Atomic Layer Deposition: Overview and Applications
![]() |
Shin, Seokyoon
(Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University)
Ham, Giyul (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University) Jeon, Heeyoung (Department of Nano-scale Semiconductor Engineering, Hanyang University) Park, Jingyu (Department of Nano-scale Semiconductor Engineering, Hanyang University) Jang, Woochool (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University) Jeon, Hyeongtag (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University) |
1 | S. H. Kim, S. H. Woo, H. S. Hong, H. C. Kim, H. Jeon, and C. H. Bae, J. Electrochem. Soc., 154(2), H97 (2007). DOI ScienceOn |
2 | J. H. Lee, J. H. Koo, H. S. Sim, and H. Jeon, J. Korean Phys. Soc., 44, 4 (2004). |
3 | S. K. Kim, S. W. Lee, J. H. Han, B. R. Lee, S. W. Han, and C. S. Hwang, Adv. Funct. Mater., 20, 2989 (2010). DOI ScienceOn |
4 | S. W. Lee, J. H. Han, S. R. Han, W. G. Lee, J. H. Jang, M. H. Se, S. K. Kim, C. Dussarrat, J. Gatineau, Y. S. Min, and C. S. Hwang, Chem. Mat., 23, 2227 (2011). DOI ScienceOn |
5 | K. H. Ahn, S. G. Baik, and S. S. Kim, J. Appl. Phys., 92, 2651 (2002). DOI ScienceOn |
6 | R. Bez, E. Camerlenghi, A. Modelli and A. Visconti, Proc. IEEE, 91, 489 (2003). DOI ScienceOn |
7 | F. Irrera, I. Piccoli, G. Puzzilli, M. Rossini and T. Vali, Microelectron. Reliab., 49, 135 (2009). DOI ScienceOn |
8 | J. D. Lee, S. H. Hur and J. D. Choi, IEEE Electron Device Lett., 23, 264 (2002). DOI ScienceOn |
9 | G. Atwood, IEEE Trans. Device Mater. Reliab., 4, 301 (2004). DOI ScienceOn |
10 | G. Van den Bosch, G. S. Kar, P. Blomme, A. Arreghini, A. Cacciato, L. Breuil, A. De Keersgieter, V. Paraschiv, C. Vrancken, B. Douhard, O. Richard, S. Van Aerde, I. Debusschere, and J. Van Houdt, IEEE Electron Device Lett., 32, 1501 (2011). DOI ScienceOn |
11 | H. J. Kim, Micro. Eng. 106, 69 (2013). DOI ScienceOn |
12 | J. W. Elam, A. Zinovev, C. Y. Han, H. H. Wang, U. Welp, J. N. Hyrn and M. J. Pellin, Thin Solid Films, 515, 1664 (2006). DOI ScienceOn |
13 | H. Liu, K. Xu, X. Zhang and P. D. Ye, Appl. Phys. Lett. 100, 152115 (2012). DOI ScienceOn |
14 | A. B. F. Martinson, S. C. Riha, E. Thimsen, J. W. Elam and M. J. Pellin, Energy Environ. Sci., 6, 1868 (2013). DOI ScienceOn |
15 | A. Short, L. Jewell, S. Doshay, C. Church, T. Keiber, F. Bridges, S. Carter and G. Alers, J. Vac. Sci. Technol. A, 31, 01A138 (2013). DOI |
16 | J. Y. Kim and S. M. George, J. Phys. Chem. C, 114, 17597 (2010). DOI ScienceOn |
17 | S. K. Sarkar, J. Y. Kim, D. N. Goldstein, N. R. Neale, K. Zhu, C. M. Elliott, A. J. Frank and S. M. George, J. Phys. Chem. C, 114, 8032 (2010). DOI ScienceOn |
18 | H. Wedemeyer, J. Michels, R. Chmielowski, S. Bourdais, T. Muto, M. Sugiura, G. Dennler and J. Bachmann, Energy Environ. Sci., 6, 67 (2013). DOI ScienceOn |
19 | V. Pore, M. Ritala and M. Leskela, Chem. Vap. Deposition, 13, 163 (2007). DOI ScienceOn |
20 | W. S. Choi, J. Korean Phys. Soc., 57, 1472 (2010). DOI ScienceOn |
