienceOn
32 J. W. Elam, C. E. Nelson, R. K. Grubbs and S. M. George, Appl. Surf. Sci., 479, 121 (2001).   DOI   ScienceOn
33 T. Luoh, C. T. Su, T. H. Yang, K. C. Chem and C. Y. Lu, Microelectron. Eng., 85, 1739 (2008).   DOI   ScienceOn
34 S. D. Elliott, Langmuir, 26, 9179 (2010).   DOI   ScienceOn
35 T. Y. Park, J. S. Lee, J. G. Park, H. Y. Jeon and H. Jeon, J. Vac. Sci. Technol. A, 30, 01A139 (2012).   DOI
36 H. T. Wang, R. G. Gordon, R. Alvis and R. M. Ulfig, Chem. Vap. Deposition, 15, 312 (2009).
37 T. Aaltonen, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Keinonen and M. Leskeaä, Chem. Mater., 15, 1924 (2003).   DOI   ScienceOn
38 J. Hamalainen, F. Munnik, M. Ritala and M. Leskelä, Chem. Mater., 20, 6840 (2008).   DOI   ScienceOn
39 T. Aaltonen, M. Ritala and M. Leskela, Electrochem. Solid-State Lett., 8, C99 (2005)..   DOI   ScienceOn
40 T. Aaltonen, M. Ritala, V. Sammelselg and M. Leskela, J. Electrochem. Soc., 151, G489 (2004).   DOI   ScienceOn
41 T. Aaltonen, A. Rahtu, M. Ritala and M. Leskela, Electrochem. Solid-State Lett., 6, C130 (2003).   DOI   ScienceOn
42 K. J. Park, D. B. Terry, S. M. Stewart and G. N. Parsons, Langmuir, 23, 6106 (2007).   DOI   ScienceOn
43 K. Knapas and M. Ritala, Chem. Mater., 20, 5698 (2008).   DOI   ScienceOn
44 B. S. Lim, A. Rahtu and R. G. Gordon, Nat. Mater., 2, 749 (2003).   DOI   ScienceOn
45 R. Solanki and B. Pathangey, Electrochem. Solid-State Lett., 3, 479 (2000).
46 M. Juppo, M. Ritala and M. Leskela, J. Electrochem. Soc., 147, 3377 (2000).   DOI   ScienceOn
47 M. Ritala, M. Leskelä, E. Rauhala and P. Haussalo, J. Electrochem. Soc., 142, 2731 (1995).   DOI   ScienceOn
48 M. Ritala, T. Asikainen, M. Leskela, J. Jokinen, R. Lappalainen, M. Utriainen, L. Niinisto and E. Ristolainen, Appl. Surf. Sci., 120, 199 (1997).   DOI   ScienceOn
49 M. Bosund, A. Aierken, J. Tiilikainen, T. Hakkarainen and H. Lipsanen, Appl. Surf. Sci., 254, 5385 (2008).   DOI   ScienceOn
50 M. Juppo, P. Alen, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Keinonen and M. Leskelä, Electrochem. Solid-State Lett., 5, C4 (2002).   DOI   ScienceOn
51 J. S. Park and S. W. Kang, Electrochem. Solid-State Lett., 7, C87 (2004).   DOI   ScienceOn
52 S. B. S. Heil, E. Langereis, F. Roozeboom, M. C. M. van de Sanden and W. M. M. Kessels, J. Electrochem. Soc., 153, G956 (2006).   DOI   ScienceOn
53 J. S. Park, S. W. Kang and H. Kim, J. Vac. Sci. Technol., B, 24, 1327 (2006).
54 S. B. S. Heil, J. L. van Hemmen, C. J. Hodson, N. Singh, J. H. Klootwijk, F. Roozeboom, M. C. M. van de Sanden and W. M. M. Kessels, J. Vac. Sci. Technol. A, 25, 1357 (2007).   DOI   ScienceOn
55 K. E. Elers, V. Saanila, P. J. Soininen, J. T. Kostamo, S. Haukka, J. Juhanoja and W. F. A. Besling, Chem. Vap. Deposition, 8, 149 (2002).   DOI   ScienceOn
56 J. H. Yun, E. S. Choi, C. M. Jang and C. S. Lee, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2, 41, L418 (2002).   DOI   ScienceOn
