• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권4호
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• pp.261-266
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• 2010

In this paper, we report the changes of electrical, structural and optical characteristics in $Ge_2Sb_2Te_5$ thin films according to an increase of Si content. The Si-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ thin films were prepared by rf-magnetron co-sputtering method. Isothermal annealing was carried out at $N_2$ atmosphere. The crystallization speed (v) of amorphous thin films was evaluated by detecting the reflection response signals using a nano-pulse scanner (wavelength = 658 nm) with illumination power of 1~17 mW and pulse duration of 10~460 ns. Structural phase changes were evaluated by XRD, and the optical transmittance was measured in the wavelength range of 300~3000 nm using UV-vis-NIR spectrophotometer. The sheet resistance (RS) of the thin films was measured using 4 point probe. Conclusivlely, the v-value decreased with an increase of Si content, while the RS-values of both crystalline and amorphous phases were increased. In particular, fcc-to-hexagonal transition was suppressed by the added Si atoms.

• 열처리공학회지
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• 제7권1호
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• pp.3-10
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• 1994

The structure and mechanical properties of the extruded specimens were investigated in rapid solidified Al-(1, 3, 5) Cr alloys after mechanical alloying. Finer lamellar microstructure could no longer be resolved in the bars obtained by extrusion of the spherical particles after 200 min. of processing time. The structure of extruded bars are highly depended on the processing time of splats. The isothermal annealing of the extruded bars showed that all the alloys had good thermal stability up to $400^{\circ}C$ and did not show the recrystallization phenomena. Severe working of Al-(1, 3, 5) Cr splats produced a very fine grain size and substructural strengthening (high dislocation density and fine grain size). Effects of mechanical alloying on the thermal stability of the extruded bars Al-(1, 3, 5) Cr alloys decreases, with increasing Cr content. But the ultimate tensile Strength in the extruded bars increases with increasing Cr content.

• 한국표면공학회지
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• 제36권2호
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• pp.200-205
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• 2003

Thermoelectric p-type $Fe_{0.98}$ $Mn_{ 0.02}$$Si_2$ bulk specimens have been produced by mechanical alloying and consolidation by vacuum hot pressing. The subsequent isothermal annealing was not able to fully transform the mestastable as -milled powders into the $\beta$ $-FeSi_2$ phase, so that the obtained matrix consisted of not only thermoelectric semiconducting $\beta$-FeSi$_2$ but also some residual, untransformed metallic $\alpha$ $- Fe_2$$Si_{ 5}$ and $\varepsilon$-FeSi mixtures. Interestingly, $\beta$ - $FeSi_2$ was more easily obtained in the low density specimen when compared to the high density specimen. The oxidation at 700 and $800^{\circ}C$ in air led to the phase transformation of the above described iron - silicides and the formation of a thin silica surface layer.

• 대한금속재료학회지
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• 제49권2호
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• pp.180-186
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• 2011

Isothermal annealing and electromigration tests were performed at $125^{\circ}C$ and $125^{\circ}C$, $3.6{\times}10_4A/cm^2$ conditions, respectively, in order to compare the growth kinetics of the intermetallic compound (IMC) in the Cu/thin Sn/Cu bump. $Cu_6Sn_5$ and $Cu_3Sn$ formed at the Cu/thin Sn/Cu interfaces where most of the Sn phase transformed into the $Cu_6Sn_5$ phase. Only a few regions of Sn were not consumed and trapped between the transformed regions. The limited supply of Sn atoms and the continued proliferation of Cu atoms enhanced the formation of the $Cu_3Sn$ phase at the Cu pillar/$Cu_6Sn_5$ interface. The IMC thickness increased linearly with the square root of annealing time, and increased linearly with the current stressing time, which means that the current stressing accelerated the interfacial reaction. Abrupt changes in the IMC growth velocities at a specific testing time were closely related to the phase transition from $Cu_6Sn_5$ to $Cu_3Sn$ phases after complete consumption of the remaining Sn phase due to the limited amount of the Sn phase in the Cu/thin Sn/Cu bump, which implies that the relative thickness ratios of Cu and Sn significantly affect Cu-Sn IMC growth kinetics.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제50권3호
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• pp.582-587
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• 2012