21 | T. Y. Park, J. S. Lee, J. G. Park, H. Y. Jeon, H. Jeon, J. Vac. Sci. Technol. A, 30, 01A139 (2012). DOI |
22 | Y. H. Shin and Y. Kim, J. Korean Phys. Soc., 61, 594 (2012). DOI ScienceOn |
23 | S. Jeon, S. Bang, S. Lee, S. Kwon, W. Jeong and H. Jeon, J. Korean Phys. Soc., 53, 3287 (2008). DOI ScienceOn |
24 | Z. Y. Ye, H. L. Lu, Y. G. Gu, Z. Y. Xie, Y. Zhang, Q. Q. Sun, S. J. Ding and D. W. Zhang, Nanoscale Res. Lett., 9, 108 (2013). |
25 | R. G. Gordon, D. Hausmann, E. Kim and J. Sherpard, Chem. Vap. Dep., 9, 73 (2003). DOI ScienceOn |
26 | S. C. Witczak, M. Gaitan, J. S. Suehle, M. C. Peckerar, D. I. Ma, Solid-State Electron., 37, 10, (1994). |
27 | J. W. Lim, S. J. Yun and J. H. Lee, Electrochem Solid- State Lett., 73, F73 (2004). |
28 | J. W. Klaus, S. J. Ferro and S. M. George, Thin Solid Films, 360, 145 (2000). DOI ScienceOn |
29 |
HSC Chemistry, 5.11 edition; Outokumpu Research Oy : Pori, Finland. Values are given at |
30 | R. K. Grubbs, N. J. Steinmetz and S. M. George, J. Vac. Sci. Technol., B, 22, 1811 (2004). DOI ScienceOn |
31 | F. H. Fabreguette, Z. A. Sechrist, J. W. Elam and S. M. George, Thin Solid Films, 488, 103 (2005). DOI ScienceOn |
32 | J. W. Elam, C. E. Nelson, R. K. Grubbs and S. M. George, Appl. Surf. Sci., 479, 121 (2001). DOI ScienceOn |
33 | T. Luoh, C. T. Su, T. H. Yang, K. C. Chem and C. Y. Lu, Microelectron. Eng., 85, 1739 (2008). DOI ScienceOn |
34 | S. D. Elliott, Langmuir, 26, 9179 (2010). DOI ScienceOn |
35 | T. Y. Park, J. S. Lee, J. G. Park, H. Y. Jeon and H. Jeon, J. Vac. Sci. Technol. A, 30, 01A139 (2012). DOI |
36 | H. T. Wang, R. G. Gordon, R. Alvis and R. M. Ulfig, Chem. Vap. Deposition, 15, 312 (2009). |
37 | T. Aaltonen, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Keinonen and M. Leskeaä, Chem. Mater., 15, 1924 (2003). DOI ScienceOn |
38 | J. Hamalainen, F. Munnik, M. Ritala and M. Leskelä, Chem. Mater., 20, 6840 (2008). DOI ScienceOn |
39 | T. Aaltonen, M. Ritala and M. Leskela, Electrochem. Solid-State Lett., 8, C99 (2005).. DOI ScienceOn |
40 | T. Aaltonen, M. Ritala, V. Sammelselg and M. Leskela, J. Electrochem. Soc., 151, G489 (2004). DOI ScienceOn |
41 | T. Aaltonen, A. Rahtu, M. Ritala and M. Leskela, Electrochem. Solid-State Lett., 6, C130 (2003). DOI ScienceOn |
42 | K. J. Park, D. B. Terry, S. M. Stewart and G. N. Parsons, Langmuir, 23, 6106 (2007). DOI ScienceOn |
43 | K. Knapas and M. Ritala, Chem. Mater., 20, 5698 (2008). DOI ScienceOn |
44 | B. S. Lim, A. Rahtu and R. G. Gordon, Nat. Mater., 2, 749 (2003). DOI ScienceOn |
45 | R. Solanki and B. Pathangey, Electrochem. Solid-State Lett., 3, 479 (2000). |
46 | M. Juppo, M. Ritala and M. Leskela, J. Electrochem. Soc., 147, 3377 (2000). DOI ScienceOn |
47 | M. Ritala, M. Leskelä, E. Rauhala and P. Haussalo, J. Electrochem. Soc., 142, 2731 (1995). DOI ScienceOn |
48 | M. Ritala, T. Asikainen, M. Leskela, J. Jokinen, R. Lappalainen, M. Utriainen, L. Niinisto and E. Ristolainen, Appl. Surf. Sci., 120, 199 (1997). DOI ScienceOn |