57 H. K. Kim, J. Y. Kim, J. Y. Park, Y. Kim, Y. D. Kim, H. Jeon and W. M. Kim, J. Korean Phys. Soc., 41, 739 (2002).
58 F. Fillot, T. Morel, S. Minoret, I. Matko, S. Maitrejean, B. Guillaumot, B. Chenevier and T. Billon, Microelectron. Eng., 82, 248 (2005).   DOI   ScienceOn
59 J. S. Min, Y. W. Son, W. G. Kang, S. S. Chun and S. W. Kang, Jpn. J.Appl. Phys., 37, 4999 (1998).   DOI
60 J. W. Elam, M. Schuisky, J. D. Ferguson and S. M. George, Thin Solid Films, 436, 145 (2003).   DOI   ScienceOn
61 K. E. Elers, J. Winkler, K. Weeks and S. Marcus, J. Electrochem. Soc., 152, G589 (2005).   DOI   ScienceOn
62 A. Kowalik, E. Guziewicz, K. Kopalko, S. Yatsunenko, A. Wójcik-G odowska, M. Godlewski, P. D u ewski, E. usakowska and W. Paszkowicz, J. Cryst. Growth, 311, 1096 (2009).   DOI   ScienceOn
63 R. J. Roy, Solid State Chem., 111, 11 (1994).   DOI   ScienceOn
64 J. W. Elam, M. Schuisky, J. D. Ferguson and S. M. George, Thin Solid Films, 436, 145 (2003).   DOI   ScienceOn
65 H. Tiznado, M. Bouman, B. C. Kang, K. Lee and F. Zaera, J. Mol. Catal. A: Chem., 281, 35 (2008).   DOI   ScienceOn
66 P. Caubet, J. P. Gonchond, M. Juhel, P. Bouvet, M. Gros- Jean, J. Michailos, C. Richard and B. Iteprat, J. Electrochem. Soc., 155, H625 (2008).   DOI   ScienceOn
67 S. Consiglio, W. X. Zeng, N. Berliner and E. T. Eisenbraun, J. Electrochem. Soc., 155, H196 (2008).   DOI   ScienceOn
68 H. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 2231 (2003).   DOI   ScienceOn
69 M. Ritala, P. Kalsi, D. Riihela, K. Kukli, M. Leskela and J. Jokinen, Chem. Mater., 11, 1712 (1999).   DOI   ScienceOn
70 M. Leskelä and M. Ritala, J. Phys. IV, 9, 837 (1999).
71 J. S. Park, M. J. Lee, C. S. Lee and S. W. Kang, Electrochem. Solid-State Lett., 4, C17 (2001).   DOI   ScienceOn
72 H. B. Profijt, S. E. Potts, M. C. M. van de Sanden and W. M. M. Kessels, J. Vac. Sci. Technol. A, 29, 050801 (2011).
73 M. Hiltunen, M. Leskela, L. Makela, E. Niinisto, E. Nykanen and P. Soininen, Thin Solid Films, 166, 149 (1988).   DOI   ScienceOn
74 H. Jeon, J. W. Lee, Y. D. Kim, D. S. Kim and K. S. Yi, J. Vac. Sci. Technol. A, 18, 1595 (2000).   DOI   ScienceOn
75 H. E. Cheng, W. J. Lee and C. M. Hsu, Thin Solid Films, 485, 59 (2005).   DOI   ScienceOn
76 C. H. Ahn, S. G. Cho, H. J. Lee, K. H. Park and S. H. Jeong, Met. Mater. Int., 7, 621 (2001).   DOI
77 J. Uhm and H. Jeon, Jpn. J. Appl. Phys., 40, 4657 (2001).   DOI
78 K. Choi, P. Lysaght, H. Alshareef, C. Huffman, H. C. Wen, R. Harris, H. Luan, P. Y. Hung, C. Sparks, M. Cruz, K. Matthews, P. Majhi and B. H. Lee, Thin Solid Films, 486, 141 (2005).   DOI   ScienceOn
79 M. Nieminen, M. Putkonen and L. Niinisto, Appl. Surf. Sci., 174, 155 (2001).   DOI   ScienceOn
80 J. Kostamo, V. Saanila, M. Tuominen, S. Haukka, K.-E. Elers, M. Soininen, W. M. Li, M. Leinikka, S. Kaipio and H. Huotari, Paper presented at AVS Topical Conference on Atomic Layer Deposition 2002, Aug 19-21, 2002.
