In this Study, Mo back electrode were deposited as the functions of various working pressure, deposition time and plasma per-treatment on sodalime glass (SLG) for application to CIGS thin film solar cell using by DC sputtering method, and were analyzed Mo change to $MoSe_2$ layer through selenization processes. And finally Mo back electrode characteristics were evaluated as application to CIGS device after Al/AZO/ZnO/CdS/CIGS/Mo/SLG fabrication. Mo films fabricated as a function of the working pressure from 1.3 to 4.9mTorr are that physical thickness changed to increase from 1.24 to 1.27 ${\mu}m$ and electrical characteristics of sheet resistance changed to increase from 0.195 to 0.242 ${\Omega}/sq$ as according to the higher working pressure. We could find out that Mo film have more dense in lower working pressure because positive Ar ions have higher energy in lower pressure when ions impact to Mo target, and have dominated (100) columnar structure without working pressure. Also Mo films fabricated as a function of the deposition time are that physical thickness changed to increase from 0.15 to 1.24 ${\mu}m$ and electrical characteristics of sheet resistance changed to decrease from 2.75 to 0.195 ${\Omega}/sq$ as according to the increasing of deposition time. This is reasonable because more thick metal film have better electrical characteristics. We investigated Mo change to $MoSe_2$ layer through selenization processes after Se/Mo/SLG fabrication as a function of the selenization time from 5 to 40 minutes. $MoSe_2$ thickness were changed to increase as according to the increasing of selenization time. We could find out that we have to control $MoSe_2$ thickness to get ohmic contact characteristics as controlling of proper selenization time. And we fabricated and evaluated CIGS thin film solar cell device as Al/AZO/ZnO/CdS/CIGS/Mo/SLG structures depend on Mo thickness 1.2 ${\mu}m$ and 0.6 ${\mu}m$. The efficiency of CIGS device with 0.6 ${\mu}m$ Mo thickness is batter as 9.46% because Na ion of SLG can move to CIGS layer more faster through thin Mo layer. The adhesion characteristics of Mo back electrode on SLG were improved better as plasma pre-treatment on SLG substrate before Mo deposition. And we could expect better efficiency of CIGS thin film solar cell as controlling of Mo thickness and $MoSe_2$ thickness depend on Na effect and selenization time.
Spheroidal graphite cast irons which are Fe-3%C-(4-6)%Si-(0-0.5)%Mo were studied to improve not only heat resistance but also mechanical properties. With increasing Mo content, the graphitization was decreased and carbide volume fraction was increased. The graphite spheroidization ratio was not decreased in Fe-3%C-6%Si-Mo system cast iron with increasing Mo content, but that was decreased in Fe-3%C-4%Si-Mo system and Fe-3%C-5%Si-Mo system cast irons. Hardness was increased with the Si and Mo contents. At constant Si content, tensile strength was increased with increasing Mo content, but that was decreased at 6%Si. In the experiment of oxidation, weight gain was decreased as the Si and/or Mo content increased, but increased at 1.5%Mo content.
Molybdenum carbide (MoCx) thin films (TFs) were deposited by reactive radio frequency (rf) magnetron co-sputtering in high vacuum chamber. We compared the properties of MoCx thin films as the rf power changed on C target. The result of alpha step measurement showed that the thickness of the MoCx TFs varied from163.3 to 194.86 nm as C power was increased from 160 to 200 W. The crystallinity of MoCx such as b-Mo2C, Mo2C, and diamond like carbon (DLC) structures were observed by XRD. The oxidation states of Mo and C were determined using high resolution XPS spectra of Mo 3d and C 1s were deconvoluted. Molybdenum was consisted of Mo, Mo4+, and Mo6+ species. And C was deconvoluted to C-Mo, C, C-O, and C=O species.
Cho, Sung Wook;Kim, A Hyun;Lee, Gyeong A;Jeon, Chan Wook
Current Photovoltaic Research
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v.8
no.3
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pp.102-106
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2020
In this paper, the effect of MoSe2 on the contact resistance (RC) of the transparent conducting oxide (TCO) and Mo junction in the scribed P2 region of the Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) solar module was analyzed. The CIGS/Mo junction becomes ohmic-contact by MoSe2, so the formation of the MoSe2 layer is essential. However, the CIGS solar module has a TCO/MoSe2/Mo junction in the P2 region due to structural differences from the cell. The contact resistance (RC) of the P2 region was calculated using the transmission line method, and MoSe2 was confirmed to increase RC of the TCO/Mo junction. B doped ZnO (BZO) was used as TCO, and when BZO/MoSe2 junction was formed, conduction band offset (CBO) of 0.6 eV was generated due to the difference in their electron affinities. It is expected that this CBO acts as a carrier transport barrier that disturbs the flow of current, resulting in increased RC. In order to reduce the RC caused by CBO, MoSe2 must be made thin in a CIGS solar module.