49 | M. Bosund, A. Aierken, J. Tiilikainen, T. Hakkarainen and H. Lipsanen, Appl. Surf. Sci., 254, 5385 (2008). DOI ScienceOn |
50 | M. Juppo, P. Alen, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Keinonen and M. Leskelä, Electrochem. Solid-State Lett., 5, C4 (2002). DOI ScienceOn |
51 | J. S. Park and S. W. Kang, Electrochem. Solid-State Lett., 7, C87 (2004). DOI ScienceOn |
52 | S. B. S. Heil, E. Langereis, F. Roozeboom, M. C. M. van de Sanden and W. M. M. Kessels, J. Electrochem. Soc., 153, G956 (2006). DOI ScienceOn |
53 | J. S. Park, S. W. Kang and H. Kim, J. Vac. Sci. Technol., B, 24, 1327 (2006). |
54 | S. B. S. Heil, J. L. van Hemmen, C. J. Hodson, N. Singh, J. H. Klootwijk, F. Roozeboom, M. C. M. van de Sanden and W. M. M. Kessels, J. Vac. Sci. Technol. A, 25, 1357 (2007). DOI ScienceOn |
55 | K. E. Elers, V. Saanila, P. J. Soininen, J. T. Kostamo, S. Haukka, J. Juhanoja and W. F. A. Besling, Chem. Vap. Deposition, 8, 149 (2002). DOI ScienceOn |
56 | J. H. Yun, E. S. Choi, C. M. Jang and C. S. Lee, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2, 41, L418 (2002). DOI ScienceOn |
57 | H. K. Kim, J. Y. Kim, J. Y. Park, Y. Kim, Y. D. Kim, H. Jeon and W. M. Kim, J. Korean Phys. Soc., 41, 739 (2002). |
58 | F. Fillot, T. Morel, S. Minoret, I. Matko, S. Maitrejean, B. Guillaumot, B. Chenevier and T. Billon, Microelectron. Eng., 82, 248 (2005). DOI ScienceOn |
59 | J. S. Min, Y. W. Son, W. G. Kang, S. S. Chun and S. W. Kang, Jpn. J.Appl. Phys., 37, 4999 (1998). DOI |
60 | J. W. Elam, M. Schuisky, J. D. Ferguson and S. M. George, Thin Solid Films, 436, 145 (2003). DOI ScienceOn |
61 | K. E. Elers, J. Winkler, K. Weeks and S. Marcus, J. Electrochem. Soc., 152, G589 (2005). DOI ScienceOn |
62 | A. Kowalik, E. Guziewicz, K. Kopalko, S. Yatsunenko, A. Wójcik-G odowska, M. Godlewski, P. D u ewski, E. usakowska and W. Paszkowicz, J. Cryst. Growth, 311, 1096 (2009). DOI ScienceOn |
63 | R. J. Roy, Solid State Chem., 111, 11 (1994). DOI ScienceOn |
64 | J. W. Elam, M. Schuisky, J. D. Ferguson and S. M. George, Thin Solid Films, 436, 145 (2003). DOI ScienceOn |
65 | H. Tiznado, M. Bouman, B. C. Kang, K. Lee and F. Zaera, J. Mol. Catal. A: Chem., 281, 35 (2008). DOI ScienceOn |
66 | P. Caubet, J. P. Gonchond, M. Juhel, P. Bouvet, M. Gros- Jean, J. Michailos, C. Richard and B. Iteprat, J. Electrochem. Soc., 155, H625 (2008). DOI ScienceOn |
67 | S. Consiglio, W. X. Zeng, N. Berliner and E. T. Eisenbraun, J. Electrochem. Soc., 155, H196 (2008). DOI ScienceOn |
68 | H. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 2231 (2003). DOI ScienceOn |
69 | M. Ritala, P. Kalsi, D. Riihela, K. Kukli, M. Leskela and J. Jokinen, Chem. Mater., 11, 1712 (1999). DOI ScienceOn |
70 | M. Leskelä and M. Ritala, J. Phys. IV, 9, 837 (1999). |
71 | J. S. Park, M. J. Lee, C. S. Lee and S. W. Kang, Electrochem. Solid-State Lett., 4, C17 (2001). DOI ScienceOn |
72 | H. B. Profijt, S. E. Potts, M. C. M. van de Sanden and W. M. M. Kessels, J. Vac. Sci. Technol. A, 29, 050801 (2011). |