81 M. Leskela and M. Ritala, J. Phys. IV, 5, 937 (1995).
82 L. Niinisto, M. Ritala and M. Leskela, Mater. Sci. Eng. B, 41, 23 (1996).   DOI   ScienceOn
83 S. M. George, A. W. Ott and J. W. Klaus, J. Phys. Chem., 100, 13121, (1996).   DOI   ScienceOn
84 A. W. Ott, J. M. Johnson, J. W. Klaus and S. M. George, Appl. Surf. Sci., 112, 205 (1997).   DOI   ScienceOn
85 A. W. Ott, Klaus, J. W. Klaus, J. M. Johnson and S. M. George, Thin Solid Films, 292, 135 (1997).   DOI   ScienceOn
86 M. Ritala, T. Asikainen and M. Leskela, Electrochem. Solid-State Lett., 1, 156 (1998).
87 M. Lindblad, S. Haukka, A. Kytokivi, E. Lakomaa, A. Rautiainen and T. Suntola, Appl. Surf. Sci., 121/122, 286 (1997).   DOI   ScienceOn
88 S. Haukka, E. Lakomaa and A. Root., J. Phys. Chem., 97, 5085 (1993).   DOI   ScienceOn
89 S. Haukka, E. Lakomaa, O. Jylha, J. Vilhunen and S. Hornytzkyj, Langmuir, 9, 3497 (1993).   DOI   ScienceOn
90 A. Kytokivi, E. Lakomaa, A. Root, H. Osterholm, J. Jacobs and H. H. Brongersma, Langmuir, 13, 2717 (1997).   DOI   ScienceOn
91 R. Matero, Thin Solid Films, 368, 1 (2000).   DOI   ScienceOn
92 M. D. Groner, F. H. Fabreguette, J. W. Elam and S. M. George, Chem. Mater., 16, 639 (2004).   DOI   ScienceOn
93 J. D. Ferguson,,A. W. Weimer and S. M. George, J. Vac. Sci. Technol. A, 23, 118 (2005).   DOI   ScienceOn
94 A. Yamada, B. S. Sang and M. Konagai, Appl. Surf. Sci., 112, 216 (1997).   DOI   ScienceOn
95 A. W. Ott and R. P. H. Chang, Mater. Chem. Phys., 58, 132 (1999).   DOI   ScienceOn
96 E. B. Yousfi, J. Fouache and D. Lincot, Appl. Surf. Sci., 153, 223 (2000).   DOI   ScienceOn
97 T. Suntola, Thin Solid Films, 216, 84 (1992).   DOI   ScienceOn
98 T. Suntola, Mater. Sci. Rep., 4, 261 (1989).   DOI   ScienceOn
99 M. A. Tischler and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett., 49, 274 (1986).   DOI
100 B. T. McDermott, N. A. El-Masry, M. A. Tischler and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett., 51, 1830 (1987).   DOI
101 Y. Horikoshi, M. Kawashima and H. Yamaguchi, Appl. Phys. Lett., 50, 1686 (1987).   DOI
102 D. H. Triyoso, R. I. Hedge, J. Grant, P. Fejes, R. Liu, D. Roan, M. Ramon, D. Werho, R. Rai, B. La, J. Baker, C. Garza, T. Gurnther, B. E. White and P. J. Tobin, J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 2121 (2004).   DOI   ScienceOn
103 G. H. Lee, K. R. Kim, H. J. Yang, S. K. Park, G. S. Cho, E. S. Choi and Y. H. Song, Jpn. J. Appl. Phys., 51, 116501 (2012).   DOI
104 B. H. Kim, W.S. Jeon, S. H. Jung and B. T. Ahn, Electrochem. Solid-State Lett., 8, G294 (2005).   DOI   ScienceOn
105 P. Poodt, D. C. Cameron, E. Dickey, S. M. George, V. Kuznetsov, G. N. Parsons, F. Roozeboom, G. Sundram and A. Vermeer, J. Vac. Sci. Technol. A, 30, 010802 (2012).   DOI   ScienceOn