Lithium intercalates, $Li_xFeMoO_4Cl$ ($1{\leq}X{\leq}2$) prepared by electrochemical lithiation of $FeMoO_4Cl$ crystallizes in monoclinic structure for all x values as revealed by x-ray diffraction and galvanostatic discharge experiments. According to the x-ray photoelectron spectroscopic study, Fe(III) is at first reduced to Fe(II) upon lithium intercalation with the x domain of $0{\leq}X{\leq}1$, where the crystal symmetry is changed from tetragonal to monoclinic. On the other hand, Mo(VI) is reduced to lower valent state upon further lithium intercalation ($1{\leq}X{\leq}2$), where no crystal symmetry transformation and reduction of Fe(II) to lower valent state are observed. The Mo 3d spectrum for $Li_2FeMoO_4Cl$ appears as a complex shape, but can be deconvoluted into the three sets of the doublet on the basis of Gaussian function, those which correspond to Mo(VI), Mo(V) and Mo(IV) states, respectively. The mixed valent states of molybdenum after further lithiation may be due to a competitive reaction between the formation of Mo(V) and its disproportionation to Mo(IV) and Mo(VI).
$Mo_xW_{1-x}Si_2$ heaters were fabricated by self-propagating high-temperature synthesis (SHS) process and post sintering process. To validate the reliability of the $Mo_xW_{1-x}Si_2$ heaters, the accelerated life test (ALT) was conducted, and then lifetime to $Mo_xW_{1-x}Si_2$ heaters was estimated by using Minitab programs. Also, the failure analysis of $Mo_xW_{1-x}Si_2$ heaters after ALT was performed through electrical and structural properties. As the results, it was confirmed that the dominant failure mode of $Mo_xW_{1-x}Si_2$ heaters is the crack formation in heaters and the delamination of protective $SiO_2$ layers.
The study is related to the synthesis of acrylic acid by selective oxidation of acrolein on Mo-V-W multicomponent mixed oxide catalysts. Mo-V-W-O(WVM), Mo-V-O/Mo-W-O(VM/WM), Mo-W-O/Mo-V-O(WM/VM) and mechanical mixtures of Mo-V-O and Mo-W-O(M-VM+WM) were prepared and characterized by BET, XRD, SEM and EPMA. Catalytic activity of these catalysts was tested in a continuous fixed bed reactor. In WVM catalysts small amount of tungsten added to VM increased surface area and selectivity of acrylic acid, but excess amount of tungsten decreased reaction rate of acrolein and selectivity. VM/WM catalysts, VM supported on WM, showed higher activity and selectivity than WM/VM catalysts where WM is supported on VM. Phase cooperation between WM and VM was observed in mechanical mixture of WM and VM and they showed higher yield than WM or VM.
Si-rich-layer-coated U-7 wt%Mo plates were prepared in order to evaluate the diffusion barrier performance of the Si-rich layer in U-Mo vs. Al interdiffusion. Pure Si powder was used for coating the U-Mo plates by annealing at $900^{\circ}C$ for 1 h under vacuum of approximately 1 Pa. Si-rich layers containing more than 60 at% of Si were formed on U-7 wt%Mo plates. Diffusion couple tests were conducted in a muffle furnace at $560-600^{\circ}C$ under vacuum using Si-rich-layer-coated U-Mo plates and pure Al plates. Diffusion couple tests using uncoated U-Mo plates and Al-(0, 2 or 5 wt%)Si plates were also conducted for comparison. Si-rich-layer coatings were more effective in suppressing the interaction during diffusion couple tests between coated U-Mo plate and Al, when compared with U-Mo vs. Al-Si diffusion couples, since only small amounts of Al in the coating could be found after the diffusion couple tests. Si-rich-layer-coated U-7wt%Mo particles were also prepared using the same technique for U-7 wt%Mo plates to observe the microsturctures of the coated particles.
In this study, a monolithic MoSi2 matrix reinforced with 20 vol% SiC particles, a SiC/MoSi2 composite matrix reinforced with 20 vol% ZrO2 particles, and a ZrO2/MoSi2 composite were fabricated using hot press sintering at $1350^{\circ}C$ for 1 h under a pressure of 30 MPa. The Vickers hardness and sliding wear resistance of the monolithic MoSi2, ZrO2/MoSi2, and SiC/MoSi2 composite were investigated at room temperature. A wear behavior test was carried out using a disk-type wear tester with a silicon nitride ball. The ZrO2/MoSi2 composite showed an average Vickers hardness value and excellent wear resistance compared with the monolithic MoSi2 and SiC/MoSi2 composite at room temperature.
Nanoscale Chevrel $Mo_6S_8$ powders are synthesized by molten salt synthesis. Synthesized $Mo_6S_8$ powders have different mean particle sizes which are dependent on a ratio of salt to precursor. The particle sizes of $Mo_6S_8$ powders changes along with the ratio increase. $Mo_6S_8$ (6:1) demonstrates the best electrochemical characteristics among the synthesized $Mo_6S_8$ powders although the $Mo_6S_8$ (4:1) has the smallest particle size. $Mo_6S_8$ (6:1) shows a reversible capacity of 83.9 $mAhg^{-1}$, which is 27.5% and 33% improved value over $Mo_6S_8$ (2:1) and $Mo_6S_8$ (4:1) at a current density of 0.2C, respectively. The superior electrochemical properties of $Mo_6S_8$ (6:1) are attributed to the balanced particle size which provides proper contact area with electrolyte and the shortened $Mg^{2+}$ diffusion length. The $Mo_6S_8$ (4:1) has the smallest particle size but further reduction of particle size from $Mo_6S_8$ (6:1) is not advantageous.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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