73 | M. Hiltunen, M. Leskela, L. Makela, E. Niinisto, E. Nykanen and P. Soininen, Thin Solid Films, 166, 149 (1988). DOI ScienceOn |
74 | H. Jeon, J. W. Lee, Y. D. Kim, D. S. Kim and K. S. Yi, J. Vac. Sci. Technol. A, 18, 1595 (2000). DOI ScienceOn |
75 | H. E. Cheng, W. J. Lee and C. M. Hsu, Thin Solid Films, 485, 59 (2005). DOI ScienceOn |
76 | C. H. Ahn, S. G. Cho, H. J. Lee, K. H. Park and S. H. Jeong, Met. Mater. Int., 7, 621 (2001). DOI |
77 | J. Uhm and H. Jeon, Jpn. J. Appl. Phys., 40, 4657 (2001). DOI |
78 | K. Choi, P. Lysaght, H. Alshareef, C. Huffman, H. C. Wen, R. Harris, H. Luan, P. Y. Hung, C. Sparks, M. Cruz, K. Matthews, P. Majhi and B. H. Lee, Thin Solid Films, 486, 141 (2005). DOI ScienceOn |
79 | M. Nieminen, M. Putkonen and L. Niinisto, Appl. Surf. Sci., 174, 155 (2001). DOI ScienceOn |
80 | J. Kostamo, V. Saanila, M. Tuominen, S. Haukka, K.-E. Elers, M. Soininen, W. M. Li, M. Leinikka, S. Kaipio and H. Huotari, Paper presented at AVS Topical Conference on Atomic Layer Deposition 2002, Aug 19-21, 2002. |
81 | M. Leskela and M. Ritala, J. Phys. IV, 5, 937 (1995). |
82 | L. Niinisto, M. Ritala and M. Leskela, Mater. Sci. Eng. B, 41, 23 (1996). DOI ScienceOn |
83 | S. M. George, A. W. Ott and J. W. Klaus, J. Phys. Chem., 100, 13121, (1996). DOI ScienceOn |
84 | A. W. Ott, J. M. Johnson, J. W. Klaus and S. M. George, Appl. Surf. Sci., 112, 205 (1997). DOI ScienceOn |
85 | A. W. Ott, Klaus, J. W. Klaus, J. M. Johnson and S. M. George, Thin Solid Films, 292, 135 (1997). DOI ScienceOn |
86 | M. Ritala, T. Asikainen and M. Leskela, Electrochem. Solid-State Lett., 1, 156 (1998). |
87 | M. Lindblad, S. Haukka, A. Kytokivi, E. Lakomaa, A. Rautiainen and T. Suntola, Appl. Surf. Sci., 121/122, 286 (1997). DOI ScienceOn |
88 | S. Haukka, E. Lakomaa and A. Root., J. Phys. Chem., 97, 5085 (1993). DOI ScienceOn |
89 | S. Haukka, E. Lakomaa, O. Jylha, J. Vilhunen and S. Hornytzkyj, Langmuir, 9, 3497 (1993). DOI ScienceOn |
90 | A. Kytokivi, E. Lakomaa, A. Root, H. Osterholm, J. Jacobs and H. H. Brongersma, Langmuir, 13, 2717 (1997). DOI ScienceOn |
91 | R. Matero, Thin Solid Films, 368, 1 (2000). DOI ScienceOn |
92 | M. D. Groner, F. H. Fabreguette, J. W. Elam and S. M. George, Chem. Mater., 16, 639 (2004). DOI ScienceOn |
93 | J. D. Ferguson,,A. W. Weimer and S. M. George, J. Vac. Sci. Technol. A, 23, 118 (2005). DOI ScienceOn |
94 | A. Yamada, B. S. Sang and M. Konagai, Appl. Surf. Sci., 112, 216 (1997). DOI ScienceOn |
95 | A. W. Ott and R. P. H. Chang, Mater. Chem. Phys., 58, 132 (1999). DOI ScienceOn |
96 | E. B. Yousfi, J. Fouache and D. Lincot, Appl. Surf. Sci., 153, 223 (2000). DOI ScienceOn |
97 | T. Suntola, Thin Solid Films, 216, 84 (1992). DOI ScienceOn |
98 | T. Suntola, Mater. Sci. Rep., 4, 261 (1989). DOI ScienceOn |
99 | M. A. Tischler and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett., 49, 274 (1986). DOI |
100 | B. T. McDermott, N. A. El-Masry, M. A. Tischler and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett., 51, 1830 (1987). DOI |