106 M. Leskela and M. Ritala, Angew. Chem. Int. Ed., 42, 5548 (2003).   DOI   ScienceOn
107 H. Kim, Thin Solid Films, 519, 6639 (2011).   DOI   ScienceOn
108 J. Y. Kim, D. Y. Kim, H. O. Park and H, Jeon, J. Electrochem. Soc., 151, G29 (2005).
109 H. C. M. Knoops, A. J. M. Mackus, M. E. Donders, M. C. van de Sanden, P. H. L. Notten and W. M. M. Kessels, Electrochem. Solid-State Lett., 12, G34 (2009).   DOI   ScienceOn
110 X. Liu, S. Ramanathan, A. Longdergan, A. Srivastava, E. Lee, T. E. Seidel, J. T. Barton, D. Pand and R. G. Gordon, J. Electrochem. Soc., 152, G213 (2005).   DOI   ScienceOn
111 D. Ma, S. Park, B. S. Seo, S. Choi, N. Lee and J. H. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B, 23, 80 (2005).   DOI   ScienceOn
112 F. A. Al-Agel, E. A. Al-Arfaj, F. M. Al-Marzouki, S. A. Khan, Z. H. Khan and A. A. Al-Ghamdi, Mater. Sci. Semicond. Process., 16, 884 (2013).   DOI   ScienceOn
113 S. J. Ahn, Y. N. Hwang, Y. J. Song, S. H. Lee, S. Y. Lee, J. H. Park, C. W. Jeong, K. C. Ryoo, J. M. Shin, J. H. Park, Y. Fai, J. H. Oh, G. H. Koh, G. T. Jeong, S. H. Joo, S. H. Choi, Y. H. Son, J. C. Shin, Y. T. Kim, H. S. Jeong and K. Kim, Dig. Tech. Pap. Symp. VLSI Technol., 98 (2005).
114 S. L. Cho, J. H. Yi, Y. H. Ha, B. J. Kuh, C. M. Lee, J. H. Park, S. D. Nam, H. Horii, B. O. Cho, K. C. Ryoo, S. O. Park, H. S. Kim, U. I. Chung, J. T. Moon and B. I. Ryu, Dig. Tech. Pap. Symp. VLSI Technol., 96 (2005).
115 A. V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga and S. R. Ovshinsky, Phys. Rev. B, 87, 165206 (2013).   DOI
116 S. L. Cho, Dig. Tech. Pap. Symp. VLSI Technol., 6B- 1, 96 (2005).
117 B. J. Choi, S. Choi, Y. C. Shin, C. S. Hwang, J. W. Lee, J. Jeong, Y. J. Kim, S. Y. Hwang and S. K. Hong, J. Electrochem. Soc., 154, H318 (2007).   DOI   ScienceOn
118 R. Y. Kim, H. G. Kim and S. G. Yoon, Appl. Phys. Lett., 89, 10 (2006).
119 J. Lee, S. Choi, C. Lee, Y. Kang and D. Kim, Appl. Surf. Sci., 253, 3969 (2007).   DOI   ScienceOn
120 D. J. Milliron, S. Raoux, R. Shelby and J. Jordan-Sweet, Nat. Mater., 6, 352 (2007).   DOI   ScienceOn
121 V. Venkatasamy, I. Shao, Q. Huang and J. L. Stickney, J. Electrochem. Soc., 155, D693 (2008).   DOI   ScienceOn
122 I. Shao, Q. Huang, J. L. Stickney and V. Venkatasamy, US Patent 20090011577 (2009).
123 T. Eom, S. Choi, B. J. Choi, M. H. Lee, T. Gwon, S. H. Rha, W. Lee, M. S. Kim, M. Xiao, I. Buchanan, D. Y. Cho and C. S. Hwang, Chem. Mater., 24, 2099 (2013).