본 논문에서는 ammonium phosphate (APP)를 핵제로 사용한 PLA 필름에 대한 결정화 특성을 연구하였다. PLA 필름의 결정화도와 결정크기는 Scherrer 식을 이용하여 결정하였으며 결정화속도 상수는 Avrami 식을 이용하여 계산하였다. 본 연구에 사용한 시료는 2단계 과정을 거쳐 제조되었다. 먼저 APP를 1, 5, 10 wt% 첨가한 필름을 각각 제조하고 130, 140, $150^{\circ}C$에서 어닐링시켜서 시료로 사용하였다. 순수한 PLA 필름의 결정화도는 평균 4.6%였으며 APP를 1, 5, 10 wt% 첨가한 필름의 평균 결정화도는 각각 12.2, 47.7, 50.0%였다. 순수한 PLA 필름의 평균 결정크기는 28.0 nm였으며 APP를 1, 5, 10 wt% 첨가한 필름의 평균 결정크기는 26.8, 24.0, 19.0 nm였다. APP를 1 wt% 첨가한 PLA 필름의 130, 140, $150^{\circ}C$ 어닐링 온도별 결정화속도 상수는 각각 2.12, 3.86, 0.27로, $140^{\circ}C$에서 어닐링시킨 PLA 필름의 결정속도가 가장 빨랐으며 순수한 필름, 5, 10 wt% 첨가한 필름보다 높았다.

• 한국자기학회지
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• 제4권1호
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• pp.12-19
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• 1994

비정질 $Fe_{73.5}Cu_{1}Nb_{3}Si_{16.5}B_{6}$ 합금의 $552^{\circ}C$에서 등온열처리시간에 따른 결정화 거동을 $M\"{o}ssbauer$ 분광법으로 연구하였다. 열처리된 시료는 $Do_{3}-FeSi$ 초미세결정립, Cu-cluster 및 비정질이 공존함이 $M\"{o}ssbauer$ spectrum 분석에 의해 확인되었다. 결정화 초기단계에 Cu-cluster가 형성되기 때문에 FeSi 초미세결정립의 Si함량은 높아지며, 열처리시간이 60분이 될 때까지 Si함량은 감소하는데 이는 FeSi 초미세결정립의 평균초미세자기장의 증가를 일으키며, 이후 Si함량은 거의 일정하다. 60분 이후의 열처리에서 FeSi 초미세결정립과 잔류비정질의 체적분율이 미소하게 변화함에도 잔류비정질의 평균초미세자기장이 감소하는 것은 잔류비정질에서의 Nb, B원자의 존재비의 증가에 기인된다. $552^{\circ}C$에서 60분 열처리 할 경우 FeSi 초미세결정립과 잔류비정질의 초미세자기장의 방향이 모두 무질서하게 분포된다. FeSi 초미세결정립과 Cu-cluster의 Avrami지수는 각각 0.51, 0.65, 잠복기는 각각 2.4분, 0.8분, 활성화에너지는 각각 2.35 eV, 2.44 eV이며, Cu-cluster가 FeSi 초미세결정립보다 먼저 생성된다는 것은 Cu 원자가 FeSi 초미세결정립의 생성을 촉진시킨다는 해석과 부합한다.

• 한국진공학회지
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• 제6권3호
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• pp.249-254
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• 1997

Fe가 첨가된 반절연성 InP(100)의 특성을 photoreflectance(R) 측정으로 조사하였다. 관측한 PR 신호로부터 300K에서 띠간격 에너지($E_o$)와 넓어지기 변수(broadening parameter:$\Gamma$)는 각각 1.336eV 및 11.2meV의 값을 얻었다. 측정온도를 300~80K로 낮춤에 따라 PR 신호는 엑시톤과 2차원의 띠사이 전이가 중첩된 형태(300K)에서 전형적인 엑시톤 에 의한 전이형태(80K)로 변함을 알았다. 또한 Varshni 계수 $\alpha=-0.94\pm$0.07meV/K, $\beta=587\pm$35.2K와 Bose-Einstein 계수 aB=33.6$\pm$2.02meV, $\theta=165\pm$33K의 값을 얻었다. 그리고 등온 및 등시 열처리를 수행한 후 측정 결과, 온도 $300^{\circ}C$에서 10~20분 정도 열처리시켰을 때 InP 시료의 결정성이 가장 좋아짐을 정성적으로 알 수 있었다.

• 공업화학
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• 제23권2호
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• pp.169-175
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• 2012

본 연구에서는 $130{\sim}150^{\circ}C$ 어닐링조건과 1~10 wt%의 isopropylphenyl diphenyl phosphate (IPPP) 첨가량이 PLA필름의 결정화거동과 방염특성에 미치는 영향을 평가하였다. IPPP를 1, 5, 10 wt% 첨가한 PLA필름은 $140^{\circ}C$에서 결정화속도가 가장 빨랐으며 등온조건에서는 1 wt% IPPP를 첨가한 PLA필름의 결정화속도가 5, 10 wt%의 IPPP를 첨가한 PLA필름보다 빨랐다. IPPP를 1 wt% 첨가한 PLA필름의 평균 결정화도는 21.3%이며 평균 결정크기는 24.8 nm였다. IPPP의 첨가량이 증가할수록 결정화도는 증가하고 결정크기는 작아졌다. 또 연소속도는 IPPP의 첨가량이 증가할수록 낮아졌다.