101 | Y. Horikoshi, M. Kawashima and H. Yamaguchi, Appl. Phys. Lett., 50, 1686 (1987). DOI |
102 | D. H. Triyoso, R. I. Hedge, J. Grant, P. Fejes, R. Liu, D. Roan, M. Ramon, D. Werho, R. Rai, B. La, J. Baker, C. Garza, T. Gurnther, B. E. White and P. J. Tobin, J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 2121 (2004). DOI ScienceOn |
103 | G. H. Lee, K. R. Kim, H. J. Yang, S. K. Park, G. S. Cho, E. S. Choi and Y. H. Song, Jpn. J. Appl. Phys., 51, 116501 (2012). DOI |
104 | B. H. Kim, W.S. Jeon, S. H. Jung and B. T. Ahn, Electrochem. Solid-State Lett., 8, G294 (2005). DOI ScienceOn |
105 | P. Poodt, D. C. Cameron, E. Dickey, S. M. George, V. Kuznetsov, G. N. Parsons, F. Roozeboom, G. Sundram and A. Vermeer, J. Vac. Sci. Technol. A, 30, 010802 (2012). DOI ScienceOn |
106 | M. Leskela and M. Ritala, Angew. Chem. Int. Ed., 42, 5548 (2003). DOI ScienceOn |
107 | H. Kim, Thin Solid Films, 519, 6639 (2011). DOI ScienceOn |
108 | J. Y. Kim, D. Y. Kim, H. O. Park and H, Jeon, J. Electrochem. Soc., 151, G29 (2005). |
109 | H. C. M. Knoops, A. J. M. Mackus, M. E. Donders, M. C. van de Sanden, P. H. L. Notten and W. M. M. Kessels, Electrochem. Solid-State Lett., 12, G34 (2009). DOI ScienceOn |
110 | X. Liu, S. Ramanathan, A. Longdergan, A. Srivastava, E. Lee, T. E. Seidel, J. T. Barton, D. Pand and R. G. Gordon, J. Electrochem. Soc., 152, G213 (2005). DOI ScienceOn |
111 | D. Ma, S. Park, B. S. Seo, S. Choi, N. Lee and J. H. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B, 23, 80 (2005). DOI ScienceOn |
112 | F. A. Al-Agel, E. A. Al-Arfaj, F. M. Al-Marzouki, S. A. Khan, Z. H. Khan and A. A. Al-Ghamdi, Mater. Sci. Semicond. Process., 16, 884 (2013). DOI ScienceOn |
113 | S. J. Ahn, Y. N. Hwang, Y. J. Song, S. H. Lee, S. Y. Lee, J. H. Park, C. W. Jeong, K. C. Ryoo, J. M. Shin, J. H. Park, Y. Fai, J. H. Oh, G. H. Koh, G. T. Jeong, S. H. Joo, S. H. Choi, Y. H. Son, J. C. Shin, Y. T. Kim, H. S. Jeong and K. Kim, Dig. Tech. Pap. Symp. VLSI Technol., 98 (2005). |
114 | S. L. Cho, J. H. Yi, Y. H. Ha, B. J. Kuh, C. M. Lee, J. H. Park, S. D. Nam, H. Horii, B. O. Cho, K. C. Ryoo, S. O. Park, H. S. Kim, U. I. Chung, J. T. Moon and B. I. Ryu, Dig. Tech. Pap. Symp. VLSI Technol., 96 (2005). |
115 | A. V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga and S. R. Ovshinsky, Phys. Rev. B, 87, 165206 (2013). DOI |
116 | S. L. Cho, Dig. Tech. Pap. Symp. VLSI Technol., 6B- 1, 96 (2005). |
117 | B. J. Choi, S. Choi, Y. C. Shin, C. S. Hwang, J. W. Lee, J. Jeong, Y. J. Kim, S. Y. Hwang and S. K. Hong, J. Electrochem. Soc., 154, H318 (2007). DOI ScienceOn |
118 | R. Y. Kim, H. G. Kim and S. G. Yoon, Appl. Phys. Lett., 89, 10 (2006). |
119 | J. Lee, S. Choi, C. Lee, Y. Kang and D. Kim, Appl. Surf. Sci., 253, 3969 (2007). DOI ScienceOn |
120 | D. J. Milliron, S. Raoux, R. Shelby and J. Jordan-Sweet, Nat. Mater., 6, 352 (2007). DOI ScienceOn |
121 | V. Venkatasamy, I. Shao, Q. Huang and J. L. Stickney, J. Electrochem. Soc., 155, D693 (2008). DOI ScienceOn |