124 S. Yokoyama, Y. Nakashima and K. Ooba, J. Korean Phys. Soc., 35, S71 (1999).
125 I. G. Baek, C. J. Park, H. Ju, D. J. Seong, H. S. Ahn, J. H. Kim, M. K. Yang, S. H. Song, E. M. Kim, S. O. Park, C. H. Park, C. W. Song, G. T. Jeong, S. Choi, H. K. Kang and C. Chung, IEEE Int. Electron Devices Meet., 31, 737 (2011).
126 Y. Lu, B. Gao, Y. Fu, B. Chen, L. Liu, X. Liu and J. Kang, IEEE Electron Device Lett., 33, 306 (2012).   DOI   ScienceOn
127 Z. Wang, W. G. Zhu, A. Y. Du, L. Wu, Z. Fang, X. A. Tran, W. J. Liu, K. L. Zhang and H. Y. Yu, IEEE Trans. Electron Devices, 59, 1203 (2012).   DOI   ScienceOn
128 H. Y. Jeong, Y. I. Kim, J. Y. Lee and S. Y. Choi, Nanotechnology, 120, 115203 (2010).
129 Y. Y. Chen, G. Pourtois, S. Clima, B. Govoreanu, L. Goux, A. Fantini, R. Degreave, G. Groeseneken, D. Wouters and M. Jurczak, Pac. Rim Int. Conf. Adv. Mater. Process., Proc. Meet., 2806 (2012).
130 Y. Wu, B. Lee and H. S. P. Wong, Int. Symp. VLSI Technol., Syst., Appl. (VLSI-TSA), Proc. Tech. Pap., 136 (2010).
131 H. Kondo, M. Arita, T. Fujii, H. Kaji, M. Moniwa, T. Yamaguchi, I. Fujiwara, M. Yoshimaru,and Y. Takahashi, Jpn. J. Appl. Phys., 50, 081101 (2011).   DOI
132 L. Chen, W. Yang, Y. Li, Q. Q. Sun, P. Zhou, H. L. Lu, S. J. Ding and D. W. Zhang, J. Vac. Sci. Technol. A, 30, 01A148 (2012).   DOI
133 F. Nardi, S. Balatti, S. Larentis, D. C. Gilmer and D. Ielmini, IEEE Trans. Electron Devices., 60, 70 (2013).   DOI   ScienceOn
134 S. Yu, H. Y. Chen, B. Gao, J. Kang and H. S. P. Wong, ACS Nano, 7, 2320 (2013).   DOI   ScienceOn
135 S. R. Ovshinsky, Phy. Rev. Lett., 21, 1450 (1968).   DOI
136 H. Horii, J. H. Yi, J. H. Park, Y. H. Ha, I. G. Baek, S. O. Park, Y. N. Hwang, S. H. Lee, Y. T. Kim, K. H. Lee, U. I. Chug and J. T. Moon, Symp. VLSI Technol., Dig. Tech. Pap., 177 (2003).
137 A. Pirovano, A. L. Lacaita, A. Benvenuti, F. Pellizzer, and R. Bez, IEEE Int. Electron Devices Meet., 29.6.1 (2003).
138 S. K. Kim, W. D. Kim, K. M. Kim and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett., 85, 4112 (2004).   DOI   ScienceOn
139 R. Rios and N. D. Arora, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 613 (1994).
140 M. Cao, P. V. Voorde, M. Cos and W. Green, IEEE Electron Device Lett., 19, 291 (1998).   DOI   ScienceOn
141 J. Robertson, J. Vac. Sci. Technol., B, 18, 1785 (2000).   DOI   ScienceOn
142 K. J. Hubbard and D. G. Schlom, J. Mater. Res., 11, 2757 (1996).   DOI   ScienceOn
143 J. H. Koo, S. H. Kim, S. M. Jeon, H. Jeon, J. Korean Phys. Soc., 48, 1(2006).
144 H. C. Kim, S. H. Woo, J. S. Lee, H. G. Kim, Y. C. Kim, H. R. Lee, and H. Jeon, J. Electrochem. Soc., 157(4), H479 (2010).   DOI   ScienceOn