122 | I. Shao, Q. Huang, J. L. Stickney and V. Venkatasamy, US Patent 20090011577 (2009). |
123 | T. Eom, S. Choi, B. J. Choi, M. H. Lee, T. Gwon, S. H. Rha, W. Lee, M. S. Kim, M. Xiao, I. Buchanan, D. Y. Cho and C. S. Hwang, Chem. Mater., 24, 2099 (2013). |
124 | S. Yokoyama, Y. Nakashima and K. Ooba, J. Korean Phys. Soc., 35, S71 (1999). |
125 | I. G. Baek, C. J. Park, H. Ju, D. J. Seong, H. S. Ahn, J. H. Kim, M. K. Yang, S. H. Song, E. M. Kim, S. O. Park, C. H. Park, C. W. Song, G. T. Jeong, S. Choi, H. K. Kang and C. Chung, IEEE Int. Electron Devices Meet., 31, 737 (2011). |
126 | Y. Lu, B. Gao, Y. Fu, B. Chen, L. Liu, X. Liu and J. Kang, IEEE Electron Device Lett., 33, 306 (2012). DOI ScienceOn |
127 | Z. Wang, W. G. Zhu, A. Y. Du, L. Wu, Z. Fang, X. A. Tran, W. J. Liu, K. L. Zhang and H. Y. Yu, IEEE Trans. Electron Devices, 59, 1203 (2012). DOI ScienceOn |
128 | H. Y. Jeong, Y. I. Kim, J. Y. Lee and S. Y. Choi, Nanotechnology, 120, 115203 (2010). |
129 | Y. Y. Chen, G. Pourtois, S. Clima, B. Govoreanu, L. Goux, A. Fantini, R. Degreave, G. Groeseneken, D. Wouters and M. Jurczak, Pac. Rim Int. Conf. Adv. Mater. Process., Proc. Meet., 2806 (2012). |
130 | Y. Wu, B. Lee and H. S. P. Wong, Int. Symp. VLSI Technol., Syst., Appl. (VLSI-TSA), Proc. Tech. Pap., 136 (2010). |
131 | H. Kondo, M. Arita, T. Fujii, H. Kaji, M. Moniwa, T. Yamaguchi, I. Fujiwara, M. Yoshimaru,and Y. Takahashi, Jpn. J. Appl. Phys., 50, 081101 (2011). DOI |
132 | L. Chen, W. Yang, Y. Li, Q. Q. Sun, P. Zhou, H. L. Lu, S. J. Ding and D. W. Zhang, J. Vac. Sci. Technol. A, 30, 01A148 (2012). DOI |
133 | F. Nardi, S. Balatti, S. Larentis, D. C. Gilmer and D. Ielmini, IEEE Trans. Electron Devices., 60, 70 (2013). DOI ScienceOn |
134 | S. Yu, H. Y. Chen, B. Gao, J. Kang and H. S. P. Wong, ACS Nano, 7, 2320 (2013). DOI ScienceOn |
135 | S. R. Ovshinsky, Phy. Rev. Lett., 21, 1450 (1968). DOI |
136 | H. Horii, J. H. Yi, J. H. Park, Y. H. Ha, I. G. Baek, S. O. Park, Y. N. Hwang, S. H. Lee, Y. T. Kim, K. H. Lee, U. I. Chug and J. T. Moon, Symp. VLSI Technol., Dig. Tech. Pap., 177 (2003). |
137 | A. Pirovano, A. L. Lacaita, A. Benvenuti, F. Pellizzer, and R. Bez, IEEE Int. Electron Devices Meet., 29.6.1 (2003). |
138 | S. K. Kim, W. D. Kim, K. M. Kim and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett., 85, 4112 (2004). DOI ScienceOn |
139 | R. Rios and N. D. Arora, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 613 (1994). |
140 | M. Cao, P. V. Voorde, M. Cos and W. Green, IEEE Electron Device Lett., 19, 291 (1998). DOI ScienceOn |
141 | J. Robertson, J. Vac. Sci. Technol., B, 18, 1785 (2000). DOI ScienceOn |
142 | K. J. Hubbard and D. G. Schlom, J. Mater. Res., 11, 2757 (1996). DOI ScienceOn |
143 | J. H. Koo, S. H. Kim, S. M. Jeon, H. Jeon, J. Korean Phys. Soc., 48, 1(2006). |
144 | H. C. Kim, S. H. Woo, J. S. Lee, H. G. Kim, Y. C. Kim, H. R. Lee, and H. Jeon, J. Electrochem. Soc., 157(4), H479 (2010). DOI ScienceOn |
![]() |